随机存储器：SRAM、DRAM、SDRAM的区别

首先我们要明确这三种存储器的中文名字：

SRAM：英文全称’Static RAM’，翻译成中文就是’静态随机存储器’。

DRAM：英文全称’Dynamic RAM’，翻译成中文就是’动态随机存储器’。

SSRAM ：英文全称‘Synchronous Static Random Access Memory’，翻译成中文就是同步静态随机存储器。

SDRAM：英文全称’Synchronous DRAM’，翻译成中文就是’同步动态随机存储器’

 

他们的特点分别如下：

SRAM ： 静态RAM，不用刷新，容量小

DRAM： 动态RAM，需要刷新，容量大。 

SSRAM ：同步静态RAM，不用刷新，速度快，容量小。

SDRAM ：同步动态RAM，需要刷新，速度快，容量大。 

SSRAM和SDRAM其实就是一种升级版的SRAM和DRAM，工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准。我们电脑里常用的内存条即为SDRAM存储器，第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM，第五代，DDR4 SDRAM。目前可以方便买到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz；可以方便买到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz。 

SSRAM和SDRAM的工作原理与SRAM、DRAM基本相同，因此我们不做过多了解。

 

SRAM与DRAM的存储原理：

SRAM中的每一位均存储在四个晶体管当中，这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。这个存储单元具有两个稳定状态，通常表示为0和1。另外还需要两个访问晶体管用于控制读或写操作过程中存储单元的访问。因此，一个存储位通常需要六个MOSFET。对称的电路结构使得SRAM的访问速度要快于DRAM。SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。 

DRAM的结构可谓是简单高效，每一个bit只需要一个晶体管另加一个电容。但是电容不可避免的存在漏电现象，如果电荷不足会导致数据出错，因此电容必须被周期性的刷新（预充电），这也是DRAM的一大特点。而且电容的充放电需要一个过程，刷新频率不可能无限提升（频障），这就导致DRAM的频率很容易达到上限，即便有先进工艺的支持也收效甚微。

SRAM与DRAM的区别
  前面介绍了SRAM和DRAM，区别也是显而易见，现总结梳理一下。

  1、原理上的不同，SRAM原理是双稳态触发器，DRAM是栅极电容上的电荷；原理的不同导致SRAM不用刷新，DRAM要刷新。

  2、DRAM采用地址复用，SRAM不是。具体原因是这样的，存储芯片上的内容不是我们想象中的那样，一个地址对应一个存储单元，然后它们按照一维那样子顺序排列下去，它是个二维的存储矩阵，之前的存储芯片基本结构也提到了，所以它芯片内部寻址的时候是分行和列去找的，对于SRAM，它将行列直接传入进去找到相应存储单元，但是DRAM通常用作内存而不是Cache，它需要比Cache更大的容量而不是速度，所以在容量大的情况下，它的芯片内行数和列数也多，要一起传入岂不是要很多根地址线，这是不划算的，所以用地址复用，行和列分别传入。

  这是我觉得比较重要的两个区别，二者的区别还有很多，直接上个表来看：