模电·场效应管放大电路静态工作点的设置方法及其分析估算_038

场效应管放大电路静态工作点的设置方法及其分析估算


  与晶体管放大电路一样,为了使电路正常放大,必须设置合适的静态工作点,以保证在信号的整个周期内场效应管均工作在恒流区。下面以共源电路为例,说明设置Q点的几种方法。

一、基本共源放大电路

  图1所示共源放大电路采用的是N沟道增强型MOS管,为使它工作在恒流区,在输人回路加栅极电源 V G G V\tiny GG VGG V G G V\tiny GG VGG应大于开启电压 U G S ( t h ) U\tiny GS(th) UGS(th);在输出回路加漏极电源V,它一方面使漏 - 源电压大于预夹断电压以保证管子工作在恒流区,另一方面作为负载的能源; R d R\tiny d Rd与共射放大电路中 R c R\tiny c Rc具有完全相同的作用,它将漏极电流 i D \large i\tiny D iD的变化转换成电压 u D S \large u\tiny DS uDS的变化,从而实现电压放大。
基本共源放大电路

图1. 基本共源放大电路

  令 U ˙ i = 0 \.U{\tiny i}=0 U˙i=0,由于栅 - 源之间是绝缘的,故栅极电流为0,所以 U G S Q = V G G {U\tiny GSQ}={V\tiny GG} UGSQ=VGG。如果已知场效应管的输出特性曲线,那么首先在输出特性中找到 U G S = V G G {U\tiny GS}={V\tiny GG} UGS=VGG的那条曲线(若没有,需测出该曲线),然后作负载线 u D S = V D D − i D R d {\large u\tiny DS}={V\tiny DD}-{i\tiny D}{R\tiny d} uDS=VDDiDRd,如图2.场效应管放大电路所示,曲线与直线的交点就是Q点,读其坐标值即得 I D Q I\tiny DQ IDQ U D S Q U\tiny DSQ UDSQ
图解法求基本共源放大电路的静态工作点

图2. 图解法求基本共源放大电路的静态工作点

  当然,也可以利用场效应管的电流方程,求出。因为
i D S = I D O ( u G S U G S ( t h ) − 1 ) 2 {\large i\tiny DS}={I\tiny DO}(\frac{\large u\tiny GS}{U\tiny GS(th)}-1)^2 iDS=IDO(UGS(th)uGS1)2
所以 I D Q I\tiny DQ IDQ U D S Q U\tiny DSQ UDSQ分别为
I D Q = I D O ( V G G U G S ( t h ) − 1 ) 2 {I\tiny DQ}={I\tiny DO}(\frac{V\tiny GG}{U\tiny GS(th)}-1)^2 IDQ=IDO(UGS(th)VGG1)2 U D S Q = V D D − I D Q R d {U\tiny DSQ}={V\tiny DD}-{I\tiny DQ}{R\tiny d} UDSQ=VDDIDQRd
  为了使信号源与放大电路“共地”,也为了采用单电源供电,在实用电路中多采用下面介绍的自给偏压电路和分压式偏置电路。

二、自给偏压电路

  图3.(a)所示为N沟道结型场效管共源放大电路,也是典型的自给偏压电路。N沟道结型场效管只有在栅-源电压 U G S U\tiny GS UGS小于零时电路才能正常工作,那么图示电路中为什么 U G S U\tiny GS UGS会小于零呢?
  在静态时,由于场效管栅极电流为零,因而电阻 R g R\tiny g Rg的电流为零,栅极电位 U G Q U\tiny GQ UGQ也就为零;而漏极电流 I D Q I\tiny DQ IDQ流过源极电阻 R s R\tiny s Rs必然产生电压,使源极电位 U S Q = I D Q R s {U\tiny SQ}={I\tiny DQ}{R\tiny s} USQ=IDQRs,因此,栅-源之间静态电压
U G S Q = U C Q − U S Q = − I D Q R s {U\tiny GSQ}={U\tiny CQ}-{U\tiny SQ}=-{I\tiny DQ}{R\tiny s} UGSQ=UCQUSQ=IDQRs
可见,电路是靠源极电阻上的电压为栅 - 源两极提供一个负偏压的,故称为自给偏压。将 U G S Q = U C Q − U S Q = − I D Q R s {U\tiny GSQ}={U\tiny CQ}-{U\tiny SQ}=-{I\tiny DQ}{R\tiny s} UGSQ=UCQUSQ=IDQRs与场效应管的电流方程联立,即可解出 I D Q I\tiny DQ IDQ U G S Q U\tiny GSQ UGSQ
I D Q = I D S S ( 1 − u G S Q U G S ( o f f ) ) 2 {I\tiny DQ}={I\tiny DSS}(1-\frac{\large u\tiny GSQ}{U\tiny GS(off)})^2 IDQ=IDSS(1UGS(off)uGSQ)2 U D S Q = V D D − I D Q ( R d + R s ) {U\tiny DSQ}={V\tiny DD}-{I\tiny DQ}({R\tiny d}+{R\tiny s}) UDSQ=VDDIDQ(Rd+Rs)
也可用图解法求解Q点。
自给偏压共源放大电路

图3. 自给偏压共源放大电路
(a)由N沟道结型场效应管组成的电路(b)由N沟道耗尽型管组成的电路

  图3.(b)所示电路是自给偏压的一种特例,其 U G S Q = 0 {U\tiny GSQ}=0 UGSQ=0。图中采用耗尽型N沟道MOS管,因此其栅 - 源之间电压在小于零、等于零和大于零的一定范围内均能正常工作。求解0点时,可先在转移特性上求得 U G S = 0 {U\tiny GS}=0 UGS=0时的 i D i\tiny D iD,即 i D Q i\tiny DQ iDQ;然后利用 U D S Q = V D D − I D Q R d {U\tiny DSQ}={V\tiny DD}-{I\tiny DQ}{R\tiny d} UDSQ=VDDIDQRd求出管压降 U D S Q U\tiny DSQ UDSQ

三、分压式偏置电路

  图4.所示为N沟道增强型MOS管构成的共源放大电路,它靠 R g 1 R\tiny g1 Rg1 R g 2 R\tiny g2 Rg2对电源 V D D V\tiny DD VDD分压来设置偏压,故称分压式偏置电路。
  静态时,由于栅极电流为0,所以电阻 R g 3 R\tiny g3 Rg3上的电流为0,栅极电位和源极电位分别为
U G Q = U A = R g 1 R g 1 + R g 2 ∗ V D D , U S Q = I D Q R s {U\tiny GQ}={U\tiny A}=\frac{R\tiny g1}{{R\tiny g1}+{R\tiny g2}}*{V\tiny DD},{U\tiny SQ}={I\tiny DQ}{R\tiny s} UGQ=UA=Rg1+Rg2Rg1VDDUSQ=IDQRs
因此,栅 - 源电压
U G S Q = U G Q − U S Q = R g 1 R g 1 + R g 2 ∗ V D D − I D Q R s {U\tiny GSQ}={U\tiny GQ}-{U\tiny SQ}=\frac{R\tiny g1}{{R\tiny g1}+{R\tiny g2}}*{V\tiny DD}-{I\tiny DQ}{R\tiny s} UGSQ=UGQUSQ=Rg1+Rg2Rg1VDDIDQRs
分压式偏置电路

图4. 分压式偏置电路

  与式 I D Q = I D S S ( 1 − u G S Q U G S ( o f f ) ) 2 {I\tiny DQ}={I\tiny DSS}(1-\frac{\large u\tiny GSQ}{U\tiny GS(off)})^2 IDQ=IDSS(1UGS(off)uGSQ)2联立可得 I D Q I\tiny DQ IDQ U G S Q U\tiny GSQ UGSQ,再利用式 U D S Q = V D D − I D Q R d {U\tiny DSQ}={V\tiny DD}-{I\tiny DQ}{R\tiny d} UDSQ=VDDIDQRd可得管压降 U D S Q U\tiny DSQ UDSQ
  电路中的 R g 3 R\tiny g3 Rg3可取值到几兆欧,以增大输入电阻。

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