4.深入浅出：绝缘栅型场效应管（MOS管）原理及应用——参考《模拟电子技术基础》清华大学华成英主讲

绝缘栅型场效应管的基本原理

注意几点：
1.增强型MOS管，DS本来没有导电沟道，必须在GS加电压才能产生沟道。
2.相比结型场效应管，多了一个衬底，和源极S相接。
3.相比结型场效应管，多了绝缘层，导致GS,GD不导通。
4.当GS加上足够正电压，把衬底的空穴往外推，并且产生感应电子区域，与空穴带电相反，所以叫反型层，耗尽层也会相应移动。

#当DS加上正向电压，导电沟道就变形了，很明显GD之间的电压减小了，所以导电沟道又缩小了

#当DS继续增加，导致GD之间电压减小到开启电压时，就出现了预夹断

#DS再增加，则局部夹断，电压增加，但同时电阻变大，所以电流基本不变，进入了一个电流受GS电压控制的一个阶段，叫恒流区

再来看一下耗尽型MOS

N沟道为例：耗尽型与增强型的特点差异就是：在绝缘层掺杂了正离子，也就是不加任何外界电压的情况下，也感应出电子区域，