Code.V光学设计学习（二）——特定约束

最新推荐文章于 2024-06-03 19:22:47 发布

光学成像设计_chow

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分类专栏： code.v

版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。

本文链接：https://blog.csdn.net/m0_46480329/article/details/104695549

版权

本文介绍了Code.V光学设计软件中关于近轴光线追迹的约束条件，如UMX、UMY、HMX等参数，并展示了生产和包装阶段的数据约束，包括中心厚度CT、边缘厚度ET、纵横比ATC和ATE，以及总体长度OAL等关键指标。

摘要由CSDN通过智能技术生成

文章目录

近轴光线追迹数据
生产和包装

近轴光线追迹数据

codev编辑约束中近轴光线追迹数据约束条件如下所示：
在这里插入图片描述
对应的输出代码如下：

UMX=XZ近轴边缘出射角度；
UMY=YZ近轴边缘出射角度；
HMX=XZ近轴边高；
IMX=XZ近轴边缘入射角度；
UCX=XZ近轴主出射角度 XZ-平面；

生产和包装

codev编辑约束中生产和包装数据约束条件如下所示：
在这里插入图片描述
其中中心厚度CT Sk-center thickness after surface k
CT S5 ＜5.0
ET Sk - edge thickness between Sk and Sk+1
ATC Sk - Aspect ratio: (center thickness after Sk)/(maximum diameter of surface k or surface k+1)
ATE Sk - Aspect

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