本文对比了TTL和CMOS集成电路的特性，包括元件构成、高低电平范围和集成度。TTL功耗大，驱动能力强，而CMOS功耗小，但速度较慢。TTL的高低电平阀值为<0.2V和>3.4V，CMOS电平则接近电源电压。由于两者电平不一致，互相连接时需要电平转换。集成度方面，尽管TTL速度更快，但CMOS因低功耗和高集成度而更受青睐。
元件构成
TTL集成电路使用（transistor）晶体管，也就是PN结。功耗较大，驱动能力强，一般工作电压+5V。如下图，与非门：Y=(A+B)’
CMOS集成电路使用MOS管，功耗小，工作电压范围很大，一般速度也低，但是技术在改进。与非门：Y=(A+B) ’
高低电平范围
TTL属于双极型数字集成电路，其输入端与输出端均为三极管，因此它的阀值电压是<0.2V为输出低电平；>3.4V为输出高电平。
而CMOS电平就不同了，他的阀值电压比TTL电平大很多。而串口的传输电压都是以COMS电压传输的。
1，TTL电平：
输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。
2，CMOS电平：
逻辑1电平电压接近于电源电压&#x
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