爱普宣告成功实现VHM™，DRAM与逻辑芯片的真3D异构集成

爱普宣告成功实现VHM™，DRAM与逻辑芯片的真3D异构集成

爱普科技股份有限公司（TWSE: 6531，下称 “爱普科技”）宣布已成功实现异构集成高带宽存储器（VHM™），即DRAM与逻辑芯片的真3D堆叠异构集成。此3D整合芯片提供了相对于高带宽存储器（HBM）十倍以上的高速带宽；其搭载超过4GB的存储器容量，更是7纳米制程逻辑芯片内存SRAM最大容量的五到十倍。

爱普科技提供VHM™，包含客制化DRAM设计及DRAM与逻辑芯片集成接口的VHM™ LInK IP，力晶积成电子制造股份有限公司（ESB: 6770，下称“力积电”）则是提供客制化DRAM晶圆代工制造服务，并由台湾集成电路股份有限公司（TWSE: 2330，下称 “台积电”）提供逻辑制程晶圆代工及3D堆叠制造服务。而此3D堆叠芯片客户为鲸链科技股份有限公司，是一家专注科技创新的无晶圆厂半导体及系统方案供应商。

半导体产业的封装技术已从传统的2D封装演进到2.5D，再到真正的3D封装技术。2.5D封装（过去常被泛称为”3D”）是将多片芯片封装于同一块硅中介板（Silicon Interposer）上，而真正的3D封装技术则是以垂直的连接方式，将多片芯片直接立体地互相堆叠。

2.5D封装时的存储器带宽受限于硅中介板上可载的横向连接数量；而3D封装因为采用垂直连接的方式，其连接数量几乎不会受限。得益于此，相较于2.5D封装，逻辑芯片与DRAM的3D集成，可在显著降低传输功耗的同时，大幅提升存储器的带宽。

力积电指出：“逻辑芯片与DRAM的3D集成是力积电在AI存储器战略上的最新成果，这项3D技术将为DRAM的带宽创造前所未有的可能性，对于AI、网通及图像处理等特别需要大量带宽的应用，将有极大的帮助。”

“爱普科技非常高兴能与台积电及力积电等业界领导大厂，一同在逻辑芯片与DRAM的3D集成上展开密切合作，帮助客户实现前所未有的产品效能。”爱普科技的刘景宏副总表示。刘副总同时担任爱普科技AI事业部主管，亦进一步补充：“爱普科技的使命即是提供优良的存储器解决方案，让客户的产品更有竞争力，创造更多商机。”

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