爱普宣告成功实现VHM™,DRAM与逻辑芯片的真3D异构集成
爱普宣告成功实现VHM™,DRAM与逻辑芯片的真3D异构集成
爱普科技股份有限公司(TWSE: 6531,下称 “爱普科技”)宣布已成功实现异构集成高带宽存储器(VHM™),即DRAM与逻辑芯片的真3D堆叠异构集成。此3D整合芯片提供了相对于高带宽存储器(HBM)十倍以上的高速带宽;其搭载超过4GB的存储器容量,更是7纳米制程逻辑芯片内存SRAM最大容量的五到十倍。
爱普科技提供VHM™,包含客制化DRAM设计及DRAM与逻辑芯片集成接口的VHM™ LInK IP,力晶积成电子制造股份有限公司(ESB:
转载
2021-08-26 16:26:57 ·
1006 阅读 ·
0 评论