为何爱普PSRAM是穿戴设备的最佳内存选择?

PSRAM,一种使用DRAM技术实现类似SRAM性能的内存器件,因其价格低于SRAM,接口简洁,功耗低,尤其适合智能穿戴设备。通过管脚复用和自我刷新技术,PSRAM在保持低功耗的同时简化了接口,成为穿戴设备内存的首选。爱普存储的PSRAM开发验证板提供了多种封装形式,解决了穿戴设备内存选型测试的难题。
摘要由CSDN通过智能技术生成

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PSRAM:一种用DRAM技术,实现SRAM性能的RAM器件

PSRAM全称为Pseudo Static Random Access Memory,指的是虚拟静态随机存储器,它是采用DRAM的工艺技术,实现类似于SRAM性能的RAM器件。

💵相较SRAM:PSRAM的价格更低

所谓采用DRAM的工艺技术,指的是PSRAM采用与DRAM相同的1T1C(一晶体管一电容器)架构,这有别于SRAM采用的6T(六晶体管)架构。因此,相同体积下,PSRAM的容量可以做得更大,单位存储容量的价格更低。

🔋相较DRAM:PSRAM的接口更简洁,功耗更低

所谓实现类似于SRAM性能,指的是PSRAM在接口简洁性与功耗水平两方面,实现了类SRAM的体验。

PSRAM通过对地址、命令管脚与I/O管脚进行复用,大大减少了管脚数,因此具备SRAM接口简洁的优势。

PSRAM采用的自行刷新(Self-Refresh)技术,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据;而DRAM每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据会消失,因此PSRAM具有更低的功耗水平。

因此,相较于DRAM,PSRAM具有管脚精简、

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