硬件工程师入门笔记---三极管和mos管篇（来源--Trent带你学硬件）

三极管分类

三极管结构

三极管的参数介绍和手册解读

解释：为什么作为开关管要设计在饱和区，而不是放大区？

工作在放大区的条件是Ube>开启电压，开启电压0.7V，Uce=Vcc-Ic*Rc>Ube（0.7V）,即Uce的电压要大于0.7v，当输出为低电平时，Uo的电压会大于0.7v，可能会造成低电平识别不了问题，正常是低电平越小越好。具体可见下图，http://t.csdnimg.cn/uj09Q-解释来源

这里其实有点不懂，因为计算Ib和Ic时，我们不是用了放大系数来计算吗？如果工作在饱和区，那还有放大作用吗？因为三极管的Uce的导通电压很小才能忽略，在饱和区Uce随着Ib电流增加而减小，所以到底工作在饱和区还是截止区呢？还是在拐角处，此时还是在放大区，但是Uce已经只有0.2V了，但好像不是这样吧。求教一下

mos管

答：工作在非饱和区，随着栅源电压 UGS 的增大，在沟道中形成更多的载流子，主要是指漏极和源极之间的通道中电子数量增多，电流更容易通过，从而表现为漏源之间的内阻减小，MOS 管工作在非饱和区作为开关，是因为在这个区域，它的内阻较小，电流可以较容易地通过，就像开关接通时电阻很小一样。而且在非饱和区，其导通和截止的转换速度相对较快，能够满足很多开关电路对快速切换的要求。另外，非饱和区的功耗相对较低，能提高电路的效率。

I2C是Open-drain，所以level shifter电路的两边都是上拉电阻Rp的