计算机组成:内部存储器知识点大全

本文详细探讨了存储器的分类,如半导体、磁表面和光盘存储,以及按存取方式、内容可变性和在计算机中的角色划分。重点介绍了SRAM(静态RAM)和DRAM(动态RAM)的特点及其在Cache中的应用。此外,涵盖了存储容量、存取速度、Cache的工作原理和地址映射策略。
摘要由CSDN通过智能技术生成

目录

分类

技术指标

SRAM存储器

DRAM存储器

存储器的容量扩展

只读存储器

高速存储器

Cache存储器

主存与Cache的地址映射:

分类

存储器的分类

  • 半导体存储器

  • 磁表面存储器

  • 光盘存储器

按存取方式

  • 随机存储器

  • 顺序存储器

  • 半顺序存储器

按存储内容可变性

  • 只读存储器

  • 随机读写存储器

按在计算机的作用

  • 主存储器:能够被CPU直接访问,速度较快,用于保存系统当前运行所需的程序和数据

  • 辅助存储器:不能够被CPU直接访问,速度较慢,用于保存系统所有需的程序和数据

  • 高速缓冲存储器:能够被CPU直接访问,速度快,用于保存系统当前运行频繁使用程序和数据

  • 控制存储器:CPU内部的存储单元

技术指标

存储容量

指存储器能放置的二进制代码的总数

单位为字长 : 存储单元个数 * 存储字长

单位为字节 : 存储单元个数 * 存储字长 / 8

存取速度

存取时间(ns):分为写入和写出时间,从启动一次操做到完成所经历的时间

存取周期(ns):连续启动两次访问操作所需的最小时间间隔

存取周期 = 存取时间 + 复原时间

存储器带宽(位/秒):每秒从存储器进出信息的最大数量

SRAM存储器

静态RAM(SRAM):主要用于构成Cache
  • 优点:访问速度快,只要不掉电可以永久保存信息
  • 缺点:集成度低,功耗大,价格高

SRAM存储器的构成 

  • 存储体:存储单元的集合,一个存储矩阵
  • 地址译码器:将CPU的地址信息转换成存储单元通选信号的电路
  • 译码驱动器:用于增强驱动能力的电路
  • I/O电路:一般包括读写电路和放大电路
  • 片选:决定当前芯片是否被CPU选中进行访问
  • 读写控制电路
  • 输出驱动电路:增强数据总线的驱动能力

三种外部信号线
  • 地址线:n 根地址线对应n个单元
  • 数据线:n 根数据线对应n个单元
  • 控制线:读写信号R//W,R//W=1,读有效;R//W=0,写有效

更多信号线如下:

译码驱动的方式

  • 单译码:备选单元由字线直接决定
  • 双译码:被选单元由X,Y两个方向的地址所决定

读写周期波形图
原则
  • 读写信号要在地址和片选均起作用,一段时间后有效
  • 读写期间不允许地址和数据发生改变
  • 地址和数据要在整个周期内有效

DRAM存储器

动态RAM(DRAM):主要用于构成系统主存,必须定时刷新
  • 优点:集成度高,功耗约为SRAM的1/6,价格低
  • 缺点:访问速度慢,电容的放电作用会使信息丢失,要长期保存数据必须定期刷新存储单元

电路的构成

  • 地址多路开关:刷新是提供刷新地址,否则提供读写地址
  • 刷新定时器:固定的时间间隔刷新一次
  • 刷新地址计时器:刷新按行进行,用于对所刷新的行进行计数
  • 仲裁电路:对同时来自CPU 的访问和刷新进行仲裁
  • 定时发生器:提供行地址选通/RAS、列地址选通/CAS和写信号/WE

刷新

原因:DRAM的基本存储元——电容,会随着时间和温度而减少

周期:从上一次对整个刷新结束到下一次对整个M全部刷新一遍为止的时间

方式:以存储矩阵的行为单位刷新

  • 集中式:在一个刷新周期内,利用一段固定时间,依次对存储矩阵的所有行逐一刷新,在此期间停止对存储器的读/写操作
  • 分散式:将每个系统工作周期分为两部分,前半部分用于DRAM读写保持,后半部分用于刷新
  • 异步式:在一个刷新周期内,分散地刷新存储器的所有行

 存储器的容量扩展

字扩展(地址):

每个单元位数不变,单元个数增加

存储芯片和CPU引脚的连接方法:

  • 地址线与CPU低位地址线相连
  • 数据线与CPU数据线直接相连
  • 读写线直接与CPU读写线直接相连
  • 片选信号:由CPU高位地址和访存信号产生

举个栗子:

 

位扩展(数据):

存储单元数不变,每个单元位数增加

存储芯片和CPU引脚的连接方法:

  • 地址线与直接与CPU地址线相连
  • 数据线分别与CPU数据线不同位相连
  • 读写信号和片选信号直接与CPU相连

举个栗子:

 字位扩展:

每个单位的位数和单元的个数都增加

扩展方法:先位扩展,再字扩展

 

只读存储器

掩模式ROM:数据在芯片制造过程中写入,不能更改

一次编程ROM:用户第一次使用时写入内容

多次编程ROM:可用紫外线照射或点擦除多次修改其中的内容

高速存储器

双端口存储器:同一存储体使用两组独立的读写控制电路,可并行操做,控制读写的顺序

多模块交叉存储器——顺序方式:

每个模块中的单元地址是连续的
某个模块进行存取时,其他模块不工作,某一模块出现故障时,其他模块可以照常工作
  • 优点:扩充容量比较方便
  • 缺点:限制了带宽
存储地址:高位——模块号,低位——模块内的字号

 

多模块交叉存储器——交叉方式:

每个模块的单元地址是不连续的;连续地址分布在相邻的不同模块内
对于数据的成块传送,各模块可以实现多模块流水式并行存取
  • 优点:提高了带宽
  • 缺点:限制了扩充容量

存储地址:高位——模块号,低位——模块内的字号

 

相关题目的举例:

 

Cache存储器

作用:

主存将要访问的数据提前送到Cache中,CPU访问时,先访问Cache,若没有再访问主存

原理:

在一段时间内,CPU执行的程序和访问的数据大部分都在某一段地址范围内

原因:

Cache的速度很快,可以节约时间,提高效率

结构模模块化:

  • CPU 访问内存时,以字为单位
  • Cache与内存交换信息时,以块为单位
  • 一块为若干字

基本构成:

基本单位为字,若干字为一块

Cache的读操做:

  1. CPU发出有效的主存地址
  2. 经转换变成Cache地址
  3. 判断要访问的信息是否在Cache中
  4. 若在,直接获取数据
  5. 若不在,访问主存,并判断Cache是否已满
  • 若没有满,则将其调入Cache中
  • 若满,则替换某些块

Cache的写操做:

  1. CPU发出有效的主存地址
  2. 经转换变成Cache地址
  3. 判断要访问的信息是否在Cache中
  • 若不在,则直接写入Cache中
  • 若在,则使用策略写入Cache中

Cache命中率:

指CPU要访问的信息在Cache中的比率

 主系统的平均访问时间:

 系统的访问效率:

 例题:

 

主存与Cache的地址映射:

主存地址变成Cache地址的方式

全相联映射

主存中的任意字块可任意调到Cache中的任一行中

当主存的数据块调入Cache中时,该块的块号(主存标记)保存于调入Cache行的对应标记位

 

  • 优点:灵活性高,有空行就插入
  • 缺点:成本高,速度太慢

 直接映射

主存中的每一块只能调入Cache的特定行中

 

  • 优点:实现简单,查找简单
  • 缺点:灵活性差,有的地方即使空着,也不能占用

映射示意图:

 

 

组相联映射

将Cache中的行等分为若干组,主存中的每一块只能映射到Cache的特定组中,但是可调入到该组的任一行中
组间为直接映射,组内为全相联映射
  • 优点:速度快,利用率高

映射方式:

 

例题展示

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