一篇搞懂存储器容量的扩充

  当单个存储器芯片的容量不能满足系统要求时，需要把多片存储器芯片组合起来，组成更大容量的存储器。所需芯片数为：

   d=设计要求的存储器容量/已知芯片存储容量

①位扩展（列）：

若给定的芯片的字数（地址数）符合要求，但位数较短，不满足设计要求的存储器字长，则需要进行位扩展，让多片给定芯片进行工作。三组信号线中，地址线和控制线公用而数据线单独分开连接。

②字扩展（行）：

若给定的芯片存储容量较小（字数少），不满足设计要求的总存储容量，则需要进行字扩展，让多片给定芯片分时工作。三组信号线中给定芯片的地址总线和数据总线公用，读写控制信号线公用，由地址总线的高位译码器产生片选信号，让各个芯片分时工作。

③字位扩展：

若给定的芯片的字数和位数均不符合要求，则需要先进行位扩展，再进行字扩展。

例题：

1.利用多片1M×4位的SRAM芯片设计一个存储容量位1M×8位的SRAM存储器。

解： 设计的存储器字长为8位，存储器字数不变。所需芯片数

                        d=(1M×8)/(1M×4)=2(片)

连接的三组信号线中，地址线、控制线公用，数据线分高4位、低4位，分别与两片SRAM芯片的I/O端相连接，两片同时工作。

2.利用256K×8位的SRAM芯片设计2048×8位的存储器。

解： 所需芯片数 d=（256K×8）/（2048×8）=8（片）

8个芯片的数据总线和读写控制信号线公用，地址总线中A17-A0同时连接到8片SRAM的片内地址输入端，地址总线高位的A20-A18通过三-八译码器芯片分别产生8个片选信号，这8个芯片不会同时工作。