电路重要结论—— 一阶二阶电路时域分析结论

凉月松心

已于 2023-04-17 13:00:56 修改

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分类专栏：电路分析文章标签：单片机嵌入式硬件腾讯云机器学习算法

于 2022-11-09 09:45:28 首次发布

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第一种情况，编辑，我们称之为非震荡放电过程

一阶电路推导

电容和电感双端的伏安关系

首先是电容和电感双端的伏安关系 $i=C\frac{dU}{dt},U=L\frac{di}{dt}$

一阶RC电路的零输入响应，列出方程 $U_R=U_c => RC \frac{dU_c}{dt}+U_c=0$

$\mu_{c}=U_{0}e^{-\frac{t}{RC}t}$ , $\mu_{R}=U_{0}e^{-\frac{t}{RC}t}$ , $i=\frac{U_{0}}{R}e^{-\frac{t}{RC}t}$

一阶RL电路的零输入响应，列出方程 $U_{L}+U_R=0 => L\frac{di}{dt}+Ri=0$

$i_L=Ae^{-\frac{Rt}{L}}$ ，结合边界条件我们可以知道 $i_L=I_0e^{-\frac{Rt}{L}}$

一阶RC电路的零状态响应， $U_s=U_c+U_R=>U_s=U_c+RC\frac{dU_c}{dt}$

这个方程由特解和通解两方面组成， $U_c=Ae^{-\frac{t}{RC}}+U_s$

一阶LC电路的零状态响应，我们列出方程 $I_s=\frac{L}{R}\frac{di}{dt}+i$

我们可以解得 $i=I_s-I_se^{-\frac{R}{L}t}$

结合边界条件我们可以得到 $U_c= -U_s e^{-\frac{t}{RC}}+U_s=(1-e^{-\frac{t}{RC}})U_s$

特解称为稳态分量，同时可以看出特解与外施激励的变化规律有关，所以又可以称为强制分量，齐次方程的通解取决于特征根而与外施激励无关，所以称为自由分量

正弦电压激励下的零状态响应

下面我们开始讨论正弦电压激励下的零状态响应

我们可以列出方程 $L\frac{di}{dt}+Ri=U_m cos(\omega t + \phi_{u})$

首先我们可以得到通解形式 $i_1=Ae^{-\frac{R}{L}t}$ ，然后我们考虑求特解，通过查表我们设出通解形式，最后我们可以解得特解 $i_2=\frac{U_m}{\sqrt R^2+(\omega L)^2}cos(\omega t + \phi_{u}-\varphi)$ ，其中 $\varphi=arctan(\frac{\omega L}{R})$

所以最后电流的表达式 $i=Ae^{-\frac{R}{L}t}+ \frac{U_m}{\sqrt R^2+(\omega L)^2}cos(\omega t + \phi_{u}-\varphi)$ ，我们可以知道自由分量随着时间增长趋于0，最终只剩下强制分量，所以说这种电路需要经历一个过渡过程，然后到达稳定状态，自由分量与开关闭合的时刻有关

一阶电路的全响应

一阶电路的全响应，当一个非零状态的一阶电路受到激励的时候，电路得响应称为一阶电路的全响应，设电压源的电压 $U_s$ ，设电容原有电压 $u_c=U_0$ ,我们可以列出方程

$U_s=U_R+U_C =>RC\frac{du_c}{dt}+U_c = U_s$

我们首先得到通解 $u_{c1}=Ae^{-\frac{t}{RC}t}$ , $u_{c2}=U_s$ ，由于初始状态的电压为 $U_0$

我们可以得到最终表达式 $i=Ae^{-\frac{t}{RC}t}+U_s=(U_0-U_s)e^{-\frac{t}{RC}}+U_s=(1-e^{-\frac{t}{RC}t})U_s+U_0e^{-\frac{t}{RC}t}$ ，可以看出上面第一项是电路的零状态响应，右边第二项是电路的零输入响应，所以我们可以得到第一个等式

全相应=零状态响应+零输入响应

我们还可以看出，右边有一项是电路微分方程的特解，其变化规律与电路施加的激励相同，所以称为强制分量，另一项对应的是微分方程的通解，它的变化规律取决于电路参数而与外界激励无关，所以称之为自由分量

在直流或者正弦交流的一阶电路中，常取换路后后达到新的稳态的解作为特解，而自由分量随着时间的增长逐渐趋近于0，所以通常将全响应看作是稳态分量和瞬态分量的叠加，即

全响应=（稳态分量）+ 瞬态分量

不管是哪一种方式和角度来思考这个问题，我们都可以发现电路的表达式总是由初始值，特解和时间常数，三个量所决定

在直流电压下，我们可以写成 $f(t) = f( \infty)+(f(0^{+})-f(\infty))e^{-\frac{t}{\tau}}$

在正弦激励下，我们可以写成 $f(t)=f_1(0)+(f(0+)-f_1(0))e^{-\frac{t}{\tau}}$

其中 $f_1(t)$ 为稳态响应

二阶电路的零输入响应

用二阶微分方程描述的动态电路称为二阶电路。在二阶电路中，给定的初始条件应该有两个，他们由储能元件的初始值决定，RLC串联电路和GLC并联电路是最简单的二阶电路

RLC放电电路，假设电容已经充过电 $u_c=U_0,i_l= I_0$

根据KVL列出方程 $-u_c+u_R+u_L=0=>u_c+CR\frac{du_c}{dt}+LC\frac{d^2u_c}{dt^2}=0$

我们首先列出特征根方程 $LC p^2+RCp+1=0$

我们解除特征根为 $p_{1,2}=-\frac{R}{2L}+(-)\frac{\sqrt{(RC)^2-4LC}}{2LC}$

$p_{1,2}=-\frac{R}{2L}+(-)\frac{\sqrt{(RC)^2-4LC}}{2LC}=-\frac{R}{2L} \pm \sqrt{(\frac{R}{2L})^2-\frac{1}{LC}}$

通解的形式 $u_c=A_{1}e^{p_1t}+A_2e^{p2t}$

$p_1=-\frac{R}{2L} + \sqrt{(\frac{R}{2L})^2-\frac{1}{LC}}$

$p_2=-\frac{R}{2L} - \sqrt{(\frac{R}{2L})^2-\frac{1}{LC}}$

由此可以看出特征根仅仅和电路参数和结构有关，而与激励和初始储能无关

由初始条件我们可以得到

$A_1+A_2=U_0,p_1 A_1 +p_2 A_2=-\frac{I_0}{C}$

为了方便表示，我们取特殊情况 $I_0=0$

我们解得 $A_1=\frac{p_2U_0}{p_2-p_1}$ , $A_2=-\frac{p_1 U_0}{p_2 -p_1}$

由于R,L,C参数得不同，我们可以想见分为三种情况

第一种情况， $R>2\sqrt{\frac{L}{C}}$ ，我们称之为非震荡放电过程

电感的能量 $\frac{1}{2}L i^2$

电容得能量 $\frac{1}{2}Cu^2$

$t_m=\frac{ln(\frac{p_2}{p_1})}{p_1-p_2}$

$t<t_m$ ,电流逐渐增大，电感线圈吸收能量，建立磁场

$t>t_m$ ，电流逐渐减小，电感线圈放出能量，磁场能量衰减

第二种情况， $R<2\sqrt{\frac{L}{C}}$ ，震荡放电过程

在这种情况下,特征根 $p_1,p_2$ 是一对共轭复数

我们令 $\delta=\frac{R}{2L},\omega ^2=\frac{1}{LC}-(\frac{R}{2L})^2$

于是有 $p_{1,2}=-\delta \pm j\omega$

我们令 $\omega_0=\sqrt{\delta^2+\omega^2},\beta=arctan(\frac{\omega}{\delta})$

于是我们就有 $\delta=\omega_0 cos(\beta),\omega=\omega_{0}sin(\beta)$

所以我们有 $p_1=-\omega_0 e^{-j\beta},p_2=-\omega_0 e^{j\beta}$

凉月松心

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电路重要结论—— 一阶二阶电路时域分析结论

首先是电容和电感双端的伏安关系一阶RC电路的零输入响应，列出方程一阶RL电路的零输入响应，列出方程，结合边界条件我们可以知道一阶RC电路的零状态响应，这个方程由特解和通解两方面组成，一阶LC电路的零状态响应，我们列出方程我们可以解得结合边界条件我们可以得到特解称为，同时可以看出特解与外施激励的变化规律有关，所以又可以称为下面我们开始讨论正弦电压激励下的零状态响应我们可以列出方程首先我们可以得到通解形式。
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