光刻技术详细介绍

目录

历史前言：

Photolithography 光刻概述

为什么lithography（光刻）这么重要呢？

光刻技术的整体介绍

大规模集成电路对光刻技术的要求

光刻的整个过程：

 Photoresist 光刻胶

曝光结束

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历史前言：

为什么俄罗斯的进展非常不顺利呢？

因为俄罗斯的芯片技术，信息技术被锁死，最好的芯片加工能力大概是65nm，在这个前提下，西方就动用一切先进的侦察手段，使得战场对乌克兰透明，由此可以看出技术的发展是衡量一个国家的实力的重要标志

华为地反制裁的措施？

麒麟芯片作为世界上最好的芯片之一，生产不出来，华为投资一家芯片企业在深圳，初步实现28nm,这可以说是华为存活的必由之路，如果三两年之内可以实现芯片量产，那么等他库存的芯片耗完以后，就很难生存下来

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 现在硅的Wafer一般都在8英寸以上，一般使用的是12英寸，相当于25厘米左右，这样的一个Wafer，然后我们还需要进行IC design，再后面做成一个mask（我们后面会详细讲）

此幅图展现了在IC Fab里的加工过程，所有的线都会汇集到光刻这一过程

整个IC的加工，就是这些工序的一个循环，里面包括金属化，抛光，绝缘沉积，刻蚀，粒子注入，热处理等很多工序，最后测试，封装，检测，应用

光刻是其中一个最核心的步骤

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Photolithography 光刻概述

最关键的就是图形化的能力，难的是在微纳米尺度下图形化的能力

流程：

1. spin the photoresist onto the wafer

把光刻机旋涂在晶圆的表面

2. The resist is then selectively exposed by shining light through a mask which contains the pattern information for the particular being fabricated.

选择性的曝光（用一个散光灯，一般用紫外线，mask称为掩模版，包含了图案的信息）

3.The resist is then developed which completes the pattern transfer from the mask to the wafer.

然后我们再进行显影的一个过程，图案就从mask显影到了wafer上

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为什么lithography（光刻）这么重要呢？

Lithography transforms complex circuit diagrams into pattern which are define on the wafer in a succession of exposure and processing steps to form a number of superimposed layers of insulator, conductor, and semiconductors materials.

可以把集成电路的图案转移到Wafer上，通过曝光，显影，那么可以形成一些不同的层，绝缘层，导电层，半导体层，它就是一层一层把这些图案叠加起来，而且都是图案化的

Typically 8-25 lithography steps and several hundred processing steps between exposure are required to fabricate a packed IC

对于一个IC 电路来说，至少需要8~25，甚至几十，上百次的曝光过程，才可以真正做一个IC，不是说一次做完，并且要完全保证可靠性和可重复性

里面涉及一个很重要的良率的概念

The minimum feature size i. e., the minimum line width or line to line separation that can be printed on the surface, control the number of circuits that can be placed on the chip and has a direct impact on circuit speed. The evolution of IC is therefore closely linked to the evolution of lithographic tools.

曝光决定了最小的特征尺寸，你能做的最小的线宽，线与线之间的距离，如果你能做的越小，那么芯片上可以安放的晶体管的数量也就越多，也就意味着功耗越低，速度越快

这也是过去支撑的摩尔定律，摩尔定律也就是一直在向前发展，密度翻一番，成本下降一半

所以IC的演变是和光刻技术密不可分的

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光刻技术的整体介绍

这个表列了一些DRAM 存储器

尽管概念非常简单，但对于应用来说，要把简单的概念做到极致，做到完美，这个就很难

Resolution 分辨率 要越来越高

Exposure Field 曝光面积 要足够大，要满足整个Wafer的曝光

Placement accuracy 对准的精度

Throughput 产率

Reduction of defects 良率 良率达不到90%以上，肯定是亏本的

趋势：

• 0.7X in linear dimension every 3 years.

• Placement accuracy： 1/3 of feature size.

• 35% of total wafer manufacturing costs for lithography. 

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大规模集成电路对光刻技术的要求

光刻的整个过程：

Design-》Mask -》Wafer 

 CAD 系统也非常关键,EDA都被美国垄断了，这个软件需要企业和工厂一起合作，通过工艺和设计结合起来，这仍然是一个很艰巨的挑战

设计好之后，可以进行mask，我们在石英基底上镀一层Cr，然后在Cr上刻出图形（用电子束直写的方式）可以作为光刻的模板，mask作为曝光的掩膜，把图案就转移到了Wafer上

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 这是一个比较简单的图形化design 的软件

layout就是层，需要不同的步骤，每一步实现某一个方面的图案和加工，只有这些步骤一步一步做下去

比如这个CMOS电路可以分为4层，一层层做完以后，通过多次曝光，才可以得到CMOS的电路

大家可以在L-edit上面做一些简单的mask design

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做完design以后，就涉及到Fabrication of mask 就是把我们的mask转移到模板上

我们用的是80nm厚的Cr

为什么要用Cr呢？

对石英剂的粘附力非常好，并且是不透明的

我们一般的玻璃，紫外线是不透的，只有石英玻璃才可以透过去

然后采用激光直写的方法

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一般掩膜也分两种，明场和暗场

 dark field 就是大部分地方是不透明的，曝光的地方是透明的

而明场刚好是相反的，两种的应用有些差异

比如在正胶环境，DF就可以加工比较细的space，而在明场里面可以加工比较细的线

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 Photoresist 光刻胶

 包括三个部分：树脂或基材，光敏化合物，溶剂

里面真正起作用的是光敏化合物，放在树脂里面

然后把树脂和光敏化合物溶在溶剂里面

为什么区分正胶和负胶呢？

正胶：透明的地方胶被去掉，不透明的地方留在那里

负胶：刚好相反，曝光处，胶体保留

原理：光敏剂的成分不一样，曝光会把聚合物的链条打断，聚合物对紫外光非常敏感，就像剪刀一样切断，溶剂型大大提高，所以会被洗掉，对于负胶来说，则刚好相反，本来是一小段一小段，到那时一曝光，就胶连起来了，所以就保留下来了

 所以就说形成了两个互补的Pattern

正胶：

 负胶：

 往往正胶的话，分辨率会比较高，所以高精度的加工倾向于正胶

 正胶的缺点：1. 灵敏度不是很高，所以曝光剂量需要的更大

 负胶的缺点：1. 分辨率比较低 2. 用的是有机溶剂，对于环境污染问题存在难度

负胶的边缘比较粗糙，但用正胶可以得到一个比较规整的曝光图形

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曝光结束

曝光完以后，会形成不同的结构，根据曝光的剂量不一样，会得到三种

 Undercut结构会做LIFT-OFF

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曝光的整个过程

 总的来说分为十个步骤

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视频介绍，光刻是如何进行的？