共漏/共栅放大器+MOSFET开关电路(原理+模拟信号开关电路及应用)+单片机(独立按键控制步进电机实现)

鲤鱼编程

于 2024-07-18 16:01:13 发布

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2024-7-18，星期四，15:58，天气：晴，心情：晴。今天没有什么事情发生，继续学习啦，加油加油！！！😝

今日继续模电自选教材第四章场效应管（FET）的学习。主要学习内容为：共漏/共栅放大器+MOSFET开关电路(原理+模拟信号开关电路及应用)。单片机主要学习内容为单片机(独立按键控制步进电机实现)。

一、场效应管FET（续）

1. FET线性放大器（续）

（1）共漏放大器（CD）：下图为共漏放大器的自给偏置电路图，从图中可以看出，输入信号通过耦合电容加到栅极，在源极端输出信号，电路中没有漏极电阻，该电路与BJT的射极跟随器类似，因此也称为源极跟随器，因其具有很高的输入阻抗，所以被广泛使用。

a. 电压增益：类似于射极跟随器，源极跟随器的理想电压增益为1，但实际会更小（一般为0.5 ~ 1）。下面来对电压增益进行计算，首先将上图进行等效（交流输入下，电容C1、C2相当于导线，电阻RG并不会对交流输入信号产生影响，所以可以忽略），等效图如下：

从上图可以看出，负载与源极电阻并联，可等效合并为一个交流源极电阻Rs，Rs = RS || RL，Rs与FET内阻r's串联（1 / gm），输入信号加在Rs与r's两端，输出信号仅加载Rs两端。综上，输出电压为Vout = Vin(Rs / (r's + Rs))，带入Av = Vout / Vin可得Av = Rs / (r's + Rs)，令r's = 1 / gm，则电压增益的另一种表现形式Av = gmRs / (1 + gmRs)。

b. 输入电阻：因为输入信号加在栅极，所以从输出端看入，可得（并联忽略高阻值内阻r's）：

自给偏置输入电阻：Rin ≈ RG；
分压式偏置输入电阻：Rin ≈ R1 || R2（R1、R2为两个分压电阻）

c. 电流源偏置的CD放大器：通过加入直流源，CD放大器性能可显著提高，如下图所示，电流源不仅提供偏置，还是CD放大器的负载，因为电流源对交流信号而言相当于一个高阻值电阻，因此电压增益非常接近理想的1.0。

电流源负载带来的显著优势还包括更高的输入电阻，更低的失真以及在输入输出端无需耦合电容直接耦合信号。常规的DC跟随器的输出电压叠加在一个与VGS大小相等的直流电平上（对p沟道器件，直流偏移为负；对p沟道器件，直流偏移为正），但理想情况下，电流源偏置不会在输出上加上任何直流偏移。

为了获得最优效果，CD电压跟随器的两个FET的电阻应该互相匹配，及两个晶体管应该具有相同的传输特性，因为只有两个晶体管具有相同的VGS，它们的漏极电流才会相同，该漏极电流在两个电阻上产生的压降才会相同，这才能确保，当输入为0的时候，输出也接近0。

（2）共栅放大器（CG）：共栅放大器可以用于差分放大电路的第二级，也可以应用在某些高频电路中。虽然CG放大器的电压增益与CS相当（Av = Rd / r's = gmRd），且为同向放大器，但因其输入电阻低，所以失去了FET的主要优势之一，下图为一个基本的CG放大器，输入信号通过C1被加到源极，输出信号通过C2从漏极端输出：

从图中我们可以看出，源极电阻与r's并联，因为源极电阻通常非常大，所以在并联电阻电路中可以忽略不计，故输入电阻Rin ≈ r's ≈ 1 / gm，从上式可以看出CG放大器的输入电阻确实很小。共栅放大器的一个应用是共源共栅放大器，它由一个共栅放大器和一个共源放大器串联而成，如下图所示，其主要应用在射频电路（RF）中：

2. MOSFET开关电路

（1）MOSFET开关工作原理：通常将E-MOSFET用于开关应用，因为其具有阈值特性，当栅源电压小于VGS(th)时，MOSFET处于关闭状态；当栅源电压大于VGS(th)时，MOSFET导通；当栅源电压在VGS(th)和VGS(on)之间变化时，MOSFET就以开关方式工作，如下图所示，在关闭状态（VGS < VGS(th)）时，器件工作在负载线下端，此时RDS非常高（跨导曲线斜率很小，近似水平），MOSFET相当于断开的开关；在闭合状态（VGS > VGS(th)）时，器件工作在负载线上端，此时RDS相当于可变电阻（跨导曲线斜率近似相等），MOSFET相当于闭合的开关：

a. 理想开关：如下图所示，当n沟道E-MOSFET的栅极电压为+V时，栅源电压为正，并大于VGS(th)，此时E-MOSFET导通，漏源之间相当于闭合开关；当栅极电压为0时，栅源电压为0，MOSFET处于关闭状态，漏极与源极之间相当于打开的开关：

p沟道MOSFET类似：

（2）模拟信号开关：一个基本的n沟道MOSFET模拟开关如下图所示，当正VGS使得MOSFET导通时，漏极上的信号连接到源极，当VGS为0时，漏极上的信号与源极断开：

当模拟开关导通时，如下图所示，在信号的负峰值时栅源电压由最小值。VG与V(out)的差值是信号为负峰值瞬时的栅源电压，它必须大于或等于VGS(th)才能保证MOSFET处于导通，及VGS(min) = VG - Vp(out) ≥ VGS(th)。

（3）模拟开关应用：

a. 采样电路：模拟开关的应用之一是模数转换。模拟开关用于采样保持电路，

来以特定的速率对输入信号进行采样，然后将每个采样值暂时存储在电容中，直到被以各模数转换器（ADC）转换成数字编码，为此，MOSFET通过加在栅极上的脉冲在输入信号的一个周期内导通，入下图所示：

要想保证采样成功并能从采样信号中重构的最小采样速率必须大于信号最大频率的两倍，及：

fsample(min) > 2fsignal(max)，其中fsample(min)称为奈奎斯特频率。当栅极脉冲为高电平时，开关闭合，该脉冲其的的一小部分输入波形出现在输出上；当栅极脉冲为0V时，开关断开，输出也为0V。

b. 模拟复用器：模拟复用器用于需要将两路或多路信号传输到同一目标中。下图为一个典型的双通道模拟采样复用器，两个MOSFET交替导通或截止，这样可以使信号先后连接到输出，脉冲信号连接到开关A的栅极，反脉冲信号连接到开关B的栅极（红色框框起来的器件为反向器，它的作用是将输入信号取反，如1->0，0->1），当脉冲信号为高电平时，A闭合，B断开；当脉冲为低电平时，B闭合，A断开，这称为分时复用，因为高电平时信号A出现在输出端，低电平时信号B出现在输出端，所以这两个信号在时间上交错以便在同一线上进行输出：

d. 开关电容电路：它通常用于模拟信号处理器的集成电路可编程模拟器件中，因为电容在电路中比电阻更容易实现，所以它一般用于模拟电阻，且电容在芯片上占据的空间比IC电阻要少，也不会消耗功率，许多类型的模拟电路利用电阻来确定电压增益和其他特性，通过开关电容来模拟电阻，可以实现模拟电路的动态编程。例如，一种IC放大器电路中，需要两个电阻，如下图所示，通过电阻可以确定电压增益Av= R2 / R1：

利用E-MOSFET的开关特性类推，可以使用开关电容模拟电阻，如下图所示，开关1与开关2以一定频率交替闭合和断开，来对电容进行充电和放电，这一过程取决于电压源的值（如VA > VB，则SW1闭合时VA给电容充电，SW2闭合时电容向VB放电），对于上图中的R1，Vin和V1分别用VA和VB表示；对于R2，V1和Vout分别用VA和VB表示，电容模拟电阻的阻值取决于开关闭合断开的频率和电容容值，及R = 1/fC。