DRAM的刷新操作

DRAM存储位元是基于电容量上的电荷量存储信息的，DRAM的读操作是破坏性的，读操作会使电容器上的电荷流失，因而读出后必须刷新。而未读写的存储元也需要定期刷新，因为电荷量会逐步泄露而减少，从外部看，刷新操作与读操作类似，只是刷新时无法送出数据，并且可以将一行的所有存储元同时刷新。
现代的DRAM芯片通常会再一次读操作之后自动地刷新选中行中的所有存储位元，因此对DRAM进行周期性的刷新,以保持信息不会丢失。
周期性的刷新操作是与读/写操作交替进行的，通过二选一多路开关选择刷新行地址或正常读/写的行地址。通常用的刷新策略有集中式刷新和分散式刷新两种。

集中式刷新策略：在集中式刷新策略中，每一个刷新周期中集中一段时间对DRAM的所有行进行刷新。刷新周期时间可以分为两个部分。前一段时间进行正常的读/写操作，后一段时间作为集中刷新操作时间。由于刷新操作的优先级高，刷新操作时正常的读/写操作被暂停，数据线输出被封锁。等所有的行刷新结束后，又开始正常的读/写周期，由于在刷新的过程当中不允许读/写操作，集中式刷新策略存在“死时间”。

分散式刷新策略：在分散式刷新策略，每一行的刷新操作被平均的分配到刷新周期时间内。扩大了读写周期，但不存在死时间。