电子电路元件汇总

  1.  

    单位转换

    1PM(拍米)=1×10^15m

    1Gm(京米/吉米)=1×10^9m

    1Mm(兆米)=1×10^6m

    1km(千米)=1×10^3m

    1dm(分米)=1×10^(-1)m

    1cm(厘米)=1×10^(-2)m

    1mm(毫米)=1×10^(-3)m

    1dmm(丝米)=1×10^(-4)m

    1cmm(忽米)=1×10^(-5)m

    1μm(微米)=1×10^(-6)m

    1nm(纳米)=1×10^(-9)m

    1pm(皮米)=1×10^(-12)m

    1am(阿米)=1×10^(-18)m

    1秒=1000毫秒 (ms)

    1秒=1,000,000 微秒 (μs)

    1秒=1,000,000,000 纳秒 (ns)

    1秒=1,000,000,000,000 皮秒 (ps)

    1秒=1,000,000,000,000,000飞秒 (fs)

    密耳

    1mil:千分之一英寸

    1mil=1/1000inch=0.0254mm 

    1inch=1000mil=25.4mm

    1mm=39.37mil

    焊接实践总结反思

    (1)初学拆吸焊

    60个元件(包含20个电阻)拆1H,吸(板子+元件)2H,装2H(耐心装小电阻)

    (2)根据BOM焊接元件

    搞完这么多,下次第10栏

    错误率80%:型号错误,单位转换错误,位置错误

    反思:

    ①注意型号:是C0805还是C1206

    ②注意:引脚拆卸过量使用焊锡丝会使引脚通过焊锡液体直接相连

    引脚焊接方向看丝印

    ③二极管焊接分正负

    元件正负识别方法:图标方向为负极

    芯片正负识别方法:三角形指向为负极

    ④焊锡过多解决方法:马蹄头侧下方拉即可

    CL21电容

    CL21电容也叫金属化聚酯膜电容器,它是以金属化聚特酯膜作介质和电极,用阻燃绝缘材料包封单向引出,具有电性能优良,可靠性好,耐温高,体积小,容量大和良好自愈性能。

    事实上.CL21电容和CBB21电容极为类似,只不过CBB21电容损耗值更低,稳定性更强,很久以前,由于CL21电容价格稍便宜一些,所以为了节省成本,很多人会使用CL21电容,但现在CL21电容和CBB21电容价格相差不大,所以大多数CL21电容都被CBB21电容替代掉了。CL21电容的特点:由于金属化薄膜的自愈性,CL21可靠性很高,采用最新的浸渍技术,使用阻燃性环氧树脂浸封,使其非常均匀,它具有体积小、重量轻的优点。

    CL21电容有啥作用呢?CL21电容产品广泛使用于彩电、程控交换机、计算机、电话

    机、传真机及仪器、仪表电路中作直流脉动、脉冲及低压交流功能作用。

    CL21电容和CBB21电容区别

    1、体积大的CL21电容基本上全被CBB21电容替代。

    在以前大体积的CL21电容之所以受欢迎,主要原因就是金属化聚酯薄膜价格便宜,同容量同耐压的CL21电容的价格比CBB21电容便宜,但现在由于金属化聚丙烯薄膜价格已经和金属化聚酯薄膜差不多,所以CL21电容价格已经不占任何优势,而从性能来看,CBB21电容的性能、稳定性都要好于CL21电容,所以大体积的CL21电容市面上已经极少使用,基本上都是被CBB21电容所替代。

    2、超小型电容CL21X使用量却很大。

    CL21电容最大的优势就是体积小,所以在生产超小型电容器的时候,CL21电容反而用的很多,所以目前市面上大量的超小型CL21X电容,使用非频繁。

    CL21X电容器:金属化聚酯膜,无感结构,阻燃性环氧泡沫包封(UL94 V-0),抗脉冲能力强、体积小、自愈性好,可靠性高、低损耗、可以全系列立式编带。广泛用于家电,灯饰,启动器等系列。

    3、CL21电容和CBB21电容各自的优势对比。

    从电性能来讲,聚丙烯的损耗比聚酯膜的小10倍上,特别是高频电路应用中,它的优势是很明显的,但就耐温上来讲,聚酯膜的耐温要好一些,聚丙烯的额定工作温度一般是85度左右(高品质的可以耐105℃),超过这个温度,电容器的性能是没有任何保证的,因为温度再高的话,特别是长时间在高温下工作,里面的薄膜会缩起来,进而和喷金面产生接触不良,从而使电容性能不稳。所以CBB21电容损耗小,CL21电容耐温相对高,体积相对小,这就是两者的优点。

    铝电解电容

    铝电解电容是由铝圆筒做负极,里面装有液体电解质,插入一片弯曲的铝带做正极制成。还需要经过直流电压处理,使正极片上形成一层氧化膜做介质。它的特点是容量大,但是漏电大,稳定性差,有正负极性,适宜用于电源滤波或者低频电路中。使用的时候,正负极不要接反。

    白边是负极

    MKP电容

    MKP电容主要用于EMII进线滤波,

    CBB电容主要用于振荡,耦合,阻容降压等电路;CBB22成本比MKP低,在电性能上在满足实际直流耐压的条件下可以代替MKP。

    MKP电容的标称额定电压为250/275VAC (x2).但其直流耐压要达到200OV,而CBB电容耐压标准仅为1.6倍额定电压等。

    电容具的绝热性能:MKP与CBB电容都是运用聚丙

    膜介质,因此损耗努少六寻环6温度6c,在实际

    测试当中很多线路板上的温升很多都在4℃之内。

    如果温升高于此条件,证明电容具自己工作功率偏天,这两种电容都比较容易失效。

    运用方式与用途:在运用成本上CBB22要低于MKP,在电性能上在满足实际直流耐压的条件下能够代替MKP。MKP电容主要用在EMl进线滤波,CBB电容主要用在振荡,耦合,阻容降压等电路。

    特点及用途Application and Feature

    耐压高、绝缘电阻高、频率响应快等,料外壳(UL94V-D0)和阻燃环氧树脂灌封,承受过压冲击能力好,具有优异的阻燃性能:适用于电源跨线电路等抗干扰场合。

    进线波滤器

    耐压高、绝缘电阻高、频率响应快等,料外壳(UL94V-D0)和阻燃环氧树脂灌封,承受过压冲击能力好,具有优异的阻燃性能:适用于电源跨线电路等抗干扰场合。

    共模电感

    共模电感(Common mode Choke),也叫共模扼流圈,常用于电脑的开关电源中过滤共模的电磁干扰信号。在板卡设计中,共模电感也是起EMI滤波的作用,用于抑制高速信号线产生的电磁波向外辐射发射。

    压敏电阻

     “压敏电阻"是一种具有非线性伏安特性的电阻器件,主要用于在电路承受过压时进行电压钳位,吸收多余的电流以保护敏感器件。英文名称叫“Voltage Dependent Resistor”简写为“VDR”, 或者叫做“Varistor"。压敏电阻器的电阻体材料是半导体,所以它是半导体电阻器的一个品种。现在大量使用的"氧化锌"(ZnO)压敏电阻器,它的主体材料有二价元素锌(Zn)和六价元素氧(O)所构成。所以从材料的角度来看,氧化锌压敏电阻器是一种“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体”。 在中国台湾,压敏电阻器称为"突波吸收器",有时也称为“电冲击(浪涌)抑制器(吸收器)”。

    压敏电阻是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性,当过电压出现在压敏电阻的两极间,压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值,从而实现对后级电路的保护。压敏电阻的主要参数有:压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。

    压敏电阻的响应时间为ns级,比气体放电管快,比TVS管稍慢一些,一般情况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。压敏电阻的结电容一般在几百到几千Pf的数量级范围,很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中,应用在交流电路的保护中时,因为其结电容较大会增加漏电流,在设计防护电路时需要充分考虑。压敏电阻的通流容量较大,但比气体放电管小。压敏电阻器简称VDR,是一种对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。

    压敏电阻的工作原理

    当加在压敏电阻上的电压低于它的阈值时,流过它的电流极小,它相当于一个阻值无穷大的电阻。也就是说,当加在它上面的电压低于其阈值时,它相当于一个断开状态的开关。

    当加在压敏电阻上的电压超过它的阈值时,流过它的电流激增,它相当于阻值无穷小的电阻。也就是说,当加在它上面的电压高于其阈值时,它相当于一个闭合状态的开关。

    压敏电阻的选用及注意事项

    选用压敏电阻器前,应先了解以下相关技术参数:标称电压是指在规定的温度和直流电流下,压敏电阻器两端的电压值。漏电流是指在25℃条件下,当施加最大连续直流电压时,压敏电阻器中流过的电流值。等级电压是指压敏电阻中通过8/20等级电流脉冲时在其两端呈现的电压峰值。通流量是表示施加规定的脉冲电流(8/20μs)波形时的峰值电流。浪涌环境参数包括最大浪涌电流Ipm(或最大浪涌电压Vpm和浪涌源阻抗Zo)、浪涌脉冲宽度Tt、相邻两次浪涌的最小时间间隔Tm以及在压敏电阻器的预定工作寿命期内,浪涌脉冲的总次数N等。

    (1)必须保证在电压波动最大时,连续工作电压也不会超过最大允许值,否则将缩短压敏电阻的使用寿命;

    (2)在电源线与大地间使用压敏电阻时,有时由于接地不良而使线与地之间电压上升,所以通常采用比线与线间使用场合更高标称电压的压敏电阻器。

    压敏电阻所吸收的浪涌电流应小于产品的最大通流量。

    优点

    压敏电阻 图形符号

    各种直径尺寸:SMD、5mm、7mm、10mm、14mm、20mm、25mm、32mm、34mm、40mm、53mm

    广泛的可变电阻电压范围:18V-1800V

    多种浪涌承受能力:标准、高浪涌、超高浪涌

    大电流处理和能量吸收能力

    单体通流量可达到70KA甚至更高

    快反应时间

    低泄露电流

    多种引线形式:直、弯和其他特殊引线类型

    多种包装形式:散装、卷装包装、卷包装

    应用范围

    电源系统

    浪涌抑制器

    安防系统

    电动机保护

    汽车电子系统

    家用电器

    电阻的作用

    压敏电阻有什么用?压敏电阻的最大特点是当加在它上面的电压低于它的阈值"UN"时,流过它的电流极小,相当于一只关死的阀门,当电压超过UN时,它的阻值变小,这样就使得流过它的电流激增而对其他电路的影响变化不大从而减小过电压对后续敏感电路的影响。利用这一功能,可以抑制电路中经常出现的异常过电压,保护电路免受过电压的损害。

    例如:我们家用的彩电的电源电路中就使用了氧化锌压敏电阻,这里使用的压敏电阻压敏电压为470V,当瞬态的浪涌电压最大值(非有效值)超过470V时,压敏电阻就是体现他的钳位特性,把过高的电压拉低,让后级电路工作在一个安全的范围内。

    保护电阻

    (1) 区分是电源保护用压敏电阻器,还是信号线、数据线保护用压敏电阻器,它们要满足不同的技术标准的要求。

    (2) 根据施加在压敏电阻上的连续工作电压的不同,可将跨电源线用压敏电阻器区分为交流用或直流用两种类型,压敏电阻在这两种电压应力下的老化特性表现不同。

    (3) 根据压敏电阻承受的异常过电压特性的不同,可将压敏电阻区分为浪涌抑制型、高功率型和高能型这三种类型。

    ★浪涌抑制型:是指用于抑制雷电过电压和操作过电压等瞬态过电压的压敏电阻器,这种瞬态过电压的出现是随机的,非周期的,电流电压的峰值可能很大。绝大多数压敏电阻器都属于这一类。

    ★高功率型:是指用于吸收周期出现的连续脉冲群的压敏电阻器,例如并接在开关电源变换器上的压敏电阻,这里冲击电压周期出现,且周期可知,能量值一般可以计算出来,电压的峰值并不大,但因出现频率高,其平均功率相当大。

    ★高能型:指用于吸收发电机励磁线圈,起重电磁铁线圈等大型电感线圈中的磁能的压敏电压器,对这类应用,主要技术指标是能量吸收能力。

    压敏电阻器的保护功能,绝大多数应用场合下,是可以多次反复作用的,但有时也将它做成电流保险丝那样的"一次性"保护器件。例如并接在某些电流互感器负载上的带短路接点压敏电阻。

    • V1mA:压敏电压,即压敏电阻通过1mA电流时,压敏电阻两端的电压;

    • IR:漏电流,一般是在83%的压敏电压下测得流过压敏电阻的电流;

    • VAC:规定温度下可连续施加MOV两端的交流电压;

    • VDC:规定温度下可连续施加在MOV两端的直流电压;

    • IP:某一波形冲击电流的峰值,MOV一般采用如图5所示8/20μs电流波形进行测量;

    • VC:钳位电压,即在冲击电流IP下MOV两端的电压;

    • ITM:不引起MOV失效,可单次施加规定波形脉冲的额定最大值;需要注意的是,ITM为破坏性测试,测试过ITM的MOV不建议在电路中使用;

    压敏电阻典型应用

    为了提高压敏电阻的可靠性,压敏电阻一般会配合陶瓷气体放电管(GDT)或玻璃气体放电管(SPG)一 起使用,以减缓压敏电阻的老化。GDT和SPG具有较高的脉冲击穿电压和绝缘阻抗(100MΩ以上),在正常使用条件下,GDT 或SPG与压敏电阻串联再并联在被保护线路,这样压敏电阻不会因为电网的波动或各种操作过电压误动作以引起压敏电阻的老化。

    通常情况下,在保护电路中,压敏电压的最小值确定应满足公式(1) 的要求。另外,压敏电压的大值还应根据保护线路的耐压水平满足公式(2) 的要求:

    V1 ≈2. 2Vac或V1≈2. 0Vdc (1)

    V1 ≤0. 9Vz/ Kp (2)

    式中:V1 ———表示1mA 直流电流下的压敏电压值;

    Vac ———表示交流电压的有效值;

    Vp - p ———表示交流电压的峰- 峰值;

    Vdc ———表示直流电压值。

    式中:Vz ———表示被保护设备(或元器件)的脉冲绝缘耐压值;

    Kp ———限制电压比,是一个与材料有关的常数。

    例如:某电子镇流器的交流电压为220Vac,那么压敏电阻器的最小电压值应为V1 = 115 × 2 ×220V = 467 V。按照IEC的有关规定,电子设备的防护等级为D 级防护, 其绝缘耐压值一般规定为115kV。

    实际上,对于具体的电子镇流器产品而言,如果整流电路的脉冲耐电压1000V~1200V ,普通0~10 KA通流容量的压敏电阻,若Kp值为117~118 ,通过计算,压敏电阻的大压敏值应为V1 ≤019Vz/ K≈019 ×1200/ 117≈643 V。因此,对于供电电压相对稳定的220Vac 电源系统的电子镇流器产品,一般选用MYG3/ 300 (压敏电压为470 V) 型的压敏电阻器。

    对于电源电压为120Vac 的电子镇流器,通常选用MYG3/ 150 (压敏电压为250 V) 型的压敏电阻器。当然,在电路设计已经确定的条件下,也可通过大量的试验确定实际电路的保护水平,选择更加合适的压敏电阻器。

    接下来如何选择压敏电阻,相信大家有个明确的方向了,希望本文的内容可以帮助到你们。我们专业制造安规电容,陶瓷电容,压敏电阻,薄膜电容,独石电容,更多优质的电容器尽在JEC。以上资讯来自公司研发部,更多资讯请大家移步至网站中获取。

    NTC热敏电阻

    功能

    功率型NTC热敏电阻多用于电源抑制浪涌。抑制浪涌用NTC热敏电阻器,是一种大功率的圆片式热敏电阻器,常用于有电容器、加热器和马达启动的电子电路中。在电路电源接通瞬间,电路中会产生比正常工作时高出许多倍的浪涌电流,而NTC热敏电阻器的初始阻值较大,可以抑制电路中过大的电流,从而保护其电源电路及负载。

    当电路进入正常工作状态时,热敏电阻器由于通过电流而引起阻体温度上升,电阻值下降至很小,不会影响电路的正常工作。

    NTC负温度系数热敏电阻温度范围

    它的测量范围一般为-10~+300℃,也可做到-200~+10℃,甚至可用于+300~+1200℃环境中作测温用.

    负温度系数热敏电阻器温度计的精度可以达到0.1℃,感温时间可少至10s以下.它不仅适用于粮仓测温仪,同时也可应用于食品储存、医药卫生、科学种田、海洋、深井、高空、冰川等方面的温度测量。NTC热敏电阻在红酒瓶塞读温度、智能马桶冷却液温度传感器的应用。

     

    MOS管

    MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此,MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中,MOS管通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中,MOSFET扮演的角色主要是判断电位,它在主板上常用“Q”加数字表示。

    MOS管的作用

    MOS管为压控元件,你只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通,它的导通就像三极管在饱和状态一样,导通结的压降最小.这就是常说的精典是开关作用.去掉这个控制电压经就截止.还要说明的是,温度也是MOS管一个非常重要的性能参数。主要包括环境温度、管壳温度、贮成温度等。由于CPU频率的提高,MOS管需要承受的电流也随着增强,提供近百A的电流已经很常见了。如此巨大的电流通过时产生的热量当然使MOS管“发烧”了。为了MOS管的安全,高品质主板也开始为MOS管加装散热片了。电感与MOS管是如何合作的?

    通过上面的介绍,我们知道MOS管对于整个供电系统起着稳压的作用,但是MOS管不能单独使用,它必须和电感线圈、电容等共同组成的滤波稳压电路,才能发挥充分它的优势。

    主板上的PWM(Plus Width Modulator,脉冲宽度调制器)芯片产生一个宽度可调的脉冲波形,这样可以使两只MOS管轮流导通。当负载两端的电压(如CPU需要的电压)要降低时,这时MOS管的开关作用开始生效,外部电源对电感进行充电并达到所需的额定电压。当负载两端的电压升高时,通过MOS管的开关作用,外部电源供电断开,电感释放出刚才充入的能量,这时的电感就变成了“电源”,继续对负载供电。随着电感上存储能量的不断消耗,负载两端的电压又开始逐渐降低,外部电源通过MOS管的开关作用又要充电。这样循环不断地进行充电和放电的过程,从而形成一种稳定的电压,永远使负载两端的电压不会升高也不会降

     

    HF115F直流继电器

    小型直流继电器是指采用直流电流共供电的一种小型电子控制器件。具有控制系统(又称输入回路)和被控制系统(又称输出回路),通常应用于自动控制电路中。它相当于“自动开关”,在电路中起着自动调节、安全保护、转换电路等作用。

    继电器简介

    图1

    继电器有不同种类,新版电气图形符号用字母K代表且置开头(旧版用字母J且置结尾),双字母表示功能细分,诸如KV为电压继电器(旧版为YJ)、KA为电流继电器(旧版为U)、KT为时间继电器(旧版为SJ)等。选择继电器首先要接触的是下述主要分类因素:从工作条件分为直流(DC)和交流(AC)两类,指的是电磁线圈所接的工作电源;机械触点均可用于控制直流(DC)或交流(AC),只是触点的电压和电流额定容限不同;从触点形式分为单刀单掷(SPST)触点,单刀双掷(SPDT)触点,双刀单掷(DPST)触点,双刀双掷(DPDT)触点等;从触点状态分为常开(NO)或常闭(NC)触点。单片机实验电路常用的是小型直流电压继电器,单刀单掷触点或单刀双掷触点,且大多采用常开触点。不同触点结构的小型直流继电器见图1,电磁线圈只占两个引脚,其余为触点引脚。

    主要参数

    1、线圈直流电阻,指用万用表测出的线圈的电阻值。

    2、额定工作电压或额定工作电流,这是指继电器正常工作时,线圈的电压或电流值。有时,手册中只给出额定工作电压或额定工作电流,这时就可以用欧姆定律算出没给出的额定电流或额定电压值:即I = U/R,U = IxR,R为继电器线圈的直流电阻。

    3、吸合电压或电流,它是指继电器产生吸合时的最小电压或电流。如果只给继电器的线圈上加上吸合电压,这时的吸合是不牢靠的。一般吸合电压为额定工作电压的75%左右。

    4、释放电压或电流,是指继电器两端的电压减小到一定数值时,继电器从吸合状态转到释放状态时的电压值。释放电压要比吸合电压小得多,一般释放电压是吸合电压的1/4左右。

    5、触点负载,是指继电器的触点在切换时能承受的电压和电流值。 

    参数测量

    测量小型直流继电器参数的方法如下:

    1)测线圈电阻用万用表欧姆档测出继电器线圈两端的直流电阻,就是线圈电阻。

    2)测定吸合电压和释放电压 选一台0~30V的稳压电源,按图2连接好。

    调节稳压电源的电压从低到高,当刚听到继电器动铁心(衔铁)“嗒”的一声吸合时,记下电压表指示的电压数值即继电器的吸合电压。然后再反方向调小稳压电源的电压,当再听到“嗒”的一声动铁心释放的声音时,记下电压表指示的电压数值即继电器的释放电压。用测得的吸合电压乘上1.3~1.5就是继电器的额定工作电压。  

    常见产品

    小型直流继电器因其吸合电流小、体积小,所以在自动控制电路中广泛应用。常见的国产小型继电器HG系列有HG4088、HG4098、HG4099、HG4100,它们的参数见表1。

    表1中HG4088、4098抗电强度为:触点间加交流500V/1min不击穿(即触点可接220V交流电)。

    各继电器线圈的直流电阻为:额定电压为3V的线圈电阻为25Ω、6V为100Ω、9V为220Ω、12V为400Ω、24V为1600Ω。

    与上述国产继电器HG4100类似的产品(体积一样大),还有HKE公司生产的HRS1-S型、XING HUO公司生产的JRC-21F型等。

    整流桥

    整流桥一般带有足够大的电感性负载, 因此整流桥不出现电流断续。  一般整流桥应用时, 常在其负载端接有平波电抗器, 故可将其负载视为恒流源。 多组三相整流桥相互连接,使得整流桥电路产生的谐波相互抵消。按整流变压器的类型可以分为传统的多脉冲变压整流器和自耦式多脉冲变压整流器。传统的多脉冲变压整流器采用隔离变压器实现输入电压和输出电压的隔离,但整流变压器的等效容量大,体积庞大。 

    由于一般整流桥应用时, 常在其负载端接有平波电抗器,故可将其负载视为恒流源。另外根据EMI测量标准,为减小电网阻抗对测量结果的影响,需要在整流桥的电网输入端接入线性阻抗稳定网络 (LISN) 。测试所用的LISN的结构如图1所示,其主要作用是:①减小电网阻抗对测量结果的影响;②隔离来自电网端的干扰。由于LISN的隔离作用,可以把电网端视作一仅有基波电势和内阻抗的电源。研究对象的等效电路如右图5所示。

    APFC

    有源功率因数校正(Active Power Factor Correction ,简称APFC) 技术因能提高电力电子装置网侧功率因数,降低线路损耗,节约能源,减少电网谐波污染,提高电网供电质量等优点,在许多行业中得到广泛的应用。

    解释

    APFC 变换器电路主要有升压、降压、升压- 降压和回扫4 种类型。在电子镇流器中,升压型APFC 预调整器最为流行,因为升压型APFC 电路在一定的输出功率下可以减小输出电流,从而减小输出滤波电容的额定容量和体积。在控制方法上,电感电流断续传导模式和峰值电流控制方法在40 W至300 W荧光灯电子镇流器中倍受青睐,固定频率平均电流控制连续传导模式的APFC 变换器在300 W以上乃至数千瓦的高强度放电灯电子镇流器中占主导地位。

    电路相关原理

    有源功率因数校正(APFC) 电路主要是在整流器与输出电容器之间串联有源功率控制器,使AC/ DC 变换器的输入电流和输入电压为同频同相的正弦波,从而功率因数接近1 ,且输出电压稳定。升压型APFC 预调整器电路中主要有两个控制环(外部电压控制环和内部电流控制环) 和一个乘法器。乘法器为内部电流控制回路提供参考电流ISET ,用以控制变换器经过整流的输入电流,使电路的输入电流保持正弦波形状,并维持输出电压UO 恒定。乘法器的两路输入IVM1 、IVM2参与ISET的运算。IVM1是变换器输入电流振幅参考值,来自外部电压控制环中误差放大器的输出; IVM2是经过整流的输入电流参考波形,可直接取自整流后的输入电压。变换器中电流控制环具有较高的控制速率,而起决定作用的电压控制环控制速率较低,输入电流平均值的大小由内环控制。

    BOM

    BOM(Bill of Material)物料清单,也就是以数据格式来描述产品结构的文件,是计算机可以识别的产品结构数据文件,也是ERP的主导文件。BOM使系统识别产品结构,也是联系与沟通企业各项业务的纽带。ERP系统中的BOM的种类主要包括5类:缩排式BOM、汇总的BOM、反查用BOM、成本BOM、计划BOM。

    光耦

    光耦合器(opticalcoupler equipment,英文缩写为OCEP)亦称光电隔离器或光电耦合器,简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件,通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管,光敏电阻)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线,受光器接收光线之后就产生光电流,从输出端流出,从而实现了“电—光—电”控制。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器,由于它具有体积小、寿命长、无触点,抗干扰能力强,输出和输入之间绝缘,单向传输信号等优点,在数字电路上获得广泛的应用。

    焊接方向:元件凹槽对应PC板小白点

    50/60Hz

    50-60Hz表示该设备支持50hz和60hz的交流电,如我国的交流电是50hz,日本是60hz的,这个单位表示频率,和功率无关。

    50/60HZ代表充电器支持输入的交流电频率。一样平常生涯中使用的交流电频率为50赫兹或60赫兹,而无线电手艺中涉及的交流电频率较大,到达千赫兹(KHz)甚至万赫兹(MHz)的量。

    额定负载和额定功率的区别:

    1、定义不同

    额定负载是指电器所能承担的能力;额定功率是指电器在额定电压,额定电流下所做的功。

    2、所指设备不同

    额定负载多指电机,电源;额定功率多指电灯,电炉等终端设备。

    扩展资料:

    变压器实际容量/额定容量 * 100%=负载率。对伺服电机而言,负载率指“电机在每个工作周期内的工作时间/(工作时间+非工作时间)的比率“。

    如果负载率(duty cycle)低,就允许电机以3倍连续电流短时间运行,从而可以获得比额定连续运行时更大的力量。

    额定功率的计算公式:P额=U额*I额。

    在正常运行工作状况下,动力设备的输出功率或消耗能量的设备的输入功率。常以“千瓦”为单位。也指工厂生产的机器在正常工作时所能达到的功率。即平常所说的某机器的功率,机器的额定功率是一定的。

    TNC天线接口

        TNC天线接口的全称是TNC反极性公头(TNC RP M)。它比SMA公头要粗一些,天线接头的外部与内部接触点之间有一层金属屏蔽。目前市场中,这种接口经常出现在网络巨头思科和其子品牌Linksys的产品上。

    差别国家的电力系统的交流电频率差别,一样平常为50或者60HZ。在亚洲区域,中国、日本、泰国、印度和新加坡等国家与区域使用50HZ,而韩国、菲律宾和中国台湾使用60HZ,欧洲大部分国家使用50HZ。

    美洲使用60HZ的国家主要是墨西哥、美国、加拿大。以是充电器才标注50/60HZ来示意其通用性,可以在世界上其他国家使用。

    贴片与直插的区别?

    贴片的优点体积小,成本低,可以用在微型电器设备上。而直插式的优点是焊接工艺不会要求很高,散热相对好一些,功率大些。

    电源单位

    W是功率的单位,功率用P表示;V是电压的单位,电压用U表示;A是电流的单位,电流用I表示。

    关系:电器的功率P:P=U*I。

    1、功率是指物体在单位时间内所做的功的多少,即功率是描述做功快慢的物理量。功的数量一定,时间越短,功率值就越大。求功率的公式为功率=功/时间。功率表征作功快慢程度的物理量。单位时间内所作的功称为功率,用P表示。故功率等于作用力与物体受力点速度的标量积。

    2、科学上把单位时间里通过导体任一横截面的电量叫做电流强度,简称电流。通常用字母 I表示,它的单位是安培,简称“安”,符号 “A”,也是指电荷在导体中的定向移动。

    3、电压(voltage),也称作电势差或电位差,是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。其大小等于单位正电荷因受电场力作用从A点移动到B点所做的功,电压的方向规定为从高电位指向低电位的方向。扩展资料:

    物理学里功率P=功J/时间t,单位是瓦w,我们在媒体上常常看见的功率单位有kW、Ps、hp、bhp、whpmw等,还有意大利以前用的cv,在这里边千瓦kW是国际标准单位,1kW=1000W,用1秒做完1000焦耳的功,其功率就是1kw。日常生活中,我们常常把功率俗称为马力,单位是匹,就像将扭矩称为扭力一样。

    在汽车上边,最大的做功机器就是引擎,引擎的功率是由扭矩计算出来的,而计算的公式相当简单:功率(w)=2π×扭矩(Nm)×转速(rpm)/60,简化计算后成为:功率(W)=扭矩(Nm)×转速(rpm)/9.549。

    由于英制与公制的不同,对马力的定义基本上就不一样。英制的马力(hp)定义为:一匹马于一分钟内将200磅(lb)重的物体拉动165英尺(ft),相乘之后等于33,000lb-ft/min;而公制的马力(PS)定义则为一匹马于一分钟内将75kg的物体拉动60米,相乘之后等于4500kg.g.m/min。

    经过单位换算,(1lb=0.454kg;1ft=0.3048m)竟然发现1hp=4566kgm/min,与公制的1PS=4500kg.g.m/min有些许差异,而如果以瓦作单位(1W=1Nm/sec=1/9.8kg.g.m/sec)来换算的话,可得1hp=746W;1ps=735W,两项不一样的结果,相差1.5%左右。

    电路短路

    短路是指电路或电路中的一部分被短接。如负载与电源两端被导线连接在一起,就称为短路,短路时电源提供的电流将比通路时提供的电流大得多,一般情况下不允许短路

    电路负载状态

    满载:电路负载工作时,如果电路各元件都能长期、可靠,且又以效率高、经济性好等最佳状态工作,可称为“额定工作状态”,即“满载”。

    过载:当电流大于额定电流时,称为“过载”。

    轻载:当电流小于额定电流时,称为“欠载”或“轻载”。

    LM258 低功耗双运算放大器

    LM258是由两个独立的高增益运算放大器组成。可以

    是单电源工作,也可以是双电源工作,电源的功耗电流与电源电压大小无关。应用范围包括音频放大器、工业控制、DC增益部件和所有常规运算放大电路。采用DIP8或SOP8封装形式。

    主要特点:

    ✧可单电源或双电源工作。

    ✧包含两个运算放大器。

    ✧逻辑电路匹配。

    ✧功耗小。

    ✧频率范围宽。

    GDT

    GDT是气体放电管缩写词,(gas discharge tube)实质是一种密封在陶瓷腔体中的放电间隙,腔体中充有惰性气体以稳定放电管放电电压。其主要特点是通流能量大,可达数十至数百KA,绝缘电阻极高,无漏流,无老化失效,无极性双向保护,静态电容极小,特别适用于高速网络通讯设备的粗保护。可广泛用于各种电源及信号线的第一级雷击浪涌保护

    端口查看

    控制面板/系统和安全/系统/相关设置中设备管理/通用串行总线控制器,展开即可。

    Zigbee协议

    ZigBee协议适应无线传感器的低花费、低能量、高容错性等的要求。ZigBee是基于IEEE802.15.4标准的低功耗局域网协议。但IEEE仅处理低级MAC层和物理层协议,因此Zigbee联盟扩展了IEEE,对其网络层协议和API进行了标准化。Zigbee是一种新兴的短距离、低速率的无线网络技术。主要用于近距离无线连接。它有自己的协议标准,在数千个微小的传感器之间相互协调实现通信。

    什么是电涌保护器(sPD)?

    SPD(surge Protecti℃Dev忆e)是国际电工委员会(IEC)标准中对电涌保护器的英文缩写。避雷器是适用于高压供电系统的防雷装置,SPD是适用于低压系统的防雷装置,为了避免两者相混淆,因此用于低压系统的SPD不能称为避雷器。

     

    雪崩光电二极管

    雪崩光电二极管指的是在激光通信中使用的光敏元件。在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后,射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。加大反向偏压会产生“雪崩”(即光电流成倍地激增)的现象,因此这种二极管被称为“雪崩光电二极管”。

    工作原理

    雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管,其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。其基本结构常常采用容易产生雪崩倍增效应的Read二极管结构(即N+PIP+型结构,P+一面接收光),工作时加较大的反向偏压,使得其达到雪崩倍增状态;它的光吸收区与倍增区基本一致(是存在有高电场的P区和I区)。

    P-N结加合适的高反向偏压,使耗尽层中光生载流子受到强电场的加速作用获得足够高的动能,它们与晶格碰撞电离产生新的电子一空穴对,这些载流子又不断引起新的碰撞电离,造成载流子的雪崩倍增,得到电流增益。在0.6~0.9μm波段,硅APD具有接近理想的性能。InGaAs(铟镓砷)/InP(铟磷)APD是长波长(1.3μn,1.55μm)波段光纤通信比较理想的光检测器。光的吸收层用InGaAs材料,它对1.3μm和1.55μn的光具有高的吸收系数,为了避免InGaAs同质结隧道击穿先于雪崩击穿,把雪崩区与吸收区分开,即P-N结做在InP窗口层内。鉴于InP材料中空穴离化系数大于电子离化系数,雪崩区选用n型InP,n-InP与n-InGaAs异质界面存在较大价带势垒,易造成光生空穴的陷落,在其间夹入带隙渐变的InGaAsP(铟镓砷磷)过渡区,形成SAGM(分别吸收、分级和倍增)结构。

    在APD制造上,需要在器件表面加设保护环,以提高反向耐压性能;半导体材料以Si为优(广泛用于检测0.9um以下的光),但在检测1um以上的长波长光时则常用Ge和InGaAs(噪音和暗电流较大)。这种APD的缺点就是存在有隧道电流倍增的过程,这将产生较大的散粒噪音(降低p区掺杂,可减小隧道电流,但雪崩电压将要提高)。一种改进的结构是所谓SAM-APD:倍增区用较宽禁带宽度的材料(使得不吸收光),光吸收区用较窄禁带宽度的材料;这里由于采用了异质结,即可在不影响光吸收区的情况下来降低倍增区的掺杂浓度,使得其隧道电流得以减小(如果是突变异质结,因为ΔEv的存在,将使光生空穴有所积累而影响到器件的响应速度,这时可在突变异质结的中间插入一层缓变层来减小ΔEv的影响)。

    主要特性

    主要特性 ①雪崩增益系数M(也叫倍增因子),对突变结

    式中V为反向偏压,VB为体雪崩击穿电压;

    器件结构及入射波长等有关,为常数,其值为1~3。②增益带宽积,增益较大且频率很高时③过剩噪声因子F,在倍增过程中,噪声电流比信号电流增长快,用F表示雪崩过程引起的噪声附加F≈Mx。式中x称过剩噪声指数。要选择合适的M值,才能获得最佳信噪比,使系统达到最高灵敏度。④温度特性,载流子离化系数随温度升高而下降,导致倍增因子减小、击穿电压升高。用击穿电压的温度系数卢描述APD的温度特性。

    式中VB及VB0分别是温度为T及T0时的击穿电压。

    使用时要对工作点进行温控,要制造均匀的P-N结,以防局部结面被击穿。

    理论上,在倍增区中可采用任何半导体材料:

    硅材料适用于对可见光和近红外线的检测,且具有较低的倍增噪声(超额噪声)。

    锗(Ge)材料可检测波长不超过1.7µm的红外线,但倍增噪声较大。

    InGaAs材料可检测波长超过1.6µm的红外线,且倍增噪声低于锗材料。它一般用作异构(heterostructure)二极管的倍增区。该材料适用于高速光纤通信,商用产品的速度已达到10Gbit/s或更高。

    氮化镓二极管可用于紫外线的检测。

    HgCdTe二极管可检测红外线,波长最高可达14µm,但需要冷却以降低暗电流。使用该二极管可获得非常低的超额噪声。 [2] 

    基本介绍与基本型号的应用范围

    每个模块包括一个光电探测器(快速光电二极管或雪崩光电二极管)和一个互阻抗放大器。同一封装中兼备放大器和光探测器,使其环境噪声更低,寄生电容更小。

    C30659 系列模块包括一个连接到低噪声互阻抗放大器的APD。有4种型号使用硅晶体雪崩光电二极管和2 种型号铟镓砷雪崩光电二极管可选择。50 兆赫和200 兆赫的标准频带宽度可以适应大范围应用。另有两种C30659 型号的雪崩光电二极管配置热电制冷(LLAM 系列),帮助改善噪音或保持雪崩光电二极管在任何环境温度下恒温工作。

    C30659 型号可以根据特殊应用需要,选择一种定制频带宽度或适合特殊环境要求的定制产品。另有一种带尾纤封装14 插脚双列直插式插件,可以达到几乎100 %耦合效率。

    C30950EH是可以替代C30659 的低成本型产品。放大器用来抵消电压增益放大器的输入电容。C30919E 与C30950EH 使用相同设计结构,多了一个高压温度补偿电路以保持模块在宽温度范围内的响应性常数。另两种HUV 模块可用于低频高增益应用,它涵盖了从紫外线到接近红外线的广谱范围。

    特点和优点

    · 超低噪声· 高速· 高互阻抗增益

    PN结

    采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结(英语:PN junction)。PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管双极性晶体管的物质基础。

    原理

    杂质半导体

    N型半导体(N为Negative的字头,由于电子带负电荷而得此名):掺入少量杂质磷元素(或锑元素)的硅晶体(或锗晶体)中,由于半导体原子(如硅原子)被杂质原子取代,磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键,多出的一个电子几乎不受束缚,较为容易地成为自由电子。于是,N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体,其导电性主要是因为自由电子导电。  

    P型半导体(P为Positive的字头,由于空穴带正电而得此名):掺入少量杂质硼元素(或铟元素)的硅晶体(或锗晶体)中,由于半导体原子(如硅原子)被杂质原子取代,硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候,会产生一个“空穴”,这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”,使得硼原子成为带负电的离子。这样,这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”(“相当于”正电荷),成为能够导电的物质。  

    PN结的形成

    PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的,其接触界面称为冶金结界面。  

    在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。

    在P型半导体和N型半导体结合后,由于N型区内自由电子为多子,空穴几乎为零称为少子,而P型区内空穴为多子,自由电子为少子,在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因,有一些电子从N型区向P型区扩散,也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴,留下了带负电的杂质离子,N区一边失去电子,留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动,因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近,形成了一个空间电荷区,空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。

    在空间电荷区形成后,由于正负电荷之间的相互作用,在空间电荷区形成了内电场,其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然,这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反,阻止扩散。

    另一方面,这个电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂移,使P区的少数载流子电子向N区漂移,漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴,从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子,这就使空间电荷减少,内电场减弱。因此,漂移运动的结果是使空间电荷区变窄,扩散运动加强。

    最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧,留下离子薄层,这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区,由于缺少多子,所以也称耗尽层。 

    特性

    特性概述

    从PN结的形成原理可以看出,要想让PN结导通形成电流,必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。很显然,给它加一个反方向的更大的电场,即P区接外加电源的正极,N区接负极,就可以抵消其内部自建电场,使载流子可以继续运动,从而形成线性的正向电流。而外加反向电压则相当于内建电场的阻力更大,PN结不能导通,仅有极微弱的反向电流(由少数载流子的漂移运动形成,因少子数量有限,电流饱和)。当反向电压增大至某一数值时,因少子的数量和能量都增大,会碰撞破坏内部的共价键,使原来被束缚的电子和空穴被释放出来,不断增大电流,最终PN结将被击穿(变为导体)损坏,反向电流急剧增大。

    反向击穿性

    PN结加反向电压时,空间电荷区变宽,区中电场增强。反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流,则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种,即隧道击穿(也叫齐纳击穿)和雪崩击穿,前者击穿电压小于6V,有负的温度系数,后者击穿电压大于6V,有正的温度系数。

    雪崩击穿:阻挡层中的载流子漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定程度时,其动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来,产生自由电子—空穴对,新产生的载流子在强电场作用下,再去碰撞其它中性原子,又产生新的自由电子—空穴对,如此连锁反应,使阻挡层中的载流子数量急剧增加,象雪崩一样。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中,阻挡层宽,碰撞电离的机会较多,雪崩击穿的击穿电压高。

    齐纳击穿:齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高,PN结很窄,这样即使施加较小的反向电压(5V以下),结层中的电场却很强(可达2.5×105V/m左右)。在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来,形成"电子一空穴对",从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下,形成很大的反向电流,出现了击穿。显然,齐纳击穿的物理本质是场致电离。  

    采取适当的掺杂工艺,将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8~1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5~8V之间两种击穿可能同时发生。

    热电击穿:当pn结施加反向电压时,流过pn结的反向电流要引起热损耗。反向电压逐渐增大时,对于一定的反向电流所损耗的功率也增大,这将产生大量热量。如果没有良好的散热条件使这些热能及时传递出去,则将引起结温上升。这种由于热不稳定性引起的击穿,称为热电击穿。

    击穿电压的温度特性:温度升高后,晶格振动加剧,致使载流子运动的平 均自由路程缩短,碰撞前动能减小,必须加大反向电压才能发生雪崩击穿具有正的温度系数,但温度升高,共价键中的价电子能量状态高,从而齐纳击穿电压随温度升高而降低,具有负的温度系数。

    单向导电性

    (1)PN结加正向电压时导通

    如果电源的正极接P区,负极接N区,外加的正向电压有一部分降落在PN结区,PN结处于正向偏置。电流便从P型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,电流可以顺利通过,方向与PN结内电场方向相反,削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱,扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流,可忽略漂移电流的影响,PN结呈现低阻性。  

    (2)PN结加反向电压时截止

    如果电源的正极接N区,负极接P区,外加的反向电压有一部分降落在PN结区,PN结处于反向偏置。则空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过,方向与PN结内电场方向相同,加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强,扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流,可忽略扩散电流,PN结呈现高阻性。

    在一定的温度条件下,由本征激发决定的少子浓度是一定的,故少子形成的漂移电流是恒定的,基本上与所加反向电压的大小无关,这个电流也称为反向饱和电流。  

    PN结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流;PN结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论:PN结具有单向导电性。 

    伏安特性

     电容特性

    PN结加反向电压时,空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的电容量随外加电压改变,主要有势垒电容(CB)和扩散电容(CD)。势垒电容和扩散电容均是非线性电容。

    势垒电容:势垒电容是由空间电荷区离子薄层形成的。当外加电压使PN结上压降发生变化时,离子薄层的厚度也相应地随之改变,这相当PN结中存储的电荷量也随之变化。势垒区类似平板电容器,其交界两侧存储着数值相等极性相反的离子电荷,电荷量随外加电压而变化,称为势垒电容,用CB表示在PN结反偏时结电阻很大,CB的作用不能忽视,特别是在高频时,它对电路有较大的影响。   

    CB不是恒值,而是随V而变化,利用该特性可制作变容二极管。

    PN结有突变结和缓变结,现考虑突变结情况,PN结相当于平板电容器,虽然外加电场会使势垒区变宽或变窄 但这个变化比较小可以忽略,已知动态平衡下阻挡层的宽度L0

    扩散电容:PN结正向导电时,多子扩散到对方区域后,在PN结边界上积累,并有一定的浓度分布。积累的电荷量随外加电压的变化而变化,当PN结正向电压加大时,正向电流随着加大,这就要求有更多的载流子积累起来以满足电流加大的要求;而当正向电压减小时,正向电流减小,积累在P区的电子或N区的空穴就要相对减小,这样,当外加电压变化时,有载流子向PN结“充入”和“放出”。PN结的扩散电容CD描述了积累在P区的电子或N区的空穴随外加电压的变化的电容效应。  

    因PN结正偏时,由N区扩散到P区的电子,与外电源提供的空穴相复合,形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近,形成一定的多子浓度梯度分布曲线。反之,由P区扩散到N区的空穴,在N区内也形成类似的浓度梯度分布曲线。扩散电容的示意图如右图所示。

    CD是非线性电容,PN结正偏时,CD较大,反偏时载流子数目很少,因此反偏时扩散电容数值很小。一般可以忽略。

    PN结电容:PN结的总电容Cj为CT和CD两者之和Cj = CT+CD ,外加正向电 压CD很大, Cj以扩散电容为主(几十pF到几千pF) ,外加反向电压CD趋于零,Cj以势垒电容为主(几pF到几十pF到)。

    应用

    根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管,利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管;利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管;利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管半导体发光二极管;利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器;利用光生伏特效应可制成太阳电池。此外,利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大,振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心,是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。

    稳压二极管

    PN结一旦击穿后,尽管反向电流急剧变化,但其端电压几 乎不变(近似为VBR,只要限制它的反向电流,PN结 就不会烧坏,利用这一特性可制成稳压二极管,其电路符号及伏安特性如上图所示:其主要参数有: VZ 、 Izmin 、 Iz 、 Izmax。

    变容二极管

    PN结反偏时,反向电流很小,近似开路,因此是一个主要由势垒电容构成的较理想的电容器件,且其增量电容值随外加电压而变化 利用该特性可制作变容二极管,变容二极管在非线性电路中应用较广泛, 如压控振荡器、频率调制等。  

    发展过程

    1935年后贝尔实验室的一批科学家转向研究Si材料,1940年,用真空熔炼方法拉制出多晶Si棒并且掌握了掺入Ⅲ、Ⅴ族杂质元素来制造P型和N型多晶Si的技术。还用生长过程中掺杂的方法制造出第一个Si的PN结,发现了Si中杂质元素的分凝现象,以及施主和受主杂质的补偿作用。 

    1948年,威廉·肖克利的论文《半导体中的P-N结和P-N结型晶体管的理论》发表于贝尔实验室内部刊物。

    制造工艺

    PN结是构成各种半导体器件的基础。制造PN结的方法有:

    制造异质结通常采用外延生长法。

    (1)外延方法:突变PN结;

    (2)扩散方法:缓变PN结;

    (3)离子注入方法:介于突变结与缓变结之间;  

    PN 结的击穿机理

    PN 结构成了几乎所有半导体功率器件的基础,常用的半导体功率器件如DMOS,IGBT,SCR 等的反向阻断能力都直接取决于 PN 结的击穿电压,因此,PN 结反向阻断特性的优劣直接决定了半导体功率器件的可靠性及适用范围。在 PN结两边掺杂浓度为固定值的条件下,一般认为除 super junction 之外平行平面结的击穿电压在所有平面结中具有最高的击穿电压。实际的功率半导体器件的制造过程一般会在 PN 结的边缘引入球面或柱面边界,该边界位置的击穿电压低于平行平面结的击穿电压,使功率半导体器件的击穿电压降低。由此产生了一系列的结终端技术来消除或减弱球面结或柱面结的曲率效应,使实际制造出的 PN 结的击穿电压接近或等于理想的平行平面结击穿电压。 

    当 PN 结的反向偏压较高时,会发生由于碰撞电离引发的电击穿,即雪崩击穿。存在于半导体晶体中的自由载流子在耗尽区内建电场的作用下被加速其能量不断增加,直到与半导体晶格发生碰撞,碰撞过程释放的能量可能使价键断开产生新的电子空穴对。新的电子空穴对又分别被加速与晶格发生碰撞,如果平均每个电子(或空穴)在经过耗尽区的过程中可以产生大于 1 对的电子空穴对,那么该过程可以不断被加强,最终达到耗尽区载流子数目激增,PN 结发生雪崩击穿。

    NFC

    近距离无线通讯技术

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