模拟电路基础第一章（二极管、三极管、MOS管的原理）

一、二极管的工作原理

二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。它具有单向导电性能，即给二极管阳极加上正向电压时，二极管导通。当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。

由浓度差引起的运动叫做扩散运动-多子，由电场力引起的运动叫做漂移运动-少子

在没有外加偏置电压时，扩散运动与漂移运动处于动态平衡

加上正向偏置电压后，中间的耗尽层减小，此时扩散运动大于漂移运动，二极管导通，否则中间耗尽层增大，二极管不导电。

 二极管的正向压降一般为0.3V或者0.7V。此外，二极管反接还可以当作稳压二极管使用，此时二极管的反向电压恒定。

二、三极管的工作原理

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor）（空穴、自由电子）、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

一般根据箭头的指向，来判断三极管时NPN型还是PNP型，箭头都是由P指向N。

以共射级三极管放大电路为例：

 可以把两个PN结理解为两道阻碍自由电子运动的河流，发射极为自由电子的“源头”，集电极为一个“抽水泵”，在源源不断的抽取电子，所以当集电极的外加电压足够大时，即集电结CB反偏（Uc>Ub），发射结BE正偏（Ub>Ue）是，电流  Ic=βIb。下图为共射级三极管的伏安特性曲线：

输入曲线与二极管基本一致，输出曲线有三个工作区，分别为饱和区（两个结均正偏）、截止区（发射结反偏或者不导通）、放大区（发射结正偏、集电结反偏）。 可见三极管是电流控制元件。这导致了三极管不可能称为集成电路的基本元件，因为即使元件的控制电流会消耗很大的功率，产生很大的热量。

三、MOS管的工作原理

场效应晶体管（Field Effect Transistor）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。通常将衬底和源极接在一起使用，以金属绝缘栅型MOS管为例：

当Uds=0且Ugs>0时，由于Si02的存在，栅极电流为零。但是栅极金属层将聚集正电荷，它们排斥P型衬底靠近Si02一侧的空穴，使之剩下不能移动的负离子区，形成耗尽层，如图1.4.8（a）所示。当Ugs增大时，一方面耗尽层增宽，另一方面将衬底的自由电子吸引到耗尽层与绝缘层之间，形成一个N型薄层，称为反型层，所示。这个反型层就构成了漏-源之间的导电沟道。使沟道刚刚形成的栅-源电压称为开启电压Ugs（t）。Ugs愈大，反型层愈厚，导电沟道电阻愈小。 

 

MOS管的输入输出曲线：可以看到MOS管的输出曲线也有三个区，分别为可变电阻区、恒流区和夹断区。可变电阻区相当与一个Ugs控制的压控电阻。