小童学习MOS管

前言

在数字电路的学习中，我们一定会常常遇到MOS管这个小东西，在芯片级的IC电路中MOS管也是占了相当大的比重，在板极电路中，我们也常常会用到MOS管来达到想要的功能。所以，对MOS管特性，功能的学习也显得相当重要。

一、源级(S)、栅极(G)、漏极(D)三个级怎么判定

二、N沟道与P沟道的判定

也可以用下面这个方法来记忆：
Negative：消极的内向的，所以箭头很内向的往内
Positive：积极的外向的，所以箭头很外向的往外

三、寄生二极管的方向如何判定

有一个更形象的判断方法，那就是，寄生二极管的方向与箭头那根线的方向保持一致。

四、MOS管作为开关的时候在电路中的连接方法

低电平的那一方永远是输出端，高电平的那一方永远是输入端。
电流流向永远是从输入端流向输出端。

Q:那推挽输出的时候，底下那个NMOS的接地的S居然是输出端？难道不正是它使得输出变为地的吗，从因果上讲不是它是输入吗？
A:是的，所以NMOS导通时，输出端的电流会从NMOS的D极流到S极也就是流进GND里，在这个场景下，S可以说是电流的输出端，这就是所谓灌电流；当PMOS导通时，D端流向S端流出去，所以这就是拉电流。

五、MOS管的导通条件及常用用法

通过NMOS和PMOS管导通时的电流方向可以看得出来：(电流从高电位往低电位流)
1、NMOS一般S极接低电平(常接GND)，且栅极是高电平导通，VG-VS>Vt(Vt>0)为导通条件，栅极低电平断开，一般控制与地之间的导通(S极接GND)。
2、PMOS一般S极是接高电平(常接VDD)，且栅极是低电平导通，VG-VS<-Vt(Vt>0)为导通条件，栅极高电平断开，一般控制与电源之间的导通(S极接VDD)

六、寄生二极管的存在与作用

这个寄生二极管是MOS管工艺必然产生的。且正常导通状态下，电流方向一定与二极管方向相反，因为如果二极管正常不能阻断电流，那用栅极去控制通断就没有意义了，电流 从二极管那里就可以流通了。栅极G在给定正确的电压之后，就相当于桥梁，连接了D端与S端。
寄生二极管的作用：
①防止在VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过呀对MOS管造成损害之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。
②MOS管接反时，二极管导通，避免烧坏MOS管。也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。

七、MOS管栅极的串联电阻

我们知道，MOSFET器件是电压控制器件，与双极性三极管不同的是，MOSFET管的导通只需要控制栅极的电压即可，不需要栅极电流。所以理论上，MOS管工作室栅极上无需串联任何电阻。
从一方面，考虑到MOS管栅极存在的寄生电容，为了加快MOS管导通和截止的速度，降低MOS管在导通和截止过程中的损耗，它的栅极上的等效电阻应该越小越好。栅极串联的这个电阻存在会延长MOS导通和截止的时间，增加无谓的损耗。
从另一方面，为了防止MOSFET开关过程中产生震荡波形，这不仅会增加MOSFET开关损耗，如果震荡过大，还会引起MOS管被击穿，我们需要在栅极串联一个电阻。
下图是在英飞凌半导体工作给出的功率MOS管栅极串联电阻对于消除开关震荡所起到的真正作用。

在功率MOS管的驱动电路回路中，会存在着各种分布电感Lp，他们与MOSFET的Cgd, Cge会形成谐振电路。它们会对开关驱动信号中的高频谐波分量产生谐振，近而引起功率管输出电压的波动。在MOS管的栅极串联电阻RG，可以增大MOS管驱动回路中的损耗，降低谐振回路的Q值，使得电感，电容谐振现象尽快衰减。
所以，在MOS管栅极上所串联的电阻需要根据具体的MOS管和电路分布杂散电感来确定，如果它的取值小了，就会引起输出振铃，如果大了就会增加MOS管的开关过渡时间，从而增加功耗。这其中存在一个最佳串联电阻RG，使得驱动回路恰好处在临界阻尼状态，此时MOS管驱动信号处在小的震荡和快速开关状态的折中。因此，RG应该与MOSFET驱动回路的分布电感和它的杂散电容有关。因此它不是一个固定值，需要根据实验来确定。有说法是可以选择4.7欧姆至100欧姆的数值，具体数值根据实际PCB布线，使用的MOS管Qg，Cgd参数，MOS驱动电路类型来综合决定。以不出现开关振铃，又尽量缩短开关时间为佳。
在我们实验室的一次电路评审中，导师提出一个改进，让设计者把一个mos管的栅极电阻从100Ω改成1kΩ，说出于限流的考虑，防止大电流流入栅极烧坏mos管，真的需要限流吗？

八、栅极与源极之间的电阻

在MOS管应用过程中，我们常常会看到栅极G与源极S也会并联一个电阻，起到什么作用呢？

①提供偏置电压，通过R3与R4分压得到偏置电压，这个很好理解。
②起到泄放电阻的作用，保护栅极G与源极S：我们知道MOS管的G-S间的阻抗是很大的，这样 只要当G-S脚有少量的静电，有一点的电流流过，G-S极间的等效电容两端就会产生很高的电压，因为大阻抗再乘以电流就会有一个很大的电压，如果不快速地将这些ESD静电泄放掉，在结电容Cgs两端产生的高压就有可能使MOS管产生误动作，甚至有可能把管子的G-S极击穿，所以在栅极（G) 与 源极(S)之间加这个电阻，主要是把ESD静电泄放掉，从而起到保护这个MOS管的作用。

案例分析：
这个电路是一个图腾柱的推挽电路，作用是加速MOS管快速导通和关断。我们知道MOS管有一个米勒效应，为避免管子长时间停留在一个米勒平台上，所以我们要加速MOS管的导通与关断时间，从而减少开关的损耗。Q3、Q4是轮流导通的，MOS管的G极在不断地充电和放电状态，如果这个时候突然关闭电源，MOS管的栅极就可能有有两种情况发生：

第一种情况是，断电时栅源极刚好在放电状态，结电容Cgs没有电荷存储了，刚好电放完了；

另一种情况是，断电时栅源极(Vgs)刚好在充电状态，这时结电容Cgs它是有电荷的，并且电是充满的，如上图一所示。电源断开了，这时候Q1、Q2也都断开状态，都是没有电的。这个时候Vgs的电荷就没有释放的回路，这个电荷一直存在这里，并且能保持很长的一段时间，建立MOS管导通条件并没有消失，相当于关机的时候Vgs一直是有电压存在的。这样再次开机瞬间，由于激励信号还没有建立，而开机瞬间MOS管的漏极（D极)供电随机提供，在导电沟道的作用下，MOS管立刻产生不受控的巨大漏极（D极）电流Id，可能会引起MOS管烧坏，这种情况不是我们想要的。

所以，为了避免此现象的产生，所以在在MOS管的GS之前并接一颗泄放的电阻R4，如上图，关机后结电容Cgs存储的电压通过这个电阻R4对GND迅速释放。一般这个电阻的阻值不可以取太大，太大了放电就比较慢，为为保证电荷的迅速释放，一般取5K至数10K左右。

九、MOS管的那些事

MOS管中的氧化物O是的是SiO2，SiO2不导电，所以驱动极栅极G基本不走电流，所以MOS管是一个电压驱动型元件，且因此功耗比较低。