硬件之光实战篇--MOSFET

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大家好，本篇结合所学分享下MOSFET相关知识，希望大家能够不吝赐教。

1、定义：MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。有3个极，分别为G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。

2、分类：

2.1 按导电沟道类型可分为P沟道和N沟道。

2.2 按栅极电压幅值可分为：耗尽型-当栅极电压为零时，漏源极之间就存在导电沟道;增强型-对于N(P)沟道器件，栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。

3、DS极导通条件

3.1 NMOS导通条件：是通过其阀值电压UGS（UGS>0）来控制的，一般每个不同MOSFET的规格书（datasheet）里面都会有一个阀值电压值UGS(th)。

N沟道：UG> US且UGS> UGS(th)。

需要补充的是：

3.1.1 当UGS＞0V时，N_MOSFET开始导通，DS两端开始有电流流过（D端输入，S端输出）；

3.1.2 当0<UGS<UGS(th)时，N_MOSFET导通角逐渐增大，DS两端流过的电流也随之逐渐增大（这里可以称之为可变电阻区或者放大区）；

3.1.3 当UGS(th)<UGS时，N_MOSFET完全导通，DS两端流过的电流恒定不变（这里可以称之为恒流区或者饱和导通区）

3.2 PMOS导通条件：也是通过其阀值电压UGS（UGS<0）来控制的。

P沟道：UG< US且UGS< UGS(th)或|UGS|＞|UGS(th)|。

需要补充的是：

 3.2.1 当UGS<0时，PMOS开始导通，DS两端开始有电流流过（S端输入，D端输出）；

3.2.2 当UGS<UGS(th)时，P_MOSFET完全导通，DS两端流过的电流恒定不变；

3.2.3 当UGS(th)<UGS<0时，P_MOSFET导通角逐渐增大，DS两端流过的电流也随之逐渐增大。

4、开启特征

MOS管规格书中的阈值电压VGS(th)并不等于MOS管的开启电压，而MOS管完全开启的电压实际是定义 Rdson的电压，如下表VGS(th)是1.8V，而VGS(on)在4.5V以上，在应用中必须理解开启电压的特点，否则 MOS管不能完全开启，导致发热烧毁。

5、典型电路

在上下电或时序控制中，MOS管可以很方便的用作开关元件，如上为MOS管用作开关控制的典型电路， 其中左图为控制VCC端的应用，需要使用P管，右图为控制GND端的应用，需要使用N管。其区别是基于MOS 管的内部结构和驱动电压造成的。

该电路应用要点：

• 控制电源需要用P-MOS管，控制GND需要用N-MOS管，使用中 这两种型号的管子不能互换；
• 应用于电源上下电控制中，也可用于单板电源上电时序控制，以及缓启动控制；
• 应用中需要关注驱动电压足以打开MOS管，特别是低压场景；
• MOS的VDS和VGS对电压有限制，过大有可能会损坏或烧掉 MOSFET，可以在VGS端增加稳压管。 

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以上简单对MOSFET做个了解，具体情况还要结合线路及Datasheet实际判断。

另外大家可以搜索一些视频案例，会更加形象解释MOSFET工作原理，也能加深记忆。

欢迎讨论，谢谢大家！