驱动电路的设计

采用驱动芯片EG2104来驱动MOS管。

图 3.6 驱动电路

如图3.6是驱动电路原理图，EG2104 是一款高性价比的带SD死区功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片。内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。C6是滤波电容，减小供电电源的杂波，D9为自举二极管，C9为自举电容，R6,R14是驱动电阻，D14,D15是防止关断时MOS存储能量的寄生电容放电导致MOS管误导通的一个放电回路。接下来说明下驱动电阻的如何取值，这关系到MOS的驱动能否正常。

驱动电阻的下限计算原则，驱动电阻必须在驱动回路中提供足够的阻尼，来阻尼MOS开通瞬间驱动电流的震荡。

注1：图中的Rpd为mos管栅源极的下拉电阻，其作用是为了给mos管栅极积累的电荷提供泄放回路，一般取值在10k~几十k这一数量级。由于该电阻阻值较大，对于mos管的开关瞬态工作情况基本没有影响，因此在后文分析mos的开关瞬态时，均忽略Rpd的影响。

注2: Cgd，Cgs，Cds为mos管的三个寄生电容，在考虑mos管开关瞬态时，这三个电容的影响至关重要。

图 3.7

        图 3.7中红线为MOS管开通时的驱动电流流动方向，当MOS管开通瞬间，VCC通过驱动电阻给Cgs充电，如图3-2所示（忽略Rpd的影响）。由图3-2，可写出回路在S域内对应的方程：

  （1）

由（1）式可求解出ig，并将其化为典型二阶系统的形式

（2）

根据（2）式，可以求解出二阶系统的阻尼比为

    （3）

为了保证驱动电流ig不发生震荡，该系统的阻尼比必须大于1，则根据(3)可以求解得到:

 （4）

式(4)给出了驱动电阻Rg的下限值，式(4)中Cgs为mos管gs的寄生电容，其值可以在mos管对应的datasheet中查到。Lk是取动回路的感抗，一般包含m0S管引脚的感抗，PCB走线的感抗，驱动成片引脚的感抗等，其精确的教值往难以确定，但数量级一般在几十H左右。因此在实际设计时，一般先根据式(4)计算出R下限值的一个大概范围，然后再通过实际实验以驱动电流不发生震荡作为临界条件，得出Rg下限值。

驱动电阻的上限值

驱动电阻上限值的计算原则为：防止mos管关断时产生很大的dV/dt使得mos管再次误开通。当mos管关断时，其DS之间的电压从0上升到Vds(off)，因此有很大的dV/dt，根据公式：i=CdV/dt，该dV/dt会在Cgd上产生较大的电流igd，如图3.10所示。

图 3.8

图3.8中红线为MOS关断时米勒电容Cgd放电对应的电流的流动方向，电流igd会流过驱动电阻Rg，在mos管GS之间又引入一个电压，当该电压高于mos管的门槛电压Vth时mos管会误开通，为了防止mos管误开通，应当满足:

（5）

其中Vth为门槛电压。

由上式解得驱动电阻Rg的上限值：

         （6）

公式(6)给出了驱动电阻Rg的上限值，式(6)中Cgd为mos管gd的寄生电容，Vth为mos管的门槛电压，均可以在对应的datasheet中查到，dV/dt则可以根据电路实际工作时mos的DS电压和mos管关断时DS电压上升时间(该时间一般在datasheet中也能查到)求得

从上面的分析可以看到，在mos管关断时，为了防止误开通，应当尽量减小关断时驱动回路的阻抗。但实际使用时会在该电阻上反并联一个二极管来，使开关关断时产生的电流能从这个二极管回到地，此时MOS管的GS之间的电位会钳位在二极管的导通压降一般在0.7V左右，此二极管就是图3.6的D15。

综上所述一般驱动电阻取值范围在5~100Ω之间，又由于阻值越大损耗越大，所以本文设计取10Ω。