IPB80N08S4-06 | 80V, N-Ch, 5.5 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK,

特征描述

• N 通道 - 增强模式
• AEC 101 认证
• MSL1 峰值回流温度高达 260°C
• 175°C 的工作温度
• 环保产品（符合 RoHS ）
• 100% 经过雪崩测试

Parametrics

Parametrics	IPB80N08S4-06
ID (@25°C)   max	80.0 A
IDpuls   max	320.0 A
Ptot   max	150.0 W
Package	D2PAK (PG-TO263-3)
Polarity	N
QG (typ @10V)   max	52.0 nC
RDS (on) (@10V)   max	5.5 mΩ
RthJC   max	1.0 K/W
Technology	OptiMOS™-T2
VDS   max	80.0 V
VGS(th)   min	2.0 V ; 4.0 V

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