IRF9310 -30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

指标参数

ParametricsIRF9310
ID (@25°C)   max-20.0 A
Moisture Sensitivity Level1
MountingSMD
Ptot (@ TA=25°C)   max2.5 W
PackageSO-8
PolarityP
QG (typ @4.5V)58.0 nC
Qgd28.0 nC
RDS (on) (@4.5V)   max6.8 mΩ
RDS (on) (@10V)   max4.6 mΩ
RthJA   max50.0 K/W
Tj   max150.0 °C
VDS   max-30.0 V
VGS(th)   min  max-1.8 V -1.3 V   -2.4 V
VGS   max20.0 V
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