IRFS3206 60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET

优势

• 优化分销合作伙伴的广泛可用性
• 根据 JEDEC 标准进行产品验证
• 针对10 V栅极驱动电压进行了优化（称为正常电平）
• 工业标准通表面安装功率封装
• 高电流承载能力封装（高达195A,芯片面积可变化）
• 可用于波焊

 

 

指标参数

Parametrics	IRFS3206
ID (@25°C)   max	210.0 A
Moisture Sensitivity Level	1
Mounting	SMD
Ptot   max	300.0 W
Package	D2PAK (TO-263)
Polarity	N
QG (typ @10V)	120.0 nC
Qgd	35.0 nC
RDS (on) (@10V)   max	3.0 mΩ
RthJC   max	0.5 K/W
Tj   max	175.0 °C
VDS   max	60.0 V
VGS(th)   min  max	3.0 V 2.0 V   4.0 V
VGS   max	20.0 V

文件