华邦存储芯片W25Q系列产品

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一：flash的基础知识：

1：W25QXXX系列是常见的外扩flash，可以拓展MCU芯片或者嵌入式系统的存储范围。

2：flash具有存取速度慢，容量大，掉电后数据不会丢失等特点，被广泛应用于嵌入式领域的相关存储。

3：flash的特性是，写数据只能将1写为0，0不能写为1。擦除数据是将所有数据都写为1。因此如果想在已经数据的flash上写入新的数据，则必须先擦除。

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二：flash的命名规则：

        常见的W25Q80，W25Q32，W25Q64等到底是什么意思呢？芯片命名后面的数字是存储芯片的容量。比如 16表示 16Mbit（2Mbyte），256表示 256Mbit （32Mbyte）。人们谈论外扩flash的大小时，会说多少M的外扩flash，所有可以根据外扩芯片的命名直接判断外扩flash的容量。

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三：flash的块/扇区/页关系

        对于flash内部的，块/扇区/页的关系总是会让人混淆，

        只需要记住：整个flash的大小称为一片。

        片下的单位为块，块的数量取决于存储芯片的命名。如W25Q32，其中32代表32Mbit。存储芯片的块数为2N。N为存储芯片的命名数字位。

        块下的单位为扇区，一块有16个扇区。

        扇区下的单位为片，一个扇区有16片。

        最小的单位为片：一片256字节。

        flash的块/扇区/页关系如下表所示：

每块	每扇区	每页
16个扇区	16页	256字节

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四：常用flash型号大小

常用flash型号大小如下图所示：

W25Q16	W25Q32	W25Q64
32块	64块	128块
512扇区	1024扇区	2048扇区
8192页	16384页	32768页

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五：其他类型存储器特点

    1.SRAM：静态随机存储器，存取速度快，但容量小，掉电后数据会丢失

    2.FLASH：闪存，存取速度慢，容量大，掉电后数据不会丢失

   3. DRAM：动态随机存储器，必须不断的重新的加强(REFRESHED) 电位差量，否则电位差将降低至无法有足够的能量表现每一个记忆单位处于何种状态。价格比 SRAM 便宜，但访问速度较慢，耗电量较大，常用作计算机的内存使用。

   4. SSRAM：即同步静态随机存取存储器。对于 SSRAM 的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。

  5.  SDRAM：即同步动态随机存取存储器。

  6.  EEPROM：掉电不丢失，只读存储器。