【二级运放】设计流程——Part1

已于 2024-03-25 16:00:59 修改
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分类专栏： IC 文章标签： 硬件工程
于 2024-03-25 03:00:00 首次发布
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版权
本文详细介绍了运放设计的关键步骤，包括设计流程、主要指标（如VDD、负载电容、功耗、增益、GBW等）、运放与比较器的区别，以及不同结构类型的运放选择。还涵盖了工艺库调研中需要注意的参数如MOS管特性、电阻精度和电容密度。
摘要由CSDN通过智能技术生成

课程大纲

Part 1：运放设计流程——运放指标——设计规格书——结构选取——工艺库调研

Part 2：运放原理讲解——参数计算

Part 3：前仿真（包括PVT）——调电路

Part 4：版图绘制

Part 5：后仿真、后方迭代

课程视频链接：https://www.bilibili.com/video/BV1ec41147e1/?share_source=copy_web&vd_source=d335450c318292424bfdfeaa0aa1bed3
 

一、运放设计流程

二、运放设计指标

1.电源电压 VDD

 VDD（PVT中的V，P：工艺，T：温度）

2.负载电容  C_{L}

跟后级负载有关，通常由设计指标直接确定。很多时候，运放式用来驱动后级Mos栅极。

不能空载仿真！

3.功耗

P=UI，也可用静态电流直接表示。

4.增益 A_{v}

又名低频增益、直流增益、开环直流增益。仿真方式有：ac仿真和stb仿真。在stb仿真时断开点一般在高阻节点。（stb仿真是什么？似乎是运放闭环时的一种仿真方式）

5.增益带宽积 GBW

 一定频率范围内，GBW为常数。（怎么理解？如图，在10HZ至10_{}^{7}HZ时，任意点增益×带宽都为10MHZ。）

单极点系统：增益带宽积=单位增益带宽。对于开环或闭环运放都满足公式：GBW=增益x频率。

6.相位裕度 PM

和零极点相关，和系统稳定性相关。相位裕度越大，系统响应速度越慢。一般PM取>60°

7.共模抑制比 CMRR

运算放大器差分输入增益与共模增益的比值：

CMRR=\frac{​{A_{v}} }{​{A_{CM}}}

8.电源抑制比 PSRR 与 电源抑制 PSR

1)电源抑制比

运放输入到输出的增益比电源到输出的增益：

PSRR=\frac{​{A_{v|v_{dd}=0}} }{​{A_{DD|v_{in}=0}}}

其中，Vdd与Vin等于0，指的是交流小信号为0，不是直流电平为0。

2)电源抑制

电源到输出的增益：

PSR=\frac{1 }{​{A_{SUPPLY}}}=\frac{1 }{​{A_{DD|v_{in}=0}}}

9.输入共模电压范围 ICMR

当共模电压超过一定值时，运放不能再对差模信号进行正常放大。

仿真方式：当运放负反馈，单位增益运放，对Vin进行扫描，Vout=Vin时所对应的Vin范围，为输入共模电压范围。

10.输出电压范围/输出摆幅

额定的电源电压和额定的负载情况霞，运放可提供的没有明显失真的最大输出电压范围。

仿真：输入共模电压所对应的输出电压。仿真方法同上。

10.压摆率/转换速率 SR

其定义是在1微秒时间里电压升高的幅度，输出电压变化的最快速率，单位为V/us。

大信号特性，衡量运放的大信号响应速度。只有当输入信号变化斜率的绝对值小于压摆率时，输出电压才能按线性规律变化。

对于以下电路，其压摆率为       \frac{ \Delta{V_{out}}}{ \Delta{t }}=\frac{ I_{SS} }{ C_{L} }

指标总结

功耗——性能——面积

三、运放和比较器区别

运放（闭环使用，反馈）

比较器（开环使用）

四、运放结构的选取

1.运放结构类型

            5OTA                                       套筒式共源共栅

折叠式共源共栅

5OTA：增益低，一般40dB

套筒式共源共栅：增益大，但 输出输入摆幅都较小，功耗比折叠式小

折叠式共源共栅：输入摆幅与输出摆幅虽然相较5OTA好，但难以满足现制定的指标。

        根据该指标最后决定用两级电路。

2.PMOS与NMOS输入管选择

五、工艺库调研

需要关注的指标

MOS管：耐压（Vgs和Vds）、gm、Vth、最小L、Un*Cox等

I_{D}=\frac{1}{2}\mu _{n}C _{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH})^{2}(1+\lambda V_{DS})

电阻：方阻。例如，对于米勒补偿的电阻，希望其精度高，则方阻小。对于精度要求不高，可以选择方阻大的电阻。

电容：密度。mom电容与mim电容。mom密度小，精度高。

其他：BJT、二极管等也要关注耐压等。

七披萨
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