课程大纲
Part 1:运放设计流程——运放指标——设计规格书——结构选取——工艺库调研
Part 2:运放原理讲解——参数计算
Part 3:前仿真(包括PVT)——调电路
Part 4:版图绘制
Part 5:后仿真、后方迭代
目录
一、运放设计流程
二、运放设计指标
1.电源电压 VDD
VDD(PVT中的V,P:工艺,T:温度)
2.负载电容 ![C_{L}](https://latex.csdn.net/eq?C_%7BL%7D)
跟后级负载有关,通常由设计指标直接确定。很多时候,运放式用来驱动后级Mos栅极。
不能空载仿真!
3.功耗
P=UI,也可用静态电流直接表示。
4.增益 ![A_{v}](https://latex.csdn.net/eq?A_%7Bv%7D)
又名低频增益、直流增益、开环直流增益。仿真方式有:ac仿真和stb仿真。在stb仿真时断开点一般在高阻节点。(stb仿真是什么?似乎是运放闭环时的一种仿真方式)
5.增益带宽积 GBW
一定频率范围内,GBW为常数。(怎么理解?如图,在10HZ至HZ时,任意点增益×带宽都为10MHZ。)
单极点系统:增益带宽积=单位增益带宽。对于开环或闭环运放都满足公式:GBW=增益x频率。
6.相位裕度 PM
和零极点相关,和系统稳定性相关。相位裕度越大,系统响应速度越慢。一般PM取>60°
7.共模抑制比 CMRR
运算放大器差分输入增益与共模增益的比值:
8.电源抑制比 PSRR 与 电源抑制 PSR
1)电源抑制比
运放输入到输出的增益比电源到输出的增益:
其中,Vdd与Vin等于0,指的是交流小信号为0,不是直流电平为0。
2)电源抑制
电源到输出的增益:
9.输入共模电压范围 ICMR
当共模电压超过一定值时,运放不能再对差模信号进行正常放大。
仿真方式:当运放负反馈,单位增益运放,对Vin进行扫描,Vout=Vin时所对应的Vin范围,为输入共模电压范围。
10.输出电压范围/输出摆幅
额定的电源电压和额定的负载情况霞,运放可提供的没有明显失真的最大输出电压范围。
仿真:输入共模电压所对应的输出电压。仿真方法同上。
10.压摆率/转换速率 SR
其定义是在1微秒时间里电压升高的幅度,输出电压变化的最快速率,单位为V/us。
大信号特性,衡量运放的大信号响应速度。只有当输入信号变化斜率的绝对值小于压摆率时,输出电压才能按线性规律变化。
对于以下电路,其压摆率为
指标总结
功耗——性能——面积
三、运放和比较器区别
运放(闭环使用,反馈)
比较器(开环使用)
四、运放结构的选取
1.运放结构类型
5OTA 套筒式共源共栅
折叠式共源共栅
5OTA:增益低,一般40dB
套筒式共源共栅:增益大,但 输出输入摆幅都较小,功耗比折叠式小
折叠式共源共栅:输入摆幅与输出摆幅虽然相较5OTA好,但难以满足现制定的指标。
根据该指标最后决定用两级电路。
2.PMOS与NMOS输入管选择
五、工艺库调研
需要关注的指标
MOS管:耐压(Vgs和Vds)、gm、Vth、最小L、Un*Cox等
电阻:方阻。例如,对于米勒补偿的电阻,希望其精度高,则方阻小。对于精度要求不高,可以选择方阻大的电阻。
电容:密度。mom电容与mim电容。mom密度小,精度高。
其他:BJT、二极管等也要关注耐压等。