第七课存储器

最新推荐文章于 2024-06-12 10:00:23 发布

小罗丁丁

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分类专栏：计算机组成原理文章标签：算法 java 数据结构

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定义

存储器(Memory )由一定数量的单元【一个单元往往存储的是一个字节】构成，每个单元可以被唯一标识，每个单元都有存储一个数值的能力

址：单元的唯一标识符（采用二进制)
地址空间：可唯一标识的单元总数
寻址能力∶存储在每个单元中的信息的位数，即内存中能被单独识别并独立存放一个数据的最小内存空间
- 大多数存储器是字节(8bit )寻址的，32位计算机的最大寻址空间为4GB [外链图片转存失败,源站可能有防盗链机制,建议将图片保存下来直接上传(img-FSE7jgOM-1677463894916)(null#card=math&code=2^{32}&id=fQbSc)] = [外链图片转存失败,源站可能有防盗链机制,建议将图片保存下来直接上传(img-DjwGXIEI-1677463894906)(null#card=math&code=4GB&id=ItdrJ)]。

存储器层次结构

层次结构的原因：在成本的限制下，达到容量和速度的兼容。

半导体存储器

双稳态：没有外部信号，会保持目前所处的状态
单稳态：只能处于一种状态，给予一种刺激由0变为1后，会慢慢变为0 – 类似弹簧

类型

介质：半导体

U盘属于快闪存储器flash的一种
易失性：断电后数据是否能够保存

读写存储器

随机存取存储器 RAM

反面：顺序存储器-磁带。需要倒带到特定顺序才能播放
随机不是代表位置的存取是随机的，而是代表时间是相同的

SRAM

写0操作
写0的时候，首先将BL输入0电平，（～BL）输入1电平。
然后，相应的Word Line（WL）选通，则M5和M6将会被打开。
0电平（来自BL）输入到M1和M2的G极控制端
1电平（来自~BL）输入到M3和M4的G极控制端
因为M2是P型管，高电平截止，低电平导通。而M1则相反，高电平导通，低电平截止。
所以在0电平的作用下，M1将截止，M2将打开。（～Q)点将会稳定在高电平。
同样，M3和M4的控制端将会输入高电平，因NP管不同，M3将会导通，而M4将会截止。Q点将会稳定在低电平0。
最后，关闭M5和M6，内部M1,M2,M3和M4处在稳定状态，一个bit为0的数据就被锁存住了。
此时，在外部VDD不断电的情况下，这个内容将会一直保持。

DRAM

其写操作相对简单：（我们以写1为例）
当需要写1的时候，先将BL（Bit Line）输入高电平1，然后选中对应的Word Line（同一时间将只有一根WL被选中）, 打开相应的MOS管，如图中所示3号位。此时，外部驱动能力很强，通过一定的时间，4号位的电容将会被充满。此时，关闭3号位的MOS管。内容1将在一定时间内被保存在4号位的电容中。写0的操作与之相反，不同的是将4号位电容中的电荷通过Bit Line放光。然后关闭3号位的MOS管，锁存相应数据。
而读操作相对来说，较为复杂。我们可以观察到4号位电容非常小，只有pF级别，而Bit Line往往都很长，上面挂了非常多个存储单元（cell），我们可以通过5号位的电容来表示。所以当我们直接把3号位的MOS管打开，Bit Line上将基本看不到什么变化，所以需要刷新放大器

对比

因为是双稳态触发器，所以不需要刷新
L3是共享的缓存
SRAM常用做CPU中的高速处理器
图中黑色方块为DRAM中的芯片，存储阵列。能够拥有比较大的存储空间

SRAM和DRAM的区别

SRAM成本比较高（6 个场效应管组成一个存储单元）DRAM成本较低（1个场效应管加一个电容）
SRAM存取速度比较快 DRAM存取速度较慢（电容充放电时间）
SRAM一般用在高速缓存中 DRAM一般用在内存条里

动态存储器的定期刷新：在不进行读写操作时，DRAM 存储器的各单元处于断电状态，由于漏电的存在，保存在电容CS 上的电荷会慢慢地漏掉，为此必须定时予以补充，称为刷新操作

只读存储器

只读存储器 ROM

好处：批量生产，能够节约成本—能达到一定的销售量

可编程ROM （PROM）

主要读的存储器

EPROM

缺点：

不精准。芯片级的擦除，一次照射，所有的位元都会清除。
擦除时间受玻璃材质影响大

EEPROM

DRAM比SRAM需要更多的引脚，拥有的内存更大
存储阵列所使用的线更少 44 VS 28

快闪存储器

从位元到主存

寻址单元

在寻址单元中放入多少个位元，称为寻址模式

存储阵列

对于100个寻址单元构成的存储阵列，1100需要100根线；1010只需要20根线
缓冲器：进行行地址和列地址的复用；在使用译码器进行解析
刷新计时器：内存主要由DRAM组成，由于电容的自然丢失，需要不断刷新

DRAM本身很大，引脚的使用量大，需要行列的复用
SRAM容量较小，不需要行列的复用

如何寻址：获得总线控制权

如何寻址：行访问

CPU获得总线的控制权，进行行的访问（行地址和列地址都是32位，不进行区分）
CPU发送地址
控制器进行分解
发出行地址

如何寻址：列访问

地址译码器

n位地址0101110……可以产生[外链图片转存失败,源站可能有防盗链机制,建议将图片保存下来直接上传(img-uXkJVd4j-1677463894927)(null#card=math&code=2^n&id=J97Zi)]种输出，每一种输出就是一个电信号，代表选中，从而实现选择

刷新

集中式刷新：在具体的时间内，逐行刷新，但是停止CPU的读写操作了，内存一会工作一会不工作
分散式刷新：将集中分散到每一次读写操作中。刷新的时间和集中式刷新是差不多的，因为电容的流失不至于太快。不会出现不可访问的阶段
异步刷新：只要电容在一定时间内刷新即可，不被访问就刷新，一直被访问就强制刷新。读一行，刷另外一行

芯片

对存储阵列进行封装

模块组织

将芯片组织起来

位扩展：寻址单元的个数没有变化，改变的是寻址单元内位元的个数/改变的是寻址模式
- 地址线决定的是有多少行、有多少列，此时不变
- 数据线的根数增加
字扩展：改变的是寻址单元的个数，不改变寻址单元内的位数
- 改变之前：如果行列复用，16k = 2^14需要7根地址线；改变后：64k = 2^16，需要8根地址线。地址线只多了一根，不复用的话多两根
字、位同时扩展：既增加寻址单元个数，也会增加寻址单元内的位数
- 复用多1根，不复用多2根