MOS 管损坏之谜,看完后疑惑终于解开了

 

避免 MOS 因为器件发热而造成的损坏,需要做好足够的散热设计。。若通过增散热器和电路板的长度来供所有 MOS 管散热,这样就会增加机箱的体积,同时这种散热结构,风量发散,散热效果不好。

 MOS 开关原理(简要):

 MOS 是电压驱动型器件,只要栅极和源级间给一个适当电压,源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为 MOS 内阻,就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了 MOS 芯片能承受的最大导通电流(当然和其它因素有关,最有关的是热阻),内阻越小承受电流越大(因为发热小)。

 MOS 管在控制器电路中的工作状态:

开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。

 MOS 管烧坏的原因主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在 MOS 承受规格之内, MOS 即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗,不同 MOS 这个差距可能很大。

 MOS 损坏主要原因:

过流:持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁watermark,type_d3F5LXplbmhlaQ,shadow_50,text_Q1NETiBAbTBfNjA0NDEzMDA=,size_20,color_FFFFFF,t_70,g_se,x_16

 

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