MOS管经常被烧坏,多半是这些原因

本文分析了MOS管烧毁的四个主要原因:过电压、过电流、击穿以及静电放电和高温。提供了解决策略,包括正确选择电压等级、处理电流负载、防止静电和改善散热。

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MOS管,即金属氧化物半导体场效应管,是电子电路中常见的重要元件,因此很多电子工程师会选择在电路板上使用MOS管,但在使用过程中经常会遇见MOS管莫名被烧毁的问题,这些问题是如何造成的?如何解决?今天凡亿教育细说下,希望对小伙伴们有所帮助。


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1、过电压

过电压是指电路中电压突然增加至远远超过功率MOS管承受范围的情况,电源电压异常、开关电路失效、电感和电容器反复开关时产生的反向电压等现象都会导致过电压的产生。

因为MOS管对电压的耐受性非常小,所以即使超出额定电压仅几纳秒,也很容易导致设备损坏,因此MOS管的额定电压应保守考虑预期的电压水平,并且需要注意抑制任何电压尖峰或振铃。


2、过电流

过电流是指:电路中电流突然增加至远远超过功率MOS管承受范围的情况,输出负载过大、开关电路失效、电感和电容器反复开关时产生的反响电流都会导致过电流的产生。

因为导通电阻相对较高,高平均电流会在MOS管中引起较大的热耗散,所以高电流且散热不良,MOS管将因高温而被烧坏,最佳解决方法是可直接并联方式以共享高负载电流。


3、击穿

击穿,也叫做交叉传导,当MOS管的输入电压过高或过低、负载过重、散热不良等情况,都会导致击穿现象的产生,它会使电流异常增加,导致其内部结构损坏,最终MOS管烧坏。


4、静电放电和高温

静电放电是指在MOS管与其他元件或人体之间发生的电荷交换现象,如果静电放电能量过大,会导致MOS管的击穿或损坏。

MOS管在高温环境下工作时,将降低其电性能,进而引起烧坏。同时,高温也会损坏MOS管的封装材料,导致漏电等问题。

因此,要保证焊接点的质量和稳定性。避免出现虚焊、冷焊等现象。也要关注散热问题,通过加装散热片、风扇等散热装置来降低高温问题。


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MOS在控制器电路中的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。MOS主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗,不同mos这个差距可能很大。   MOS损坏主要原因:过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而毁;过压----------源漏过压击穿、源栅极过压击穿;静电----------静电击穿,CMOS电路都怕静电;Mos开关原理(简要):Mos是电压驱动型器件,只要栅极和源级间给一个适当电压,源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为mos内阻,就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了mos芯片能承受的最大导通电流(当然和其它因素有关,最有关的是热阻),内阻越小承受电流越大(因为发热小)。Mos问题远没这么简单,麻烦在它的栅极和源级间,源级和漏级间,栅极和漏级间内部都有等效电容。所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程(电容电压不能突变),所以mos源级和漏级间由截止到导通的开通过程受栅极电容的充电过程制约。然而,这三个等效电容是构成串并联组合关系,它们相互影响,并不是独立的,如果独立的就很简单了。其中一个关键电容就是栅极和漏级间的电容Cgd,这个电容业界称为米勒电容。这个电容不是恒定的,随栅极和漏级间电压变化而迅速变化。这个米勒电容是栅极和源级电容充电的绊脚石,因为栅极给栅-源电容Cgs充电达到一个平台后,栅极的充电电流必须给米勒电容Cgd充电。这时栅极和源级间电压不再升高,达到一个平台,这个是米勒平台(米勒平台就是给Cgd充电的过程),米勒平台大家首先想到的麻烦就是米勒振荡。(即,栅极先给Cgs充电,到达一定平台后再给Cgd充电)。因为这个时候源级和漏级间电压迅速变化,内部电容相应迅速充放电,这些电流脉冲会导致mos寄生电感产生很大感抗。这里面就有电容、电感、电阻组成震荡电路(能形成2个回路),并且电流脉冲越强频率越高震荡幅度越大,所以最关键的问题就是这个米勒平台如何过渡。Gs极加电容,减慢mos管导通时间,有助于减小米勒振荡。防止mos毁。过快的充电会导致激烈的米勒震荡,但过慢的充电虽减小了震荡,但会延长开关从而增加开关损耗。Mos开通过程源级和漏级间等效电阻相当于从无穷大电阻到阻值很小的导通内阻(导通内阻一般低压mos只有几毫欧姆)的一个转变过程。比如一个mos最大电流100a,电池电压96v,在开通过程中,有那么一瞬间(刚进入米勒平台时)mos发热功率是P=V*I(此时电流已达最大,负载尚未跑起来,所有的功率都降落在MOS管上),P=96*100=9600w!这时它发热功率最大,然后发热功率迅速降低直到完全导通时功率变成100*100*0.003=30w(这里假设这个mos导通内阻3毫欧姆),开关过程中这个发热功率变化是惊人的。如果开通时间慢,意味着发热从9600w到30w过渡的慢,MOS结温会升高的厉害。所以开关越慢,结温越高,容易mos。为了不mos,只能降低mos限流或者降低电池电压。比如给它限制50a或电压降低一半成48v,这样开关发热损耗也降低了一半,不管子了。这也是高压控容易管子原因,高压控制器和低压的只有开关损耗不一样(开关损耗和电池端电压基本成正比,假设限流一样),导通损耗完全受mos内阻决定,和电池电压没任何关系。其实整个mos开通过程非常复杂。里面变量太多。总之就是开关慢不容易米勒震荡,但开关损耗大,管子发热大,开关速度快理论上开关损耗低(只要能有效抑制米勒震荡)。但是往往米勒震荡很厉害(如果米勒震荡很严重,可能在米勒平台就管子了),反而开关损耗也大,并且上臂mos震荡更有可能引起下臂mos误导通,形成上下臂短路。所以这个很考验设计师的驱动电路布线和主回路布线技能。最终就是找个平衡点(一般开通过程不超过1us)。开通损耗这个最简单,只和导通电阻成正比,想大电流低损耗找内阻低的。
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