BGO晶体的定义
锗酸铋(BGO)晶体,其化学分子式Bi4Ge3O12,常简称为BGO晶体,是一种人工合成的晶体,具有立方结构,无色透明不溶于水等特性。该晶体是一种综合性能优异的无机闪烁体,具有密度高(7.13g/cm3)、有效原子序数大(Zeff=83)、辐射阻止能力强(约2.5倍于NaI:Tl)、探测效率高、能量分辨好、本征峰/康比大、无发光自吸收、无余辉、物化性能稳定和机械加工性良好等突出优点,在高能物理、天体物理、核物理、核医学成像、地质勘探、石油测井领域具有广泛的应用,是一种已实现量产和规模化应用的重要闪烁晶体。
BGO晶体的分类
按照不同产品类型,BGO晶体主要可以分为提拉法和坩埚下降法两种
提拉法生长BGO晶体, 需要控制较慢的提拉速率和快的旋转速率, 这对于生长工业应用的大尺寸晶体是非常不利的。俄罗斯科学家发展了一种低温梯提拉生长技术, 成功生长出大尺寸、高质量的BGO晶体, 并在XCT上获得应用。
坩埚下降法又称布里奇曼晶体生长法。 一种常用的晶体生长方法。 晶体生长用的材料装在圆柱型的坩埚中,缓慢地下降,并通过一个具有一定温度梯度的加热炉,炉温控制在略高于材料的熔点附近。 根据材料的性质加热器件可以选用电阻炉或高频炉。我国科学家发明了BGO晶体的改进型坩埚下降法生长工艺, 生长的BGO晶体无论在尺寸上还是性能上都优于其它方法生长的晶体, 并具有一炉多产等技术优势, 逐渐取代了传统提拉法。