物联网ARM开发- 5协议 FSMC控制器外扩SRAM存储器

前言：STM32F407ZGT6 自带了 192K 字节的 SRAM，对一般应用来说，已经足够了，不过在一 些对内存要求高的场合，STM32F4 自带的这些内存就不够用了。比如跑算法或者跑 GUI 等， 就可能不太够用，所以探索者 STM32F4 开发板板载了一颗 1M 字节容量的 SRAM 芯片：XM8A51216，满足大内存使用的需求。

目录

一、常用存储器介绍

1、存储器的种类

2、RAM存储器

（1）DRAM

（2）SRAM

（3）对比DRAM与SRAM的应用场合

 3、非易失性存储器

（1）ROM存储器     

（2）FLASH存储器    

二、SRAM控制原理

1、SRAM简介

2、SRAM内部框图分析

（1）地址数据接口

（2）存储器矩阵

（3）SRAM的控制电路

（4）SRAM的读写时序

三、STM32-FSMC控制器介绍

1、FSMC简介         

（1）通讯引脚

（2）存储器控制器

（3）时钟控制逻辑

2、FSMC地址映射

3、FSMC时序控制

（1）FSMC读时序     

（2）FSMC写时序

四、FSMC外扩SRAM实例

1、实验简介：

2、硬件设计：

3、软件设计

4、实验效果

一、常用存储器介绍

1、存储器的种类

存储器是计算机结构的重要组成部分。存储器是用来存储程序代码和数据的部件，有了存储器计算机才具有记忆功能

2、RAM存储器

RAM：RAM是“Random Access Memory”的缩写，被译为随机存储器。所谓“随机存取”，指的是当存储器中的消息被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置无关。这个词的由来是因为早期计算机曾使用磁鼓作为存储器，磁鼓是顺序读写设备，而RAM可随读取其内部任意地址的数据，时间都是相同的，因此得名。        
实际上现在RAM已经专门用于指代作为计算机内存的易失性半导体存储器。
根据RAM的存储机制，又分为动态随机存储器DRAM(Dynamic RAM)以及静态随机存储器SRAM(Static RAM)两种。

（1）DRAM

DRAM的存储单元结构：   
动态随机存储器DRAM(Dynamic RAM)
动态刷新
动态随机存储器 DRAM的存储单元以电容的电荷来表示数据，有电荷代表 1，无电荷代表 0，，代表 1 的电容会放电，代表 0的电容会吸收电荷，因此它需要定期刷新操作，这就是“动态(Dynamic)” 
DRAM以电容的电荷来表示数据

（2）SRAM

SRAM的存储单元结构          
静态随机存储器 SRAM的存储单元以锁存器来存储数据，见图 。这种电路结构不需要定时刷新充电，就能保持状态(当然，如果断电了，数据还是会丢失的)，所以这种存储器被称为“静态(Static)”RAM。
同样地，SRAM 根据其通讯方式也分为同步SRAM和异步 SRAM，相对来说，异步SRAM用得较多。

（3）对比DRAM与SRAM的应用场合

 3、非易失性存储器

非易失性存储器种类非常多，半导体类的有 ROM 和 FLASH，而其它的则包括光盘、软盘及机械硬盘。

（1）ROM存储器     

ROM存储器     
ROM是“Read Only Memory”的缩写，意为只能读的存储器。由于技术的发展，后来设计出了可以方便写入数据的ROM，而这个“Read Only Memory”的名称被沿用下来了，现在一般用于指代非易失性半导体存储器，包括后面介绍的FLASH存储器，有些人也把它归到ROM类里边。

（2）FLASH存储器    

FLASH存储器又称为闪存，它也是可重复擦写的储器，部分书籍会把FLASH存储器称为FLASH ROM，但它的容量一般比EEPROM大得多，且在擦除时，一般以多个字节为单位。      
根据存储单元电路的不同，FLASH存储器又分为NOR FLASH和NAND FLASH

二、SRAM控制原理

1、SRAM简介

STM32控制器芯片内部有一定大小的SRAM及FLASH作为内存和程序存储空间，但当程序较大，内存和程序空间不足时，就需要在STM32芯片的外部扩展存储器了。STM32F407系列芯片可以扩展外部SRAM用作内存。

给STM32芯片扩展内存与给PC扩展内存的原理是一样的，只是PC上一般以内存条的形式扩展，而且内存条实质是由多个内存颗粒(即SDRAM芯片)组成的通用标准模块，而STM32扩展时，直接与SRAM芯片连接。

2、SRAM内部框图分析

（1）地址数据接口

SRAM的控制比较简单，只要控制信号线使能了访问，从地址线输入要访问的地址，即可从I/O数据线写入或读出数据。

（2）存储器矩阵

SRAM存储矩阵       
SRAM内部包含的存储阵列，可以把它理解成一张表格，数据就填在这张表格上。和表格查找一样，指定一个行地址和列地址，就可以精确地找到目标单元格而这样的表则被称为存储矩阵。

（3）SRAM的控制电路

控制电路主要包含了片选、读写使能以及上面提到的宽度控制信号UB#和LB#。利用CE#片选信号，可以把多个SRAM芯片组成一个大容量的内存条。OE#和WE#可以控制读写使能，防止误操作。

数据访问    
当选中一个数据单元后，可以通过UB#或 LB#其中一个设置为低电平，I/O会对应输出该地址的高 8位和低 8位数据，因此它们被称为数据掩码信号。

（4）SRAM的读写时序

读
重点时序：读周期时间(tRC)
地址建立时间(tAA)
OE建立时间(tDOE)

写
重点时序：写周期时间(tWC)
地址建立时间(tSA)
WE脉宽(tPWE)

 SRAM的读写流程

三、STM32-FSMC控制器介绍

1、FSMC简介         

STM32F4系列芯片使用FSMC外设来管理扩展的存储器，FSMC是Flexible Static Memory Controller的缩写，译为灵活的静态存储控制器。它可以用于驱动包括SRAM、NOR FLASH以及NAND FLSAH类型的存储器，不能驱动如SDRAM这种动态的存储器。而在STM32F429系列的控制器中，它具有FMC外设，支持控制SDRAM存储器。

FSMC控制器功能框图分析

（1）通讯引脚

由于控制不同类型存储器的时候会有一些不同的引脚，看起来有非常多，其中地址线FSMC_A和数据线FSMC_D是所有控制器都共用的
注：其中比较特殊的FSMC_NE是用于控制SRAM芯片的控制信号线，STM32具有FSMC_NE1/2/3/4号引脚，不同的引脚对应STM32内部不同的地址区域。

（2）存储器控制器

上面不同类型的引脚是连接到FSMC内部对应的存储控制器中的NOR/PSRAM/SRAM设备使用相同的控制器，NAND/PC卡设备使用相同的控制器，不同的控制器有专用的寄存器用于配置其工作模式。
相关控制寄存器    
控制SRAM的有FSMC_ BCR 、FSMC_ BTR以及FSMC_BWTR寄存器。每种寄存器都有4个，分别对应于4个不同的存储区域，各种寄存器介绍如下：

• -FSMC_BCR控制寄存器：可配置要控制的存储器类型、数据线宽度以及信号有效极性能参数。
• -FMC_BTR时序寄存器：用于配置SRAM访问时的各种时间延迟，如数据保持时间、地址保持时间等。
• -FMC_BWTR写时序寄存器：与FMC_BTR寄存器控制的参数类似，它专门用于控制写时序的时间参数。

（3）时钟控制逻辑

FSMC外设挂载在AHB总线上，时钟信号来自于HCLK(默认168MHz)，控制器的同步时钟输出就是由它分频得到。
例如，NOR控制器的FSMC_CLK引脚输出的时钟，它可用于与同步类型的SRAM芯片进行同步通讯，它的时钟频率可通过FSMC_BTR寄存器的CLKDIV位配置，可以配置为HCLK的1/2或1/3，也就是说，若它与同步类型的SRAM通讯时，同步时钟最高频率为84MHz。
后面示例中的SRAM为异步类型的存储器，不使用同步时钟信号，所以时钟分频配置不起作用。

2、FSMC地址映射

FSMC连接好外部的存储器并初始化后，就可以直接通过访问地址来读写数据。
FSMC访问存储器的方式与I2C EEPROM、SPI FLASH的不一样，后两种方式都需要控制I2C或SPI总线给存储器发送地址，然后获取数据；在程序里，这个地址和数据都需要分开使用不同的变量存储，并且访问时还需要使用代码控制发送读写命令。
而使用FSMC外接存储器时，其存储单元是映射到STM32的内部寻址空间的；在程序里，定义一个指向这些地址的指针，然后就可以通过指针直接修改该存储单元的内容，FSMC外设会自动完成数据访问过程，读写命令之类的操作不需要程序控制。

• FSMC的NOR/PSRAM/SRAM/NAND FLASH以及PC卡的地址被映射到了External RAM地址空间内，使得访问FSMC控制的存储器时，就跟访问STM32的片上外设寄存器一样
• FSMC把整个External RAM存储区域分成了4个Bank区域，并分配了地址范围及适用的存储器类型，如NOR及SRAM存储器只能使用Bank1的地址。
• 

 在NOR及SRAM区域，每个Bank的内部又分成了4个小块，每个小块有相应的控制引脚用于连接片选信号，如FSMC_NE[4:1]信号线可用于选择BANK1内部的4小块地址区域，当STM32访问0x68000000-0x6BFFFFFF地址空间时，会访问到Bank1的第3小块区域，相应的FSMC_NE3信号线会输出控制信号。

3、FSMC时序控制

（1）FSMC读时序     

FSMC外设支持输出多种不同的时序以便于控制不同的存储器，它具有ABCD四种模式，下面我们仅针对控制SRAM使用的模式A进行讲解
注：内核发出访问某个指向外部存储器地址时，FSMC外设会根据配置控制信号线产生时序访问存储器

（2）FSMC写时序

 内核发出访问某个指向外部存储器地址时，FSMC外设会根据配置控制信号线产生时序访问存储器

四、FSMC外扩SRAM实例

1、实验简介：

驱动SRAM

2、硬件设计：

ALIENTEK 探索者 STM32F4 开发板外扩了 1M 字节的 SRAM 芯片，如图 2.1.5.1 所示，注
意图中的地址线标号，是以 XM8A51216 为模版的，但是和 XM8A51216 的 datasheet 标号有出
入，不过，因为地址的唯一性，这并不会影响我们使用 XM8A51216（特别提醒：地址线可以
乱，但是数据线必须一致！！），因此，该原理图对这两个芯片都是可以正常使用的

cubmx配置

（1）RCC时钟168mhz，串口通信，FSMC外扩SRAM

（2）FSMC配置（对比读写时序、芯片手册）

这里不适用扩展模式，如果使用extended mode，写读同一个时序调整一下就行，否则是分开的时序。

配置地址建立时间ADDSET（通过下面分析得出）：1（1为 1 个 HCLK 1/168M=6ns）

配置数据建立时间DATAST（通过下面分析得出）：3 （数据保存时间为 3 个 HCLK =6*3=18ns）

我们根据FSMC和SRAM读时序对比

我们读写时序用同一个，因为他们读写时序很接近，管脚也一一对应，只不过对时序进行调整配置。（备注：我们用读写不同的时序来操作 TFTLCD 模块 ，因为 TFTLCD 模块读的速度比写的速度慢很多）

比如当我们要去读sram：

• FSMC通过A[25:0]去发送一个地址,对应SRAM是ADDRESS
• 发送完地址后去片选，选中sram芯片。FSMC的NEx管脚对应SRAM的CE管脚
• 当我们读的时候，我们需要拉低sram的OE管脚，对应FSMC的NOE管脚，这里控制时序就完成了
• SRAM的LB、UB对应FSMC的NBL的两根信号，可以控制高低字节了。
• 最后我们去读数据了，D[15:0]对应Dout

整个时间：tRC = ADDSET + DATAST（这个是SRAM的芯片需求，我们可以查数据手册大于这个值）

读使能信号拉低到出现有效数据的出现当中的这段时间：tDOE = DATASET（对应FSMC的数据采样时间）

ADDSET在FSMC当中可以配置的，这段时间对于SRAM未作要求，我们FSMC配置的时候大于0就行。

datasheet：

trc=（1+3）*6 =24ns（这里与本芯片有点出入，只要大于taa就行） 

taa =6ns <55 

tdoe（DATASET）=18ns<25

3、软件设计

读写SRAM

/* USER CODE BEGIN 0 */
int fputc(int ch,FILE *p)
{
	while(!(USART1->SR & (1<<7)));
	USART1->DR = (uint8_t) ch;
	return ch;
}

#define SRAM_BANK_ADDR ((uint32_t)0x68000000)

/* USER CODE END 0 */

/**
  * @brief  The application entry point.
  *
  * @retval None
  */
int main(void)
{
  /* USER CODE BEGIN 1 */
	uint8_t *p = (uint8_t *) SRAM_BANK_ADDR;
	uint8_t i;
	
  /* USER CODE END 1 */

  /* MCU Configuration----------------------------------------------------------*/

  /* Reset of all peripherals, Initializes the Flash interface and the Systick. */
  HAL_Init();

  /* USER CODE BEGIN Init */

  /* USER CODE END Init */

  /* Configure the system clock */
  SystemClock_Config();

  /* USER CODE BEGIN SysInit */

  /* USER CODE END SysInit */

  /* Initialize all configured peripherals */
  MX_GPIO_Init();
  MX_USART1_UART_Init();
  MX_FSMC_Init();
  /* USER CODE BEGIN 2 */
	printf("this is fsmc sram test\r\n");
	
	//写内存
	for(i=1; i<=10; i++)
	{
		p[i] = i;
	}
	
	//读内存
	for(i=1; i<=10; i++)
	{
		printf("p[%d] = %d\r\n",i, p[i] );
	}
	
  /* USER CODE END 2 */

  /* Infinite loop */
  /* USER CODE BEGIN WHILE */
  while (1)
  {

  /* USER CODE END WHILE */

  /* USER CODE BEGIN 3 */

  }
  /* USER CODE END 3 */

}

4、实验效果