数字后端IC设计基本概念 由于金属导体中电场的作用导致金属离子的迁移。后造成芯片中的net短路或者断路,从而影响芯片的寿命。在芯片设计中往往通过电流密度判断EM的影响,两者为正比关系,即电流密度大的地方,EM影响大。一般需要遵守EM spec(每个金属层规定的最大电流密度)。当设计中的电流密度超过上述的spec时,需要通过减小电流密度的方法解决。金属的电流密度由其通过的电流大小和相应的横截面积有关,所以可以通过减小电流和增大横截面积的方法来减小电流密度。由于,金属的厚度一般不能改变,因此一般通过。