StarRC常见问题整理

最新推荐文章于 2024-09-26 19:24:27 发布
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分类专栏： 数字后端设计（ICC2+INNOVUS+Starrc+PT） 文章标签： 后端 学习
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/m0_61544122/article/details/134747107
本文主要列举了使用StarRC过程中遇到的四个典型问题，包括nxtgrd版本过旧、lef数据不全、macro lef与tech lef读取顺序错误以及layer map映射失败，并详细解释了错误原因及相应的解决方法。例如，对于nxtgrd版本问题，可以通过更新nxtgrd文件解决；对于lef数据不全，需检查lef和def的版本匹配以及添加的lef文件是否完整；对于layer map映射失败，则需要正确配置layer map文件。

摘要生成于 C知道 ，由 DeepSeek-R1 满血版支持， 前往体验 >

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使用starrc_cmd “错误代码”就能看对应Error或Warnning的解释。如:

starrc_cmd SX-2505

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Starrc读lef遇到的常见错误
m0_61544122的博客
10-09 766
debug方法，如果是添加的lef列表，那么就需要检查log里报告的cell是不是没添加对应lef，如果是pr工具写出来的lef，可以先在lef里搜索MACRO，找到lef里定义的cell有哪些，如果检索出的cell是模块本身，那么说明write_lef操作出了问题，如果是ICC用过的话，通常是因为lib里存在frame view导致的，删除frame view后重新导出lef即可。这个问题就是典型的lef数据不全，常见在版本与def版本不匹配，或者write_lef写出的是模块的lef。
StarRC：database layer找不到的错误如何解决
m0_61544122的博客
10-17 1088
starRC需要使用layer map 来映射def/lef里的层次名与nxtgrd的层次名。才能让用到的层次正确的提取参数。当遇到如下问题，就说明层次对不上。通常是非绕线层，在layer map中使用remove_layers命令移除即可。我正在「拾陆楼」和朋友们讨论有趣的话题，你⼀起来吧？
Synopsys starrc manager license报错
weixin_52714276的博客
12-21 1487
报错 ERROR: failed to check out manager license (SX-1965) 解决办法： 1. 执行lmdown -c …/…/synopsys.dat 2. lmgrd -c …/…/synopsys.dat
EDA - 在virtuoso集成StarRC
IT基础架构
08-25 3199
EDA - 在virtuoso集成StarRC 需求 在virtuoso集成StarRC。 步骤 加载工具 module load icadv starrcxt 启动virtuoso 在CIW中，读取rcskill.cxt，执行load("") 在CIW中，初始化rcskill，执行init("") 打开schematic editor就可以看到StarRc按钮了。 参考资料 ...
【免费下载】 StarRC寄生参数提取与后仿指南：集成电路设计的得力助手
gitblog_06619的博客
09-26 1319
StarRC寄生参数提取与后仿指南：集成电路设计的得力助手 【下载地址】StarRC寄生参数提取与后仿指南 StarRC寄生参数提取与后仿指南本仓库提供了一个名为“starrc寄生参数提取与后仿.docx”的资源文件，该文件详细介绍了如何进行StarRC寄生参数提取与后仿的流程和步骤 ...
Starrc input data
m0_61544122的博客
08-26 5359
starrc所需的输入文件如下图: nxtgrd:提取寄生参数所需的规则文件，对应命令TCAD_GRD_FILE：filepath。可以使用grdgenxo工具将ITF(Interconnt Technology Format)文件转成nxtgrd文件，对应命令如下： grdgenxo xx.itf map_file:将layout database(ndm/def、lef等)层次与nxtgrd的层次形成映射关系，对应命令MAPPING_FILE：filepath。 map file文件中常用的
StarRC:版本陈旧引发的多corner提取RC失败
m0_61544122的博客
10-16 1132
运行StarRC提取多corner RC时会遇到提取失败的情况，当分次提取各个corner RC时却成功了，这种时候优先考虑nxtgrd版本陈旧的情况。解决办法是找到nxtgrd对应的itf文件，然后使用新版starrc去产生nxtgrd。debug方法也简单，在运行StarRC开始阶段会报告如下信息，就证明nxtgrd太老了。我正在「拾陆楼」和朋友们讨论有趣的话题，你⼀起来吧？
STARRC抽取报错
03-27
另外，引用[4]指出StarRC支持的数据格式，如LEF/DEF，可能用户输入文件有问题。引用[5]建议用户具备基础知识并结合实际操作，可能需要检查步骤是否正确。 接下来，我需要将这些信息整合成解决方案。首先，确认错误...
starrc_shell如何搭建抽取D2D的环境
03-13
接下来，我需要整理搭建starrc_shell环境的步骤。首先，需要确认输入文件是否齐全，包括map_file、itf文件、工艺文件等。然后，编写配置文件，设置MAPPING_FILE路径、工艺文件路径等参数。可能还需要处理nxtgrd文件...
DRC和LVS的常见错误问题
最新发布
06-17
根据用户的问题，我们需要整理DRC和LVS在芯片设计流程中常见的错误类型，并提供相应的解决方案。首先，我们回顾一下DRC和LVS的基本概念：-DRC（DesignRuleChecking）：检查芯片版图设计是否符合制造工艺的设计规则，...
starrc寄生参数提取与后仿.docx
01-09
starrc寄生参数提取与后仿.docx
Star-RCXT简介
01-20
1  Star-RCXT工具介绍 　　Star- RCXT以其高精度、友好的用户界面以及和其它工具良好的结合成为目前业界比较流行的一款寄生参数提取工具，是专门针对0.18mm及以下工艺的寄生参数提取所设计的。它采用了二点五维的几何提取技术，达到了三维的提取精度，但比三维的抽取工具速度快很多，能够快速准确地对上百万门的设计进行全局的寄生参数提取。 2  用Star-RCXT进行寄生参数提取的条件 　　应用Star-RCXT进行精细寄生参数提取，还需要两个与工艺参数有关的文件：mapping文件和ITF（Interconnect Technology Format）文件。ITF文件是由晶圆代工厂直
STARRC使用的脚本
03-11
STARRC脚本，配合readme使用，快速掌握该工具的使用
StarRC的妙用
i_chip_backend的博客
04-19 8354
StarRC的寄生参数抽取可以作为签收标准，和APR相比通常有如下的优（完）势（备）性以上种种，常见的影响主要是来自于metal filll。metal fill是一种常见的处理芯片流片的密度（density）问题。与常规的APR操作不同，metal fill通常实在calibre（GDS 工具里边）完成的，虽然历史上也流行过在APR工具里边完成的流程。但是从处理效率和独立想上而言，metal fill 确实是calibre等GDS工具的强项。
【StarRC】StarRC抽取寄生RC
zxhtiger84的博客
12-14 5954
提供先进的推理，复杂的指令，更多的创造力。
寄生参数提取——StarRC
tong66666666的博客
07-31 8452
正常跑flow是不会出现任何open net的，因为只要有逻辑连接存在，工具就一定会按照逻辑连接关系进行实际的物理连线。如果发现绕不通就会把若干条net short在一起，而不会放置open不管的。只有signal net之间存在short和open，才会生成这两个文件，如果没有生成说明设计中没有signal net之间的short和open。这里会列出design中的所有short net以及它们的位置信息。因为工具发现open net会自己找一条net去接起来，而这个操作可能并不是实际的连接情况。
Hadoop运行MapReduce任务时，异常及解决方案
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累迹的博客
02-03 1万+
异常代码描述 刚刚开始接触Hadoop，对于MapReduce并不时特别了解，以下记录以下纠结了一天的问题及解决方案 1、执行MapReduce任务 hadoop jar wc.jar hejie.zheng.mapreduce.wordcount2.WordCountDriver /input /output 2、跳出异常 Task failed task_1643869122334_0004_m_000000 [2022-02-03 15:10:59.255]Container killed on
命令行参数的作用_下一代定制设计SoC对寄生参数提取的新要求
weixin_39559333的博客
12-05 909
【5G、生物技术、人工智能和汽车电子等市场,对寄生参数提取和时序收敛,提出了新的挑战】5G、生物技术、人工智能和汽车电子等快速增长的市场正在推动半导体设计的新潮流以及对高度集成的片上系统(SoC)的需求。电源管理，传感器，RF射频模块和高精度模拟模块都集成在同一衬底上，这给定制设计工具带来了新的挑战。确切地说，芯片设计工程师需要克服寄生参数提取方面的新挑战，来推动SoC的收敛。图1 高度...
【免费下载】 StarRC寄生参数提取与后仿指南
gitblog_06681的博客
09-26 1227
StarRC寄生参数提取与后仿指南 【下载地址】StarRC寄生参数提取与后仿指南 StarRC寄生参数提取与后仿指南本仓库提供了一个名为“starrc寄生参数提取与后仿.docx”的资源文件，该文件详细介绍了如何进行StarRC寄生参数提取与后仿的流程和步骤 ...
layout布局要点
02-26
<think>好的，用户现在问的是关于“layout布局要点”，也就是集成电路版图设计的关键要点。之前他们问过Cadence Virtuoso的常用快捷键，现在可能想进一步了解版图设计的基本原则和注意事项。 首先，我需要确定用户的需求。他们可能是学生或者刚入行的工程师，想要学习版图设计的基础知识。之前的快捷键问题说明他们已经在使用Cadence工具，现在希望从操作层面上升到设计原则层面。 接下来，我要整理版图布局的核心要点。这包括匹配性、对称性、信号完整性、电源地布局、DRC/LVS规则、寄生参数、可靠性设计等。每个要点都需要解释清楚，并举例说明，比如匹配结构中的共质心布局，避免工艺偏差的影响。 还要考虑用户可能的深层需求。他们可能在做实际项目时遇到了问题，比如信号干扰或功耗过大，需要了解如何优化布局。所以需要涵盖热管理、抗干扰设计、ESD保护等内容，这些都是实际设计中常见的问题。 另外，用户可能对工具的使用和设计流程不太熟悉，所以应该提到与电路设计协同、模块化布局以及验证流程的重要性，比如LVS和DRC检查的必要性，以及如何利用仿真工具进行后仿。 需要避免使用过于专业的术语，用通俗易懂的语言解释每个要点，并结合实际例子帮助理解。同时，结构要清晰，分点列出，方便用户快速浏览和记忆。 最后，总结部分要强调理论和实践的结合，建议用户参考设计手册和工艺文档，并多加练习。这样用户不仅了解理论，还能应用到实际项目中，提升设计能力。</think>以下是集成电路 **版图设计（Layout Design）** 的核心布局要点，结合工艺要求和设计规范整理，适合入门学习和实际设计参考： --- ### **1. 匹配性与对称性** - **器件匹配**： - 对差分对、电流镜等敏感电路，采用 **共质心（Common Centroid）** 或 **交叉耦合** 结构，抵消工艺偏差（如梯度变化）。 - 保持相同器件的 **方向、尺寸、周围环境一致**。 - **对称布线**： - 关键信号路径（如时钟、差分线）需 **对称走线**，减少寄生参数差异。 - 电源/地线尽量对称分布，避免电流密度不均。 --- ### **2. 信号完整性** - **关键信号隔离**： - 高频信号、模拟信号与数字信号之间需 **物理隔离**（如添加 Guard Ring 或屏蔽层）。 - 避免敏感信号线与大电流/高压线平行长距离走线。 - **减小串扰**： - 增加线间距，或插入地线（Shielding）隔离干扰。 - 缩短关键路径长度，降低寄生电容/电感。 --- ### **3. 电源与地（Power/Ground）设计** - **低阻抗路径**： - 电源/地线采用 **宽金属线** 或 **网格结构**，减少 IR Drop 和电迁移风险。 - 多打接触孔（Contact/Via），降低连接电阻。 - **去耦电容**： - 在电源和地之间就近放置去耦电容，抑制高频噪声。 --- ### **4. 工艺规则（DRC/LVS）** - **严格遵守 DRC**： - 确保最小线宽、间距、覆盖层等符合工艺要求（如金属层最小间距、通孔尺寸）。 - **LVS 匹配**： - 版图与电路图（Schematic）的器件参数、连接关系必须完全一致。 --- ### **5. 寄生参数优化** - **减少寄生电容**： - 避免长距离走线，尤其是高频信号线。 - 使用高层金属布线（高层金属寄生电容更小）。 - **避免天线效应**： - 长金属线连接多晶硅栅时，需插入跳线层（如 Metal Jumpers）或反向二极管。 --- ### **6. 可靠性设计** - **电迁移（Electromigration）**： - 大电流路径需加宽金属线，并通过仿真验证电流密度是否超标。 - **闩锁效应（Latch-up）**： - 添加 Guard Ring（保护环）隔离 NMOS/PMOS，尤其在 I/O 电路区域。 - **ESD 保护**： - 在输入/输出端口附近设计 ESD 结构（如二极管、GGNMOS）。 --- ### **7. 热管理** - **热点分散**： - 高功耗器件（如功率管）均匀分布，避免局部温度过高。 - 添加散热通孔（Thermal Via）或连接散热层（如 Top Metal）。 --- ### **8. 抗干扰设计** - **衬底噪声隔离**： - 敏感模块（如 PLL、ADC）使用 **深 N 阱（Deep N-well）** 隔离衬底噪声。 - **避免天线效应**： - 遵守工艺提供的天线规则（Antenna Rule），必要时插入保护器件。 --- ### **9. 模块化与复用** - **模块化布局**： - 将功能模块（如放大器、比较器）独立布局，便于复用和后期修改。 - **层次化设计**： - 使用 Cell 或 Hierarchy 结构管理复杂版图，提升可读性。 --- ### **10. 与电路设计协同** - **寄生参数反馈**： - 提取版图寄生参数（如 RC Extract）后，需反标到电路仿真中验证性能。 - **后仿真验证**： - 通过 Post-layout Simulation 检查时序、功耗、噪声等是否达标。 --- ### **关键工具辅助** - **DRC/LVS 工具**：Calibre、Pegasus 等。 - **寄生提取工具**：Quantus、StarRC。 - **电迁移/IR Drop 分析**：Voltus、RedHawk。 --- ### **总结** 版图设计是 **工艺规则、电路性能、可靠性** 的平衡过程，需结合理论知识和实践经验。建议： 1. 熟悉工艺文档（PDK）中的设计规则； 2. 优先保证匹配性和信号完整性； 3. 通过多次迭代优化布局。
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