基于LM5007的BUCK电路芯片参数总结

文章目录

前言

一、硬件基础知识（电容相关）

1.耦合：

2.电容耦合：

3.耦合电容：

4.旁路电容与去耦电容：

6.过冲：

二、典型应用电路分析

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前言

       本文是曾经在学习DCDC知识后进行的芯片手册阅读练习，对芯片手册进行了总结，在此处进行分享。

内容涵盖（1）关键参数列表（2）典型应用工作原理（3）关键元器件参数设计；

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一、硬件基础知识（电容相关）

1.耦合：

       耦合，在电子学中，表示将能量从一个电路传输（传递）到另一个电路。如通过一个电感可以把磁能传递给另一个电感、通过一个电容可以把电能从电容的一端传递到电容的另一端。

2.电容耦合：

       通过电容将交流信号的能量从一个电路传递到另一个电路。这是一种能量耦合方式，其他的能量耦合方式还有电感耦合、光耦耦合、导线耦合等耦合方式。

3.耦合电容：

       将交流信号的能量从一个电路传递到另一个电路的电容。

      耦合电容的作用：如果在我们需要的交流信号（有用信号）中叠加了我们不需要的交流信号（噪声信号）时，参数得当的耦合电容，可以对低于有用信号频率的低频噪声进行阻碍衰减，降低干扰（无法消除）。[根据容抗公式推导]

4.旁路电容与去耦电容：

       旁路，在电子学中，表示提供一个比原来传输路径阻抗更低的新路径，让能量绕开原来的高阻抗路径，从新的低阻抗路径传输。

      去耦，在电子学中，表示不让能量通过一个电路传递到另一个电路。

相同点是：都表示阻止不期望的信号从一个电路传输到另一个电路。

不同点是：旁路，有低阻抗的新路可走，就不走高阻抗的老路了，所以，不期望的信号另走他路了，阻断其向后级传输；

                  去耦，老路阻抗无穷大，走不通，又无新路可走，不期望的信号被直接阻断。

       实际上旁路和去耦意思近似，都表示滤除不期望的信号。所以，很多国内外文献资料对旁路和去耦的概念没有严格区分，去耦和旁路的称谓可以互换。如果要严格区分旁路和去耦的话，可以按按如下规则区分：直接阻断不期望的信号叫去耦，通过低阻抗路径滤除不期望的信号以达到阻断原来路径的目的叫旁路。

       电容通交流，隔直流；通高频，阻低频的基本特性，我们将电容靠近后级电路并与之并联，那么，这个并联的电容，就是去耦（旁路）电容，其主要作用如下三点（去耦，旁路，储能）：

（1）旁路前级电路输入的高频交流信号（噪声），阻碍其传输到后级电路，让直流或低频信号通过，起到去耦噪声，滤除干扰的目的。

（2）旁路后级电路反向输出的高频交流噪声（电源和地噪声），阻碍其传输到前级电路，起到去耦电源和地噪声，滤除干扰的目的。

（3）为后级电路储能稳压。当前级电路出现电压暂降、短时中断以及电压渐变时，由该电容上存储的电荷继续为后级电路供电，起到稳定电压的作用；另一方面，正是由于该电容具有储能的作用，才能满足后级电路的瞬时突变电流之用电需求。

6.过冲：

       过冲是振铃的一部分，信号电平发生跳变后，第一个峰值或谷值超过设定电压（对于上升沿是指最高电压而对于下降沿是指最低电压），主要表现为一个尖端脉冲。

       过冲产生的本质原因：传输线阻抗不匹配造成信号的反射，多个反射信号和原信号叠加导致过冲和振铃。

   过冲和振铃的危害：当过冲幅值较大或持续时间较长时，可能回导致电路元器件的失效；振铃产生的电压波动，可能回多次跨越逻辑电平的电压阈值，造成接收端的误判。

1. D1的作用：PMOS管导通时，输入电压VIN给电容Cout和电感L1充电，电容电压升高，电感电流升高，此时二极管D1反向截止。 输入电源直接给负载供电。在PMOS管断开时, 电容直接放电给负载供电,电感通过二极管给负载供电，此时二极管D1导通，起到续流的作用。
2. Ⅱ类陶瓷：Ⅱ类陶瓷电容器（Class Ⅱ ceramic capacitor）过去称为为低频陶瓷电容器（Low frequency ceramic capacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容器，因此也称铁电陶瓷电容器。这类电容器的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中。其中Ⅱ类陶瓷电容器又分为稳定级和可用级。X5R、X7R属于Ⅱ类陶瓷的稳定级，而Y5V和Z5U属于可用级。

其中X5R、X7R、Y5V、Z5U之间的区别是在温度范围和容值随温度的变化特性上。下表提示了这些代号的含义。

二、典型应用电路分析