Multisim应用举例实验

本文通过Multisim软件介绍了半导体器件的特性曲线测试方法,包括二极管的伏安特性测试,以及如何利用IV分析仪测量晶体三极管和场效应管的特性。同时,详细探讨了二极管在直流和交流信号下的表现,揭示了二极管的直流管压降和交流等效电阻随电流变化的规律。
摘要由CSDN通过智能技术生成

Multisim应用举例实验
一、实验原理:以Window为基础的仿真工具,适用于板级的模拟/数字电路板的设计工作。它包含了电路原理图的图形输入、电路硬件描述语言输入方式,具有丰富的仿真分析能力。
二、半导体器件特性曲线测试方法的研究
利用IV分析仪测量二极管的伏安特性的测量方法及步骤
(1)选择元件:在Multisim主界面的元器件栏中选择某种型号的二极管(Diode)1N4149,并将某拖至电路图窗口。
(2)选择仪器:在右侧仪器仪表栏中选择IV分析仪(IV - Analysis),也将其拖至电路图窗口;将其导线进行连接,如图所示:

 (3)打开IV分析仪,设置仪器参数;闭合仿真开关,即可得到伏安特性曲光标,可以读出管压降及其对应的电流值。如图所示

 

举一反三实验
利用IV分析仪测试二极管的伏安特性简单易行,而且可以推而广之,采用同样方法测出晶体三极管和各种场效应管的特性曲线。如图所示:



三、半导体二极管特性

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