【计组笔记】04_存储系统（一）

目录

4.1 存储系统层次结构

1. 基本存储体系

2. 主存速度慢的原因 

3. 主存容量不足的原因 

4. 存储体系的层次化结构 

5. 存储体系层次化结构的理论基础

4.2 主存中的数据组织

1. 存储字长

2. 数据存储与边界的关系

3. 大端与小端存储方式

4.3 静态存储器工作原理

1. SRAM存储单元结构

2. SRAM存储单元工作原理

​3. 静态存储器的结构 

4.4 动态存储器工作原理 

1. SRAM存储单元的不足

2. DRAM存储单元的基本结构

3. DRAM存储单元的工作原理

4. DRAM存储单元的刷新

4.5  存储扩展

1. 存储扩展的基本概念及类型

2. 位扩展举例

3. 字扩展举例

4. 字位同时扩展

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4.1 存储系统层次结构

1. 基本存储体系

2. 主存速度慢的原因 

3. 主存容量不足的原因 

4. 存储体系的层次化结构 

5. 存储体系层次化结构的理论基础

4.2 主存中的数据组织

1. 存储字长

2. 数据存储与边界的关系

（这样会浪费部分空间）

  3. 大端与小端存储方式

大端存储与小端存储模式主要指的是数据在计算机中存储的两种字节优先顺序。小端存储指从内存的低地址开始，先存储数据的低序字节再存高序字节；相反，大端存储指从内存的低地址开始，先存储数据的高序字节再存储数据的低序字节。

4.3 静态存储器工作原理

1. SRAM存储单元结构

工作管：T1，T2；构成稳定的互锁状态来保存信息

负载管：T3，T4；为工作管提供工作电流

门控管：T5，T6，T7，T8；控制存储单元与外界的通断

2. SRAM存储单元工作原理

  · 写过程

  · 读过程

 · 保持过程

 3. 静态存储器的结构 

对于双译码结构，需要x，y地址译码同时选中才可。 

双译码结构的内部图

双译码结构静态存储器6116 

 双译码结构静态存储器2114

 共六十四行，十四列存储单元

4.4 动态存储器工作原理 

1. SRAM存储单元的不足

2. DRAM存储单元的基本结构

 

3. DRAM存储单元的工作原理

· 写操作

· 读操作

 左CD还有电，右CD没有电，形成从左到右的电流，表示1

· 保持操作

由C1，C2里存储的电荷来维持

 · 刷新操作

 

4. DRAM存储单元的刷新

假定刷新周期为2ms，DRAM内部128行（对应128个刷新小周期），读写周期0.5us

1. 集中刷新

优点：保持存储器的高速特性

缺点：存在死时间（即刷新时间，CPU不能访问） 

2. 分散刷新

指将刷新时间分配到正常读写周期当中去（每个读写周期都刷新一次）

每个读写周期由0.5us -> 0.5+0.5=1us

 刷新了2000次，性能大大降低

3. 异步刷新

将128个刷新周期平均分配到读写周期中

5. DRAM与SRAM的对比

4.5  存储扩展

1. 存储扩展的基本概念及类型

M表示容量，N表示存储的二进制位数

 

2. 位扩展举例

1）用16K*8的存储芯片构建16K*32的存储器

所需芯片数量：

(16K*32)/(16K*8)=4

 注：只需要14根地址线

 3. 字扩展举例

1）用16K*8的存储芯片构建128K*8的存储器

所需芯片数量：

(128K*8)/(16K*8)=8

  

2）

 

 

4. 字位同时扩展