FAB 术语缩写

CD: Critical Dimension 关键尺寸

ADI: After Develop Inspection 显影后检测

AEI: After Etch Inspection 蚀刻后检测

BKM: Best Known Method

REM: Remove

FOUP: Front Opening Unified Pod (It is a specialised plastic enclosure designed to hold silicon wafers securely and safely in a controlled environment, and to allow the wafers to be removed for processing or measurement by tools equipped with appropriate load ports and robotic handling systems.)

STI: Shallow Trench Isolation 浅槽隔离

ED: Exposure Dose 曝光剂量

<think>好的,用户想了解半导体制造Fab工厂中ADC的定义和作用。首先,我需要确认ADC在这里的具体含义。根据之前的引用,用户提到过CP测试,即Wafer Probe,用于测试Die的基本参数。这可能与ADC相关。 ADC通常指模数转换器(Analog-to-Digital Converter),但在Fab厂的上下文中,可能存在不同的术语。不过,结合引用[2]中的CP测试内容,可能这里的ADC是“Automatic Defect Classification”的缩写,即自动缺陷分类。这在半导体制造中用于检测和分类晶圆上的缺陷,提高良率。 需要验证这一猜测是否正确。根据行业知识,Fab厂中的ADC确实指自动缺陷分类系统,用于光学检测后的缺陷分析和分类,帮助工程师快速识别问题来源。此外,引用[2]提到CP测试中的参数如Vt、Rdson等,ADC可能在缺陷检测阶段辅助确保Die的质量。 因此,回答应解释ADC在Fab中的定义和作用,结合自动缺陷分类的过程,以及如何提升生产效率和良率。同时,需要引用相关部分,如引用[2]提到的CP测试,说明ADC在其中的辅助作用。</think>在半导体制造Fab工厂中,**ADC**的全称为**Automatic Defect Classification**(自动缺陷分类系统),其核心作用是**通过机器视觉和算法对晶圆生产过程中产生的缺陷进行自动化识别、分类和统计分析**[^2]。 ### 具体定义与作用 1. **缺陷检测与分类** ADC系统通过光学检测设备(如扫描电子显微镜SEM或光学显微镜)捕获晶圆表面图像,利用AI算法区分缺陷类型(如颗粒污染、刻蚀残留、金属短路等)。例如,系统可识别出$10\ \mu m$级别的异物颗粒,并标记为“可修复缺陷”或“致命缺陷”。 2. **良率提升** 通过实时统计不同缺陷的分布规律(如空间分布$f(x,y)$或时间趋势),帮助工程师快速定位工艺问题。例如,若某批次晶圆的栅氧化层缺陷率超过阈值$\alpha=5\%$,系统会触发警报[^2]。 3. **与CP测试协同** 在CP(Circuit Probing)阶段,ADC分类结果可与电性测试数据(如阈值电压$V_t$、漏电流$I_{dss}$)交叉验证,辅助筛选出因物理缺陷导致电参数超标的Die,减少后续封装成本[^2]。 4. **制程优化反馈** ADC输出的缺陷分布图(Defect Map)可生成热力图$$D(x,y)=\sum_{i=1}^n w_i \cdot \delta(x-x_i,y-y_i)$$,用于指导光刻、蚀刻等工艺参数的调整。
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