工艺制造的量测设备可谓是多种多样,主要是单层薄膜(包括介质和金属)厚度形貌,多层薄膜结构形貌量测,套刻量测,应力的量测,元素浓度分析,甚至方块电阻的量测,当然也还有一些缺陷检测(Defect Scan & Review),这里面有的是线上量测(Inline metrology),这些是会建立在芯片制造工艺流程里的(Process Flow);也有的是线下量测(Offline Metrology),这些都是各个module单独管控的,大部分时候是为了监测单道工艺的稳定性而进行的监控。当然还有WAT电性量测,这个会放在工艺介绍结束之后再说,本节介绍缺陷检测以外的线上量测。
线上量测的位置大多数时候都在切割道上。我们知道,做芯片一定会用到光罩或者叫做掩膜(Mask)。在光罩上,除了会放上目标芯片,芯片与芯片之中间会有叫做切割道(Scribe Lane, 设计端也可能叫做Saw Street)的区域。这些区域会放上不同的量测图形或者标记,并在制造过程中进行制程参数监控。封装做芯片时,会以切割道为轴将每个芯片单独封装。参考下面floor Plan:
CD-bar: 一些长条状的图形,可以直接量测CD和space,分为dense型和Iso型,这个一般只作为辅助Monitor。
THK Monitor Pattern:没有图形的区域,对于特定的薄膜,只有无和有两种情况
OCD Pattern: Line/space的重复图形
Optical Pattern: 这个是不同pitch的pattern,比如poly最小pitch是108nm,更大的还有118甚至500,1000nm的,也就是space会不一样,这样实际做出来的poly CD会由于loading effect而产生差异,这个是根据需求去量测,一般会量dense和Iso各一个
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