YJL3400A,n沟道增强模式场效应晶体管的学习

一、封装和符号

 

电流是从上往下流，会有一个二极管的原因是：如若外加感性负载，由于感性负载的电流和电压不能突变，则电流不能突变，若加上较大电压，则需提供蓄流通路。所以放二极管在这里。

二、参数

1.VDS：30V

2. ID：5.6A

3.绝对最大额定值参数：

a.漏源电压（即D端）：30V

b.栅极（VGS）：±12V

c.漏极电流:TA=25℃:5.6A

TA=70℃:4.5A

4.电气特性：

（1）静态参数

1.漏源击穿电压：30V

2.栅极为0时的漏极电流：IDSS： VDS=30V,VGS=0V，电流为 1 μA

3.栅极电压：0.65---1.5V 典型值：0.9V

（2）一些参数说明

VDS表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。

PD表示最大耗散功率，是指MOS性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。

△VDS/TJ表示的是漏源击穿电压的温度系数，正温度系数。