先进工艺物理实现几点注意事项

先进工艺下，该模块的insts num为67w，macro num为60，在做fp时需要注意以下几点：

（1）关于mem摆放着注意事项：我们选取mem channel H为12.54，V为2.4

（2）mem的corner处vertical方向的间距需满足2.4 + 0.48n的倍数，否则会报CORE.H240P57.W.4.1类型的tcic vio，需要进行修复

（3）mem的摆放需要通过tcic检查。（ps：未通过tcic检查的db可能会在后续查出许多异常的base drc）

（4）对于放进来的pso等Cell建议checkPlace一下，因为可能存在pinshape对不上的情况，需要先将属性设为place之后再重新refinePlace

（5）pso不能有如下abut在一起的情况，在先进工艺中会有对VIA0的检查，这里会对VIA0进行check报出cell相关的违例。

（6）先进工艺的M0/M1/M2/M3 PG需要有正确的corlorize，使用的命令为colorizePowerMesh，执行完该命令后工具会对pg进行染色，建议执行完该命令后对pg进行检查。

（7）PG check。在做不同尺寸的floorplan时，加完power之后再次确认pg是否加的有异常。可能存在pg 打偏或者大批的via打不上，原因可能是pg脚本的问题。（pg name对不上等）

（8）checkPlace检查是否有row orientation违例，该问题要优先解决。

（9）先进工艺需要满足evensiteevenrow，对core2die有要求，需要仔细查看ref文档进行设置。

（10）先进工艺的well tap及endcap等的选择有相关要求，参考ref文档。

（11）先进工艺drc分类如下，图来源于网络。