芯片电源规划

在做电源规划时首先需要考虑对功耗的影响，理论上可以通过下面的方法来粗略的预估一个功耗。

一般在物理实现过程中以二输入与非门单元的功耗作为参考来进行功耗的预估，因为中等驱动的二输入与非门标准单元的功耗值在整个单元库中算是中间水平。

那我们主要是通过以下公式来进行功耗的预估：

其中第一个公式的表示芯片面积，表示二输入与非门的面积。

其中NAND2的面积可以从LEF中查找。

在预估好功耗之后，就可以对电源进行规划。

那电源规划的参数包括电源条宽度W，为了节省绕线资源，芯片中的电源条结构又会被规划成横纵交错的情况。因此这里需要规划H方向和V方向的电源条宽度。

其次，需要规划电源条之间的space。对于flip chip封装的芯片，电源I/O pad可以均匀的分布在芯片内部，所以整个芯片上的供电都比较均匀。而对于wire bond封装的芯片来说，电源pad只能分布在芯片四周，那么产生压降比较严重的地方就会在芯片中间区域，为了有效降低芯片内部区域的压降，就需要对电源条之间的space做合理的规划。

在了解以上电源参数之后，我们如何对其进行规划呢？

W预估：

对于H方向走线的电源条，其宽度为标准单元高度的整数倍，并且应该小于工艺文件中规定的最大宽度值；一般预设H方向的线宽为标准单元高度的1至2倍。

对于V方向走线的电源条，其宽度需要满足对应工艺要求的pitch值，为其整数倍，并且要小于工艺文档中要求的线宽的最大值。

以上电源规划都要考虑绕线资源的问题，因此每层线的密度的最大值也有要求，需要满足。

S预估：

先计算出某个点会通过的电流值，假设允许这个点出现压降的范围不超过5%，那么计算出这个5%范围内对应的横纵方向的电阻值。然后根据工艺厂给定的方块电阻值以及上文粗略规划的电源条W参数，计算出在一根完整的电源条上需要减小的总电阻，最后再计算出该层金电源条需要降低的总电阻。

最后，水平方向的S为芯片的Y除以水平方向电阻的个数；垂直方向的S为芯片的X除以垂直方向的电阻个数。

参考书籍：《CMOS集成电路后端设计与实践》刘峰

以上是理论的进行电源规划的方法，详细介绍可阅读书籍。

但是在工程中时间紧张，不同的公司及工艺选择的金属层数目也 不尽相同，因此在实际中工程师并没有足够的时间来进行理论计算，一般是参考对应工艺给出的ref flow，采取经验值或者粗略规划几版进行验证，再得到最终的电源方案。