MDK5编译
1.查看编译文件大小
可以在Build Output窗口中或USART.map文件中查看
编译后就出现Build Output窗口,拉到最下面
在usart.map文件中
编译后才有,在工程目录的output文件夹也可以找到
补充
1.打开USART.map文件后编译会“File has been changed outside the editor, reload?”,即“文件已在编辑器外更改,是否重新加载?”,解决方法就是关掉map文件。该提示实际并不会导致工程错误编译运行错误。
2.C语言一般情况 没有加static 默认为auto 型此时 不给初值,变量的 初值是随机的但是 如果加了 static 不给初值 变量的初值是默认的 0指针也是一样,其实 NULL 的值 就是 0只是它不代表任何地址谢谢
3.关于flash
Flash闪存,也被称为Flash EEPROM Memory,是一种电子式的可清除程序化只读存储器,允许在操作中被多次擦或写的存储器。它的特点是非易失性,在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据,其存储特性相当于硬盘。这意味着即使在电源关闭的情况下,数据也能被保存在闪存中。此外,闪存的记录速度非常快,能够像随机存取存储器(RAM)那样快速读写数据。
Flash闪存有两种主要的技术分类:NOR闪存和NAND闪存。NOR闪存结合了EPROM和EEPROM两项技术,并拥有一个SRAM接口。而NAND闪存则是另一种技术,它利用了电荷隧道效应来实现数据的存储和检索。
Flash闪存广泛应用于各种设备中,包括但不限于智能手机、平板电脑、数码相机、USB闪存驱动器和车载娱乐系统等。它们在这些设备中作为非易失性的存储介质,用于保存用户设置、应用程序数据以及其他重要信息。