西安交通大学大规模集成电路第六章作业答案

这是第二次作业，自己基础不好感觉有点难。

我自己做的答案如下。不保证对仅供参考。

为了把文章发出去，以下凑字数

第六章习题：
已知：NMOS中的电子迁移率 , 栅氧化层厚度 ，阈值电压 ，二氧化硅的介电常数为 ，真空介电常数为 。假定 =3V。所有器件尺寸都是有效值，单位均为微米。
1.	在图1所示电路中，假定 ， k ， 
 
图1
(a)	如果 1mA， 工作在什么区？小信号增益是多少？
(b)	使 工作在线性区的边缘的输入电压为多少？此时的小信号电压增益是多少？
(c)	使 进入线性区50mV的输入电压为多少？此时的小信号电压增益是多少？
(d)	如果 1mA， ，求电路的输出电阻和小信号增益？

2.	假设图1所示的共源级提供的输出电压摆幅为1V到2.5V，假定  k ， 
(a)	计算 1V和 2.5V时的输入电压。
(b)	计算两种输出电压情况下 管的漏电流以及跨导。
(c)	输出电压从1V到2.5V变化，小信号电压增益 变化多少？（小信号增益的变化可以看作是非线性的）