二极管具有电流单向导通的特性，二极管可大致分为半导体二极管和真空二极管。半导体二极管是制作在半导体材料上的，并不具有实际的管状结构，而早期的二极管却真真切切地是被制作在玻璃管中的，它的工作原理也和半导体二极管不同。
1873年，弗雷德里克·格思里（Frederick Guthrie）发现："当加热一个接地的金属盘时，其旁边带正电的验电器会逐渐流失电荷；而当金属盘靠近带负电的验电器时，则不会有电荷流失。该现象表明加热的金属阴极可表现出单向导电特性。
现在我们明白，这种现象是由于被加热物体的电子逸出功降低，更容易在外界电场的作用下逸散到外界导致的。
1，翰弗莱明（John Ambrose Fleming）- 发明了可以检波的二极管—弗莱明管。
载流子：电流载体，称载流子。在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体物理学中，电子流失导致共价键上留下的空位（空穴引）被视为载流子。金属中为电子，半导体两种载流子即中有电子和空穴。不论是 N型半导体中的自由电子，还是 P型半导体中的空穴，它们都参与导电，统称为“载流子”.“载流子”导电是半导体所特有的。扩散电流：是PN结中由载流子扩散运动形成的电流，而扩散运动是指载流子顺浓度梯度，由 浓度高的区域向浓度低的区域运动的现象。漂移电流：漂移电流是 在施加电场下载流子定向运动产生的电流。当电场加在半导体材料上时，载流子流动产生电流。
①PN结形成原理
P型半导体是在本征半导体（一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体）掺入少量三价元素杂质，如硼等，因硼原子只有三个价电子，它与周围的硅原子形成共价键，因缺少一个电子，在晶体中便产生一个空位，当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位，使硼原子成了不能移动的负离子，而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子，形成了空穴，但整个半导体仍呈中性。
这种P型半导体中以空穴导电为主，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。
N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子，如磷等。掺入后，它与硅原子形成共价键，产生了自由电子。在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
因此，在本征半导体的两个不同区域掺入三价和五价杂质元素，便形成了P型区和N型区，根据N型半导体和P型半导体的特性，可知在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差异，电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散，它们的扩散使原来交界处的电中性被破坏。
多子，即多数载流子，是半导体物理的概念。 半导体材料中有电子和空穴两种载流子。 如果在半导体材料中某种载流子占大多数，导电中起到主要作用，则称它为多子。
一切原子都由一个带正电的原子核和围绕它运动的若干电子组成电子是最早发现的基本粒子，常用符号e表示， 带负电硼原子接受一个电子后，成为带负电的硼离子（B-），称为负电中心𬭸，又称𬭸离子或磷𬭩离子，是由膦（或磷化氢）分子衍生出的正一价、带1个正电荷的离子离子键是由电子转移（ 失去电子者为阳离子，获得电子者为阴离子）形成的
三价元素（硼），最外层只有三个电子，然而硅和锗有外层有四个电子，少了一个怎么办呀？那就形成了空穴，这个就是P型半导体。于是，P型半导体就成为了含空穴浓度较高的半导体。
五价元素（磷）有五个电子，多一个怎么办？多出的一个电子几乎不受束缚，它就自由了，叫它自由电子，这个就是N型半导体。于是，N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体。
本征半导体：是指完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体，其内部电子和空穴浓度相等，一般是指其导电能力主要由材料的本征激发决定的纯净半导体。典型的本征半导体有硅(Si)、锗(Ge)及砷化镓(GaAs)等。（本征半导体的导电能力很弱，热稳定性也很差，因此，不宜直接用它制造半导体器件）
杂质半导体：在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。
一、N型半导体 在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的5价元素，例如磷，则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子，占据晶格上的某些位置。由图可见，磷原子最外层有5个价电子，其中4个价电子分别与邻近4个硅原子形成共价键结构，多余的1个价电子在共价键之外，只受到磷原子对它微弱的束缚，因此在室温下，即可获得挣脱束缚所需要的能量而成为自由电子，游离于晶格之间。失去电子的磷原子则成为不能移动的正离子。磷原子由于可以释放1个电子而被称为施主原子，又称施主杂质。
在本征半导体中每掺入1个磷原子就可产生1个自由电子，而本征激发产生的空穴的数目不变。这样，在掺入磷的半导体中，自由电子的数目就远远超过了空穴数目，成为多数载流子（简称多子），空穴则为少数载流子（简称少子）。显然，参与导电的主要是电子，故这种半导体称为电子型半导体，简称N型半导体。
二、P型半导体 在本征半导体硅（或锗）中，若掺入微量的3价元素，如硼，这时硼原子就取代了晶体中的少量硅原子，占据晶格上的某些位置。由图可知，硼原子的3个价电子分别与其邻近的3个硅原子中的3个价电子组成完整的共价键，而与其相邻的另1个硅原子的共价键中则缺少1个电子，出现了1个空穴。这个空穴被附近硅原子中的价电子来填充后，使3价的硼原子获得了1个电子而变成负离子。同时，邻近共价键上出现1个空穴。由于硼原子起着接受电子的作用，故称为受主原子，又称受主杂质。
在本征半导体中每掺入1个硼原子就可以提供1个空穴，当掺入一定数量的硼原子时，就可以使半导体中空穴的数目远大于本征激发电子的数目，成为多数载流子，而电子则成为少数载流子。显然，参与导电的主要是空穴，故这种半导体称为空穴型半导体，简称P型半导体。
②扩散运动和漂移运动
电场方向：电场方向与正电荷受力方向相同
这个内电场一方面阻止了扩散运动的进行，扩散就不容易进行下去；另一方面使空穴（少子）从N区往P区漂移，自由电子从P区往N区漂移，这个漂移可不是汽车漂移，是受N区高电势，P区低电势的内电场影响产生漂移，叫做少子漂移。慢慢的空间电荷区就稳定了。
总结来说多子运动叫做扩散运动，少子运动就是漂移运动，当两种运动达到动态平衡就产生了PN结。在PN结加上相应的电级引线和管壳，就构成了半导体二极管。由P区引出的电极成为了正极，由N区引出的电极成为了负极。
③导通和截止
当PN结加正向导通电压就是把P区引脚加电源正极，N区引脚连接电源负极。电流方向由P区流向N区和PN结内部的内电场相反，当电压大于内电场电压时，外部的电源抵消了其内电场。内电场抵消了，有利于扩散运动的进行，空间电荷区慢慢变成了P区和N区，当空间电荷区越来越薄，直到最薄的时候这时候会形成一个扩散电流，这时候二极管也就导通了，这时候的电压称为导通电压。
反之把P区引脚加电源负极，N区引脚连接电源正极，这时候电流流动的方向和内电场的方向相同，增强了内电场使得空间电荷区变宽空穴会被拉向P区的方向，电子会被拉向N区的方向，从而阻止了扩散运动，形成了反向漏电流，由于电流非常小，这就是截止状态。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁，这时候的电压成为击穿电压，这时候二极管就没用了。
反向漏电流是指：流过处于反向工作的pn结的微小电流称为反向漏电流
④总结
（1）认识二极管的材料，通常是硅材料，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体上。形成PN结，同时原理就是利用PN结的单向导电性。
（2）知道P型与N型半导体形成的原理，就是掺入三价或五价元素的杂质元素，形成半导体两种载流子中有电子和空穴。
（3）了解扩散运动和漂移运动，“多子运动叫做扩散运动，少子运动就是漂移运动，当两种运动达到动态平衡就产生了PN结”。
（4）了解导通和截止。
参考文章：
半导体器件基础01：关于PN结的那些事（1）_内建电场强度-CSDN博客
8万+
被折叠的 条评论
为什么被折叠?
到【灌水乐园】发言
