PN结的形成

     现重新梳理模电知识，以便加深理解。

     首先要了解PN的形成过程，描述其细节。

      半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。而本征半导体是纯净的，不含杂质元素，与之相反的是参杂半导体。但由于本征半导体的导电能力较弱，我们通常往里面加入少量的杂质元素变成掺杂半导体，以增强其导电能力。

      为什么本征半导体的导电能力较弱？导电能力的强弱取决于自由电子的浓度，而本征半导体易受热运动引起的本征激发（电子脱离共价键留下空穴成为自由电子的过程），但本征激发需要较高温度，应用中不现实。所以还有其它办法吗？那就是掺杂。

      N形半导体和P形半导体------------>结合形成PN结

      1、N形半导体：掺入少量五价元素，如磷（P）,与硅元素形成共价键时，会多出一个电子，虽然掺杂少量，但对于本征激发产生的自由电子已经是百万级别，导电能力会极大增强，可以忽略热运动产生的自由电子。故多子为自由电子，少子为空穴。P元素由于失去一个自由电子会变成带正电磷离子，但其并不参与导电，因为被牢牢固定在晶格结构当中。

      2、P形半导体: 掺入少量三价元素，如硼（B）,每一个当硼原子与硅原子结合形成共价键时会多出一个空穴，空穴时相对于自由电子而言的，因为自由电子脱离共价键时原本位置就会留下位置。其多子是空穴，少子是自由电子。同样带负电的硼离子不参与导电。

       当P形半导体与N形半导体结合时。首先，由于浓度差会产生扩散运动 ，P区多子空穴向N区方向移动，N区多子自由电子向P区方向移动，在两者的交界处会产生符合，自由电子与空穴相当于进行交战一对抵消，边界处会形成无人区”真空地带“，称为耗尽区，即PN结，最终会达到一种动态平衡，耗尽区由于没有载流子难导电，我们利用耗尽区的长度进行导电能力的控制。由于浓度差，如果没有外来阻挡这个PN结终会耗尽，也就报废了。由于耗尽区的离子会形成内电场，方向为磷离子指向硼离子，该内电场会阻止扩散运动的多子运动，但会加速少子的运动，凡与少子决定的材料基本受温度影响很，如P区的少子空穴一旦靠近耗尽区会被内电场一下子拉到N区。

       单向导电性：正向导体，方向截止

       当我们给PN结加上正向电压时，该外加电场会削弱内电场，使得PN结减小，导电能力增强。

     当加反向电压时，内电场方向与外电场方向一致，PN结增大，导电性能变差。内电场产生的势垒将阻值载流子向两边运动。