DRAM解释

SDRAM是同步动态随机存储器，所有的RAM都易失性，所有ROM都非易失性，ROM是只读存储器。DRAM用作主存，是由姗级电容构成。

它有多模块交叉存储器，他有低位交叉存储器，还有高位的，一般都是地位，地位不连续。

地位分为同步启动和轮流启动，同步启动，存储体周期等于总线周期，存储单元位数乘以存储体数量等于总线宽度。轮流启动存储单元位数等于总线宽度，存储体周期除以存储体数量是总线周期。如果总线周期乘以存储体数量等于存储周期，则连续读mB数据，所需要的时间是m-1乘以存储周期除以存储体数量加上一个存取周期。

还有低位交叉的意思是，将每个地址模存储体数量得到的结果用于选择，这个地址是在那个存储体里面的。

DRAM还采用了地址复用技术，也就是说行地址和列地址用同一根地址选通线。然后地址线就减少了一半。对于4MB的存储体芯片，只用11根地址线就好了。SRAM没有复用

还有对与数据线字线，位线，地址线是不一样的，数据线有八根可以表示2的八次个数据，但是位线有256乘256表示256乘以256个储存单元，表示地址线是8乘8的。