1、存储器的技术指标:
存储容量:(bite或B)=存储字数×存储字长;存取时间(又称存储器访问时间):是从存储器 接收到读/写命令开始到信息被读出或写入 完成所需的时间;
存储周期(存取周期): CPU连续两次访问存储器的最小间隔时间;
二、静态随机存取存储器(SRAM)
1、优点:存取速度快,但存储密度和容量不如DRAM大。
2、基本的静态存储元阵列图
3、32K×8:2的15次方×8(15根地址线,8根数据线)。一定要看懂下图
4、SRAM读/写周期时序图
5、存储器容量的扩充分为位扩展、字扩展和 字位扩展。所需芯片数=设计要求的存储器 容量/已知芯片存储容量。
三、动态随机存取存储器(DRAM)
1、SRAM 缓存 : 集成度低,速度快,非破坏 性。DRAM 主存: 集成度高,速度慢,破坏 性,需刷新。
2、DRAM 芯片逻辑结构图
3、DRAM的读/写周期时序图