SRAM读/写时序

读/写周期波形图精确地反映了SRAM工作的时间关系。我们把握住地址线、控制线、数据线三组信号线何时有效,就能很容易看懂这个周期时序图。

在读周期中,地址线先有效,以便进行地址译码,选中存储单元。为了读出数据,片选信号CS和读出使能信号OE也必须有效(由高电平变为低电平)。从地址有效开始经Ao(读出)时间,数据总线I/O上出现了有效的读出数据。之后CS、OE信号恢复高电平,tRc以后才允许地址总线发生改变。Irc时间即为读周期时间。

在写周期中,也是地址线先有效,接着片选信号CS有效,写命令WE有效(低电平),此时数据总线I/O上必须置写入数据,在twp时间段将数据写入存储器。之后撤销写命令WE和CS。为了写入可靠,I/O线的写入数据要有维持时间hD,CS的维持时间也比读周期长。twc时间称为写周期时间。为了控制方便,一般取tRc=Iwc,通常称为存取周期。

 

  • 0
    点赞
  • 4
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 0
    评论
抱歉,作为AI语言模型,我没有能力编Verilog代码。但是,我可以向您提供一些相关的信息和知识,以帮助您编SRAM I/O处理逻辑的Verilog代码。 SRAM(Static Random Access Memory)是一种常见的存储器芯片,用于存储数据和指令。SRAM I/O处理逻辑是指控制SRAM输入输出的电路,通常由Verilog代码实现。 在SRAM I/O处理逻辑中,主要包括以下几个部分: 1. 读写控制逻辑:控制SRAM读写操作,包括地址选择、数据输入输出和读写使能等信号。 2. 时序控制逻辑:控制SRAM时序,包括时钟信号、读写时序和预充电等信号。 3. 数据处理逻辑:对SRAM输入输出的数据进行处理,包括数据解码、校验和纠错等操作。 在编SRAM I/O处理逻辑的Verilog代码时,需要了解SRAM的内部结构和时序要求,以及Verilog语言的基本语法和模块化设计思想。同时,需要根据具体的应用场景和需求进行设计和优化,以保证SRAM的性能和稳定性。 以下是一个简单的SRAM读写控制模块的Verilog代码示例: ```verilog module sram_io(clk, addr, data_in, data_out, we, oe); parameter ADDR_WIDTH = 8; // 地址总线宽度 parameter DATA_WIDTH = 8; // 数据总线宽度 input clk; // 时钟信号 input [ADDR_WIDTH-1:0] addr; // 地址信号 input [DATA_WIDTH-1:0] data_in; // 输入数据信号 output reg [DATA_WIDTH-1:0] data_out; // 输出数据信号 input we; // 使能信号 input oe; // 使能信号 reg [DATA_WIDTH-1:0] sram[2**ADDR_WIDTH-1:0]; // SRAM存储单元 always @(posedge clk) begin if (we) // 操作 sram[addr] <= data_in; else if (oe) // 操作 data_out <= sram[addr]; end endmodule ``` 以上代码实现了一个简单的SRAM读写控制模块,包括时钟信号、地址信号、数据输入输出信号、使能信号和使能信号等。在时钟上升沿触发时,根据使能信号和使能信号的不同,进行操作和操作。SRAM的存储单元通过一个数组实现,地址范围为0~2^ADDR_WIDTH-1。 当然,这只是一个简单的示例,实际应用中需要考虑更多的细节和优化,如时序控制、数据处理、错误检测和纠错等。如果您需要更详细的Verilog代码示例或有其他问题,可以咨询相关的技术人员或论坛。

“相关推荐”对你有帮助么?

  • 非常没帮助
  • 没帮助
  • 一般
  • 有帮助
  • 非常有帮助
提交
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值