device list(持续不定时更新)

Passive Devices:

1. 电容器（Capacitors）：用于存储和释放电荷。

主要用途：

滤波电源线：电容器用于在电源线上进行滤波，去除电源中的噪声和波动，确保电路中的稳定电压。

调谐谐振电路：电容器可以用于调谐谐振电路，帮助调整电路的频率响应和共振特性。

阻挡直流电压：电容器可以在电路中阻止直流（DC）电压通过，同时允许交流（AC）信号通过，用于隔离不同电路部分或信号处理。

电容器还有许多其他用途，如储能、滤波、耦合、定时等。它们在电子电路中起着至关重要的作用，用于调节电路的性能、稳定性和功能。

Gate Capacitor, MOM, MIM, MOSVAR

Gate Capacitor（MOS管电容的工作原理）

当gate的电压超过阈值电压VTH时，NMOS反型层形成，NMOS管导通。这时形成了gate和反形层为极板，氧化层为介质的电容，电容值和积累区的容值一样。这个电容的单位面积大小，与栅氧的厚度和介电常数有关。

如果gate电压是个负值，在靠近衬底的氧化层面会吸引空穴，这是NMOS管工作在积累区，形成了以gate和空穴为极板，氧化层为介质的电容。

如果gate电压在0到阈值电压VTH，NMOS管工作在亚阈值区，这个区域，gate电压上升，空穴逐渐被排斥，开始形成耗尽层，NMOS进入弱反型，这时NMOS当作栅氧化层和耗尽层两个电容串联，容值减少，处于NMOS管电容C-V曲线的凹陷区域。

MOSVAR（native device工作原理）

接电源地的MOS电容，需要注意电源电压，若是3.3V的电源，不能用1.8V的MOS做电容，防止电压击穿MOS的氧化层，要用氧化层厚点的3.3V的MOS；若是1.8V的电源，可以用3.3V的MOS电容，也可以用1.8V的MOS电容，但是，从容值角度考虑，在相同面积下，应该用容值更大的MOS电容，3.3V的MOS的氧化层比1.8V的MOS氧化层厚，这样容值就相对1.8V的MOS小了，所以应该选1.8V的MOS电容。

比如1.0V的电压域，选择MOS管做电容，就不能简单的用普通的MOS管，普通的MOS管，阈值电压VTH比较大，1.0V电压可能让普通MOS管进入亚阈值区，容值处于C-V特性曲线凹陷区域，这时候容值就很小，为了避免这种情况，可以选阈值电压接近0的native MOS。