nor flash and nand flash

Nand Flash

Nand的意思是 Not AND（与非门），意思就是该 Flash 的基础单元就是 与非门，如下所示：

擦除：F-N隧道效应将浮栅中的电荷挪走

写入：F-N隧道效应向浮栅注入电荷

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Nor Flash

Nor的意思是 Not OR（或非门），意思就是该 Flash 的基础单元就是 或非门，如下所示：

擦除：F-N隧道效应将浮栅中的电荷挪走

写入：热电子注入方式

浮栅（Floating Gate）中的电荷通过施加高电压（编程脉冲）的方式实现的。这种高电压能够克服浮栅和衬底（substrate）之间的氧化层（通常是氧化硅），将电子注入浮栅中，形成负电荷。这些负电荷在浮栅中被捕获并保持，以表示存储器单元的数据状态。

当浮栅中存在足够的负电荷时，会改变晶体管的导通特性，使得晶体管处于导通状态。根据逻辑电平的定义，通常将导通状态表示为逻辑“0”（低电平）。

改变晶体管的导通特性：当浮栅中存在负电荷时，这些负电荷会增加浮栅与通道之间的电场强度，从而抑制栅极控制区的电场影响，使得晶体管的阈值电压增加，需要更大的控制电压才能使晶体管从截止态变为导通态。换句话说，存在负电荷会使得晶体管需要更大的控制电压才能使其从截止态变为导通态。

导通状态：实际操作中，控制电压已经超过了晶体管原本的阈值电压，使得晶体管处于导通状态。

逻辑“0”：即使控制电压超过了晶体管原本的阈值电压，导致晶体管在理论上应该处于导通状态，但由于浮栅中存储的负电荷导致阈值电压增加，导致晶体管并没有真正导通，从而表现为逻辑“0”（低电平）的状态。

读取操作时，根据浮栅中的电荷量来判断存储单元的数据状态，以实现数据的读取和写入操作。通常通过以下方式实现：阈值电压判断，差分放大器，电荷感测放大器

阈值电压判断：浮栅中的电荷量足够多时，阈值电压会发生变化，从而影响晶体管的导通特性。通过测量晶体管的阈值电压，可以判断浮栅中的电荷量，进而确定存储单元的数据状态。