电路设计与原理

注意 

W 和 E 在电容储能中通常表示相同的物理量，即电容器中储存的电能 。功=能量

功 

电功 

1. ‌W = UIt‌：电功（W）等于电压（U）乘以电流（I）乘以时间（t）‌
2. ‌W = UQ‌：电功（W）等于电压（U）乘以电荷量（Q）‌
3. ‌W = (U^2)t/R‌：电功（W）等于电压（U）的平方乘以时间（t）除以电阻（R）‌
4. ‌W = I^2Rt‌：电功（W）等于电流（I）的平方乘以电阻（R）乘以时间（t）‌
5. ‌W = Pt‌：电功（W）等于功率（P）乘以时间（t）‌
6. dW=VdQ 微分

功率

功率=功/时间 

电功率

1. 
2. 
3. 

元器件

电阻 

特性  

• 限流：串联：负载电压不变时
• 分压：串联：与中间电位公式           大多是GND
• 分流：并联：负载电压不变时，不推荐，并联电阻值趋近一个电阻值
• 并联电阻公式： 总电阻总是小于最小的单个电阻
• 电流分配：阻值越小的电阻流过的电流越大
• 功率分配：总功率为各电阻功率之和（P总​=P1​+P2​+⋯+Pn​）电阻越小的功率变大

应用参数 

1. 阻值
2. 精度
3. 功率:                                                                     

分类

1. 直插：色环电阻 
2. 贴片：
3. 功率型线绕电阻

电容

特性

• 电容的瞬间电压不变
• 电位，随外部变化，电压不变

•  容抗的特性

  • 与频率成反比：频率越高，容抗越小。
  • 与电容成反比：电容越大，容抗越小。
  • 直流情况：当频率 f=0（直流电）时，XC​→∞，电容相当于开路。 
• 充电延迟：    
   
  • 典型时间点：
    • t=τ：VC​≈0.632VS​
    • t=3τ：VC​≈0.95VS​（接近完成）
    • t=5τ：VC​≈0.993VS​（视为完全充电）
• 放电延迟： 

1. 上电延迟 
2. 断电延迟
3. 稳压
4. 滤波

应用参数 

1. ESR 等效串联电阻
2. ESL 高频特性，等效串联电感
3. 寿命
4. 温度特性
5. 容抗：  
   f:交流电频率 hz   越大容抗越小
   c: 容值                 越大容抗越小
6. 截止频率：   R= 当容抗等于R时   hz Ω F
7. 电容值
   基本公式： Q电荷量 U电压
   能量公式：  V工作电压 E能量单位J     P功率,单位W t时间,单位s
8. 耐压值
9. 20ms电压随时间的变化 
   示例

   为了简化计算，我们假设在1秒内电压下降不超过某个小比例（比如5%），即 V(1)≥0.95V0​

   代入公式得：

   0.95V0​=V0​⋅e−RC1​

   化简得：

   0.95=e−RC1​

   取自然对数得：

   ln(0.95)=−RC1​

   解出 RC：

   RC=−ln(0.95)1​≈0.05131​≈19.5秒（这里 ln(0.95)≈−0.0513）

   如果我们知道负载电阻 R 的值，就可以解出电容 C：

   C=R19.5​

   假设负载电阻 R=10kΩ（即10000欧姆），则：

   C=1000019.5​=1950μF=1.95mF

 分类

1. 电解电容：有方向，接反会炸，耐压低
   长：+
   短：- 
2. 固态电解电容：耐压相对高
3. cbb电容：无方向，高频特性较好,耐压高
4. 贴片电容

电感 

特性

• 抵抗电流变化能力的物理量

• 感抗：  L 电感量H
• 充电电流：   
• 放电电流：

应用参数 

LED

特性 

1. 导通压降不变：电压不变 

二极管 

特性 

• 最大整流电流（IFM）

• 最高反向工作电压（VRM）

• 正向压降（VF）

• 功耗（Pdiode）

应用参数 

红外

发射二极管 

接收二级管 

三极管 

P级

N级

Mos管